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...01）作者 | ZeR0编辑 | 漠影到2023年，在1颗芯上集成1万亿个晶体管。——这是英特尔最新公布的“小目标”。什么概念？英伟达今年推出的最新旗舰通用GPU H100，在814mm²核心面积上集成了800亿个晶体管；英特尔即将推出的数据中心...……更多
2022-12-17 01:00晶体管,晶体,芯片,关键,技术
...推进摩尔定律，在2030年前实现在单个封装内集成1万亿个晶体管。·包括PowerVia背面供电技术、用于先进封装的玻璃基板和Foveros Direct技术预计将在2030年前投产。12月9日，英特尔在IEDM 2023（2023 IEEE 国际电子器件会议）上展示了使...……更多
2023-12-11 09:31:00英特,摩尔,英特尔,定律,瓶颈,供电
在计算机芯片上的晶体管数量大约每18个月翻一番，这一产业发展的规律被称为摩尔定律。然而，随着近年来晶体管的尺寸趋近物理极限，摩尔定律的进一步发展对半导体工程师来说是一场噩梦，因为他们需要制造更小、更强大...……更多
2024-01-17 10:42:00二维,三维,晶体管,晶体,效应,摩尔
...要了解普通芯片的基本结构。普通芯片由数以亿计的微小晶体管组成，每个晶体管都可以控制和传输电流。这些晶体管互相连接形成一个庞大的网络，使得芯片能够进行复杂的信息处理和存储。当电流通过晶体管时，它将被传输...……更多
2024-01-30 11:13:00芯片,背后,秘密,芯片,晶圆,晶体管
...片的所有关键指标中，没有一项是3nm。我们知道芯片是由晶体管组成，晶体管越多，芯片性能越强，因为一个晶体管就是一路电流，代表一个0与1的开关换算。而一个晶体管里面又含有三个部分，分别是源极（Source，电流入口）...……更多
2023-02-04 15:59:00摩尔,栅极,发展,定律,更快,工艺
... A17 Pro。A17 Pro 采用了台积电最新的 3nm 工艺（N3B）制造，晶体管数量达到了惊人的 190 亿，这是全世界第一款采用台积电 3nm 工艺的手机芯片，也是 3nm 工艺第一次出现普通人就可以买到的大众消费品上。要知道，随着芯片尺寸越...……更多
2023-10-11 15:22:00芯片,战争,芯片,工艺,晶圆,三星
...积电董事长刘德音联合撰写题为《我们如何实现1万亿个晶体管GPU》的文章。刘德音在文中预测，半导体技术的突破给AI技术带来重要贡献。在未来10年，GPU集成的晶体管数将达到1万亿。而且，GPU能效性能每2年提高3倍，未来15年...……更多
2024-03-31 04:00:00估值,美金,要闻,芯片,高达,性能
...。英特尔正为其未来芯片寻找新的开发路线，包括3D堆叠晶体管以实现更高密度、扩展背面供电以及使用氮化稼来实现更高的传输功率等。总部位于圣克拉拉的芯片巨头将在本周于旧金山召开的第69届IEEE国际电子器件年会（IEDM）...……更多
2023-12-13 10:23:00英特,英特尔,晶体管,晶体,新工艺,供电
...10%到20%之间，相差巨大。其主要原因是三星的3nm环栅(GAA)晶体管工艺与台积电的FinFET工艺在结构上存在重大差异，三星本身采用的环栅(GAA)晶体管，可以更好地控制晶体管的电流。这是因为GAA晶体管具有垂直堆叠的nm片以覆盖通道...……更多
2023-01-22 16:48:00制程,工艺,工艺,良品率,三星,晶体管
...ley）说起。这位科学家在贝尔实验室与其他人共同发明了晶体管，并获得诺贝尔物理学奖。威廉·肖克利，图片来源：维基百科为了赚更多钱，肖克利在1955年创办了自己的实验室——肖克利半导体实验室。实验室坐落于美国加州...……更多
2023-04-23 09:49:00一句话,年前,手机,摩尔,晶体管,晶体
本文转自：科技日报芯片上“长”出原子级薄晶体管可大幅提高集成电路密度科技日报北京5月3日电 （记者张佳欣）美国麻省理工学院一个跨学科团队开发出一种低温生长工艺，可直接在硅芯片上有效且高效地“生长”二维（2D...……更多
2023-05-04 02:05:00晶体管,晶体,原子,芯片,材料,芯片
... PowerVia 背面供电技术的芯片，通过优化供电提高性能和晶体管密度。同时 18A 也是英特尔首个采用 RibbonFET 全周栅极（GAA）晶体管的节点，在缩小面积的情况下，提供更高的晶体管密度和更快的晶体管开关速度。英特尔 18A 现已...……更多
2024-02-22 09:20:00代工,英特,英特尔,代工厂,路线图,节点
...芯片和系统设计，而且这些问题在不断扩大和增多。随着晶体管密度的提高，这些微小的数字开关产生的热量无法通过传统方式消除。尽管这个问题看似可以控制，但这产生了一连串需要整个行业共同解决的新问题，包括EDA公司...……更多
2024-03-27 04:00:00功耗,芯片,不断,问题,功耗,问题
...持续挑战更先进的芯片技术。GAA（Gate All Around，全环栅型晶体管技术）是当前一项核心科技。芯片里面的晶体管，可以拆解为三个模块：源极、栅极、漏极——电离子从源极出发、穿越栅极、进入漏极，构成一个完整回路。栅极...……更多
2023-12-22 11:43:00刻机,巨头,芯片,三大,客户,制程
...出更先进的N2系列工艺。这一系列工艺将集成超过1000亿个晶体管，并通过CoWoS、InFO和SoIC等多种封装技术实现。此外，台积电还计划使用EUV光刻、金属氧化物ESL等新材料和新技术。更令人期待的是，台积电还规划了1.4nm级别的A14和...……更多
2023-12-28 18:02:00晶体管,晶体,封装,晶体管,晶体,工艺
...片都不相同，它需要在每平方毫米的面积上，植入3亿颗晶体管，相当于在一个指甲盖那么大的面积里，塞下近400亿颗晶体管。这个数量是现在主流5nm芯片的2倍左右。如此巨大的提升与恐怖的密度，需要将芯片制造技术从2D平面...……更多
2023-12-22 09:54:00制程,芯片,极限,升级,制程,芯片
...越小代表了越先进的制造工艺，可以使芯片上集成更多的晶体管，从而提高处理器的速度、实现更有效的功耗。之前从5纳米技术到3纳米技术的飞跃就使iPhone的GPU速度提高了20%、CPU速度提高了10%、iPhone的神经网络引擎速度提高了2...……更多
2024-01-26 05:09:00最先,芯片,苹果,纳米,芯片,晶体
...过半导体制程与工艺、先进封装等技术共同延续单位面积晶体管倍增的增长曲线。首个EUV节点Intel 4将于2023年下半年按计划推出，比Intel 7每瓦性能将提高约20%；Intel 3预计将于2023年下半年投产，比Intel 4每瓦性能将提高约18%；Intel ...……更多
2023-11-06 14:43:00晶体管,晶体,半导体,业内,目标,英特
...。据BusinessKorea报道，三星Foundry正致力于下一代环绕栅极晶体管(GAA)技术的研发，该技术将用于其2nm制程工艺，基于该技术的2nm半导体芯片计划于明年量产。此外，三星将在6月16日至20日于美国夏威夷举行的VLSI研讨会上展示用于2n...……更多
2024-05-01 10:05:00制程,三星,芯片,先进,三星,制程
...星所采用的工艺相比传统的FinFET技术，GAA技术通过全新的晶体管设计，实现了更高的性能、更低的功耗和更小的尺寸。同时由于环绕栅极的存在，晶体管在开关过程中产生的热量也得以有效分散，从而降低了功耗。
而且GAA技术...……更多
2024-05-09 10:29:00三星,革命性,新机,芯片,革命,突破
...费电子设备更容易获得先进的AI功能。不同于处理器中的晶体管，塞姆龙的芯片使用电场而不是电流。这些由传统半导体材料制成的忆容器可存储能量并控制电场，不仅提高了能源效率，还降低了制造成本，使消费电子产品更容...……更多
2024-02-04 07:45:00电场,晶体管,晶体,电流,容器,芯片
...，CPU就是电脑配件中十分重要的一个配件，CPU中有上亿个晶体管，如果CPU中的上亿个晶体管，坏了一个还能工作吗？CPU是在特别纯净的硅材料上制造的。一个CPU芯片包含上亿个精巧的晶体管。人们在一块指甲盖大小的硅片上，用...……更多
2023-02-07 11:48:00能工,晶体管,晶体,晶体管,晶体,存储
...尺寸不匹配，因此需要进行一些修改，最终大幅提高了其晶体管密度。第二代芯片第一代芯片5nmZen4CCD7nmZen3CCD尺寸36mm241mm266.3mm280.7mm2晶体管数约47亿47亿65.7亿41.5亿晶体管密度约1.306亿约1.146亿约9900万约5140万与之前一样，这颗……更多
2023-03-05 14:43:00二代,缓存,处理器,细节,处理,芯片
...文转自：科技日报重新定义数据处理的能源效率具有千个晶体管的二维半导体问世【总编辑圈点】科技日报北京11月13日电 （记者张梦然）据最新一期《自然·电子学》报道，瑞士洛桑联邦理工学院研究人员提出了一种基于二硫...……更多
2023-11-14 01:26:00二维,晶体管,晶体,半导体,二硫化钼,晶体管
...进的光学设计将图案投影到硅晶圆上，从而实现分辨率和晶体管尺寸上的进步。英特尔即将推出的14A工艺英特尔在2月份宣布将代工业务剥离为一个独立的实体，当时就详细介绍了即将推出的Intel 14制造工艺。英特尔TWINSCAN EXE: 5000...……更多
2024-04-23 10:24:00英特,光刻,英特尔,最先,全球,系统
...，也就是RibbonFET和PowerVia，其中RibbonFET是Intel对GateAllAround晶体管的实现，它将成为公司自2011年率先推出FinFET以来的首个全新晶体管架构。该技术加快了晶体管开关速度，同时实现与多鳍结构相同的驱动电流，但占用的空间更小。...……更多
2023-02-24 22:00:00喜讯,王者,工艺,工艺,晶体管,埃米
...技术的驱动力。什么是3nm芯片组？简而言之，它是将更多晶体管封装到类似大小的芯片中的能力。对于外行来说，“3nm”指的是晶体管的小型化尺寸，这意味着您可以大大提高目前看到的4nm和5nm芯片的密度。对于最终用户而言，...……更多
2023-03-09 10:52:00先机,芯片,芯片,蒂诺,晶体管,库比
姚姚是中国振华集团永光电子有限公司晶体管车间的一名压焊工。2018年，车间接到任务，根据产品的设计要求，需要压焊40根丝，而且在同一个电极处排丝布线必须要求在同一个高度，任何一根丝出错都将导致产品报废，加工...……更多
2024-04-30 06:08:00尖兵,芯片,劈刀,微米,车间,晶体管
...5年赶超台积电（TSMC）的关键。其中RibbonFET是对GateAllAround晶体管的实现，将成为英特尔自2011年推出FinFET以来的首个全新晶体管架构。该技术加快了晶体管开关速度，同时实现与多鳍结构相同的驱动电流，但占用的空间更小。Power...……更多
2023-03-15 20:58:00英特,英特尔,制程,工艺,测试,英特
...的效率。随着科技的进步，现代芯片已经成为了由数千亿晶体管组成的大型集成电路。排列这些晶体管在硅片上是一项极具挑战性的任务，需要上万名工程师花费长达两年的时间才能完成。英伟达的芯片设计也异常复杂，并且是...……更多
2023-10-31 22:11:00英伟,芯片,效率,先进,设计,英伟
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