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...过半导体制程与工艺、先进封装等技术共同延续单位面积晶体管倍增的增长曲线。首个EUV节点Intel 4将于2023年下半年按计划推出,比Intel 7每瓦性能将提高约20%;Intel 3预计将于2023年下半年投产,比Intel 4每瓦性能将提高约18%;Intel ...……更多
英特尔重塑代工业务:按期推进4年5个节点计划、公布Intel 14A路线图、2030要成第二大代工厂
... PowerVia 背面供电技术的芯片,通过优化供电提高性能和晶体管密度。同时 18A 也是英特尔首个采用 RibbonFET 全周栅极(GAA)晶体管的节点,在缩小面积的情况下,提供更高的晶体管密度和更快的晶体管开关速度。英特尔 18A 现已...……更多
英特尔在IEDM大会上展示新工艺,背面供电与堆叠晶体管纷纷亮相
...。英特尔正为其未来芯片寻找新的开发路线,包括3D堆叠晶体管以实现更高密度、扩展背面供电以及使用氮化稼来实现更高的传输功率等。总部位于圣克拉拉的芯片巨头将在本周于旧金山召开的第69届IEEE国际电子器件年会(IEDM)...……更多
通往万亿晶体管芯片,关键技术揭秘
...01)作者 | ZeR0编辑 | 漠影到2023年,在1颗芯上集成1万亿个晶体管。——这是英特尔最新公布的“小目标”。什么概念?英伟达今年推出的最新旗舰通用GPU H100,在814mm²核心面积上集成了800亿个晶体管;英特尔即将推出的数据中心...……更多
英特尔继续推进摩尔定律:芯片背面供电,突破互连瓶颈
...推进摩尔定律,在2030年前实现在单个封装内集成1万亿个晶体管。·包括PowerVia背面供电技术、用于先进封装的玻璃基板和Foveros Direct技术预计将在2030年前投产。12月9日,英特尔在IEDM 2023(2023 IEEE 国际电子器件会议)上展示了使...……更多
台积电:2030年量产1nm、可封装1万亿个晶体管
...出更先进的N2系列工艺。这一系列工艺将集成超过1000亿个晶体管,并通过CoWoS、InFO和SoIC等多种封装技术实现。此外,台积电还计划使用EUV光刻、金属氧化物ESL等新材料和新技术。更令人期待的是,台积电还规划了1.4nm级别的A14和...……更多
英特尔组装完成全球最先进的EUV光刻系统
...进的光学设计将图案投影到硅晶圆上,从而实现分辨率和晶体管尺寸上的进步。英特尔即将推出的14A工艺英特尔在2月份宣布将代工业务剥离为一个独立的实体,当时就详细介绍了即将推出的Intel 14制造工艺。英特尔TWINSCAN EXE: 5000...……更多
4nm分辨率!全新晶体管3D成像技术来袭:可轻松发现内部缺陷!
...辨率高达4nm,可以在不破坏芯片的前提下,提供芯片内部晶体管及布线的清晰的3D图像,以揭示芯片内部的设计/制造缺陷。Levi说,他们希望提供一种替代方案,以替代用于执行芯片质量控制和揭示芯片设计的耗时、破坏性的过...……更多
50亿美元救星来了!英特尔绝地求生,18A制程或成翻身王牌?
...「我将整个公司押注在了18A制程上」。据推测,18A凭借在晶体管密度,以及背面供电(backside power)的创新,将成为世界上最先进的芯片制造技术。它的背面供电PowerVia技术,其原理是从下方向芯片晶体管供电,这解决了当前芯...……更多
英特尔Intel 4 制程节点已大规模量产,性能大增
...不断推进半导体技术的创新和发展,以求在性能、能效和晶体管密度等方面实现显著提升。而Intel4作为英特尔首个采用EUV技术生产的制程节点,无疑是这一努力的重要体现。极紫外光刻技术是一种先进的半导体制造技术,可以用...……更多
抢光刻机、截客户,三大芯片巨头缠斗2nm丨知料
...持续挑战更先进的芯片技术。GAA(Gate All Around,全环栅型晶体管技术)是当前一项核心科技。芯片里面的晶体管,可以拆解为三个模块:源极、栅极、漏极——电离子从源极出发、穿越栅极、进入漏极,构成一个完整回路。栅极...……更多
英特尔与联华电子合作开发12nm工艺平台
...,这项长期协议将英特尔在美国的大规模制造能力和FinFET晶体管设计经验,与联华电子在成熟制程节点上丰富的晶圆代工经验结合在一起,比如为客户提供工艺设计套件(PDK),以实现扩展的工艺组合。同时新平台还为全球客户...……更多
英特尔3nm,加入战局
...软更新推出。值得一提的是,这将是最后一个采用 FinFET 晶体管的节点。你可能想知道英特尔如何在六个月内量产两个节点。但其实按照报道,英特尔的4nm(intel 4)和 3nm(intel 3)工艺由两个独立的团队同时开发。这本质上是Tick Tock ...……更多
二维场效应晶体管的三维集成
在计算机芯片上的晶体管数量大约每18个月翻一番,这一产业发展的规律被称为摩尔定律。然而,随着近年来晶体管的尺寸趋近物理极限,摩尔定律的进一步发展对半导体工程师来说是一场噩梦,因为他们需要制造更小、更强大...……更多
摩尔定律再进化,2纳米之后芯片如何继续突破物理极限
...能每两年翻一番的经验法则——是否还能继续有效。随着晶体管尺寸的不断缩小,人们普遍担忧物理限制将会成为难以逾越的障碍,特别是短沟道效应、漏电流和隧道效应等问题日益突出。这些挑战不仅威胁到了摩尔定律的延续...……更多
三星在积极研发更先进的芯片制程
...。据BusinessKorea报道,三星Foundry正致力于下一代环绕栅极晶体管(GAA)技术的研发,该技术将用于其2nm制程工艺,基于该技术的2nm半导体芯片计划于明年量产。此外,三星将在6月16日至20日于美国夏威夷举行的VLSI研讨会上展示用于2n...……更多
麻省理工学院的3D纳米级晶体管利用量子隧道设计绕过物理限制
硅晶体管的表现已然非常出色,但就像物理世界中的其他物体一样,它们也受到一些限制。 物理定律对性能和能效造成了瓶颈。 现在,麻省理工学院的一组工程师可能已经找到了一种方法,利用一种激进的新型晶体管设计,以...……更多
推动后摩尔芯片元器件突破:清华学者多维度探索芯片基础问题,基于新材料研发全适配器件
...去半个多世纪,集成电路技术开创了摩尔时代,如今芯片晶体管密度已达到亿量级每平方毫米。我们在材料、工艺、器件、集成、架构、生态六大技术引擎驱动下,获得了摩尔浪潮。实际上,早在十几年前,人们已经意识到摩尔...……更多
3nm的芯片战争,才刚刚开始
... A17 Pro。A17 Pro 采用了台积电最新的 3nm 工艺(N3B)制造,晶体管数量达到了惊人的 190 亿,这是全世界第一款采用台积电 3nm 工艺的手机芯片,也是 3nm 工艺第一次出现普通人就可以买到的大众消费品上。要知道,随着芯片尺寸越...……更多
...是M3芯片攻势凶猛,从M3到M3 Max,性能层层递进。首先从晶体管、架构和性能看。根据苹果的介绍,M3拥有250亿个晶体管,比M2多50亿个,采用了下一代架构的10核GPU,能使得图形性能比M1快65%,同时拥有的8核CPU,让CPU性能比M1快35%...……更多
英特尔实现3D先进封装技术的大规模量产
...快、成本更低的路径,以实现在单个封装中集成一万亿个晶体管,并在2030年后继续推进摩尔定律。英特尔的3D先进封装技术Foveros是业界领先的解决方案,在处理器的制造过程中,能够以垂直而非水平方式堆叠计算模块。此外,Fo...……更多
砸下8400亿元后,三星先被自己人背刺
...代工费用报价,要比台积电7nm工艺便宜四成。虽然前者的晶体管密度不及台积电7nm工艺,但由于功耗设计优秀,在实际应用中并没有逊色于后者。除了代工价格一路水涨船高外,台积电的产能分配问题也一直被业界所诟病。此前...……更多
英特尔第四季度营收140亿美元同比下滑32% 净亏损7亿美元
...五个节点的目标取得进展,并有望在2025年之前重新获得晶体管性能和电源性能的领先地位。英特尔7纳米工艺芯片目前正在为满足客户端和服务器需求进行大批量生产。英特尔4纳米工艺芯片已经准备就绪,预计在2023年下半年推...……更多
OpenAI加速造芯:奥特曼赴韩与三星SK谈合作,此前已会见英特尔、台积电|最前线
...大芯片的美国初创公司Cerebras,Cerebras 的第二代AI芯片WSE-2晶体管数量达到2.6万亿个,AI内核数量也达到了85万个,多项指标打破世界纪录。△图源:Cerebras官网 另一家是Rain Neuromorphics,这是一家设计模仿大脑工作方式的芯片初创...……更多
单台售价超25亿!ASML最先进光刻机产能被美国厂商英特尔承包,三星SK海力无奈
...一代产品的1/1.7。更细的线条意味着芯片可以容纳更多的晶体管,从而实现更快的处理速度和更高的存储容量,这对于人工智能工作负载至关重要。这台EUV已于去年年底运抵其位于俄勒冈州的D1X工厂,英特尔计划在2025年年底开始...……更多
20余年坚守创新  他为国产碳化硅“开路”
...的六方碳化硅(4H-SiC),有望制备出更高性能的碳化硅基晶体管。这是国际首次获得可量产、可商业化的晶圆级立方碳化硅单晶生长技术。近期,陈小龙获评2023年中国科学院年度创新人物。“另辟蹊径”获取新突破作为第三代...……更多
被人笑话的三星3nm,搞出全球首颗GAA芯片
...块芯片最大的亮点——GAA工艺(Gate-All-Around,全环绕栅极晶体管)。要在指甲盖大小的芯片里塞下数百亿个晶体管,听上去就如同天方夜谭,但工程师们总能想出新办法。其中一种思路就是将晶体管像积木一样堆叠起来,那么就...……更多
晶体管,到底是谁发明的
...,以及硅晶体二极管的优异表现,坚定了默文・凯利发展晶体管技术的决心。他暗下决定,要带领贝尔实验室,allin半导体。1945年7月,二战临近结束。为了适应战后研究方向的调整,贝尔实验室进行了各个研究部门的改组。当...……更多
...文转自:科技日报重新定义数据处理的能源效率具有千个晶体管的二维半导体问世【总编辑圈点】科技日报北京11月13日电 (记者张梦然)据最新一期《自然·电子学》报道,瑞士洛桑联邦理工学院研究人员提出了一种基于二硫...……更多
多团队联合攻关设计量子效应掺杂范式,突破二维平面晶体管集成维度限制
...们得到了高迁移率、高开态电流和开关比、低回滞的 p 型晶体管,推动了二维半导体电子器件的应用发展。这种不破坏沟道材料的简单掺杂方法,通过范德瓦尔斯界面耦合的方式,来调控二维半导体沟道的载流子极性。利用这一...……更多
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