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随着3D NAND的堆叠层数越来越多，厂家门也在着手研究新的生产技术以改进效率，SK海力士就在评估东京电子最新的低温蚀刻设备，该设备可以在-70℃的低温下运行，用来生成400层以上堆叠的新型3D NAND。低温蚀刻设备的钻孔速度...……更多
2024-05-07 11:36:00低温,力士,闪存,下一代,生产,研究
...NAND的有效层数将超过竞争对手，目前我们知道SK海力士的下一代3DNAND将具有321层，因此三星第九代V-NAND层数应该会更多。层数的增加将使三星提高其3DNAND设备的存储密度。该公司预计，未来的闪存类型不仅会提高存储密度，还会...……更多
2023-10-19 20:39:00九代,三星,闪存,三星,九代,拥有超过
...即将敲定最终计划之际，遭到了铠侠重要的间接股东SK海力士的强烈反对，让西部数据选择中止谈判。随后西部数据宣布未来将分拆为两家独立上市公司，分别专注于机械硬盘和NAND闪存业务，预计在2024年下半年开始执行。据相...……更多
2024-02-20 10:02:00力士,闪存,生产,闪存,西部数据,力士
...，美国政府作出最终决定，将无限期豁免三星电子和SK海力士向其在华工厂提供半导体设备，无需其它许可。崔相穆透露，美方已将这一决定通知三星电子和SK海力士等相关企业，将自即日起生效。当前全球NAND市场规模主要集中...……更多
2023-10-10 17:47:00三星,美国,闪存,市场分析,芯片,工厂
...，一则小道消息的传出引起了不少人的关注：“三星、海力士或将获得无限期的半导体设备出口资格”。这则消息传出后，仅过来几天时间，韩国当地媒体就报道相关企业已经获得授权，已被列入清单的设备可以无限制对华出口...……更多
2023-10-18 10:06:00三星,力士,闪存,战场,硬盘,闪存
...1月23日，针对美国媒体相关报道，韩国存储芯片巨头SK海力士向观察者网回复表示。美媒彭博社稍早前发布长篇报道，暗示SK海力士受美国出口管制政策影响，或卖掉大连工厂。报道提到，SK海力士2020年以90亿美元的价格，从美国...……更多
2024-01-23 15:36:00大连,力士,韩国,美国,巨头,芯片
...9代V-NAND闪存的量产。三星高管Jung-BaeLee去年10月表示，其下一代NAND闪存将于“今年初”量产，拥有业界领先的堆叠层数。三星于2022年11月量产了236层第8代V-NAND，这意味着两代之间的间隔为一年半左右。▲三星第8代V-NAND闪存Hankyun...……更多
2024-04-13 11:21:00三星,闪存,闪存,三星,堆栈,进一
... 日报道称，由于 QLC 企业级固态硬盘销售状况良好，SK 海力士旗下Solidigm 的中国大连晶圆厂将在一段时间内延续 FG（IT之家注：浮动栅极，FloatingGate）NAND 闪存工艺，并获得新的设备投资。Solidigm大连晶圆厂随英特尔 NAND 闪存与固...……更多
2024-09-10 09:59:00大连,投资,设备,闪存,力士,英特
...存制造商铠侠（Kioxia）向其投资者、韩国竞争对手 SK 海力士（SK Hynix）提议，允许其在铠侠位于日本的工厂生产非易失性存储器。此举旨在让 SK 海力士改变其对铠侠与西部数据合并计划的反对态度，目前尚不清楚 SK 海力士是否...……更多
2024-02-18 09:09:00西部数据,力士,芯片,谈判,西部,生产
...）的DRAM产品将成为当下主流技术，在未来两年也将推出下一代技术。随着更多产品对存储的容量要求越来越大，我们预计今年QLC（四层式存储单元）的应用将开始加速，除了在传统的固态硬盘产品上，其他的应用领域也将开始...……更多
2024-03-23 16:31:00存储,市场,原厂,供销,业绩,应用
快科技11月21日消息，今天SK海力士官方宣布，已开始量产全球首款321层1TB TLC 4D NAND闪存。SK海力士表示，公司从2023年6月量产上一代238层NAND闪存产品，并供应市场，此次推出的321层NAND闪存，不仅突破了技术界限，也率先实现了...……更多
2024-11-21 10:25:00海力,士官,闪存,突破,全球,闪存
...星方面消息显示，计划于2024年上半年量产具有8层堆栈的下一代HBM3e产品。根据计划，三星的HBM芯片产量将比去年增长2.5倍，明年将再次翻倍。为了补充粮草弹药，2023年第四季度，三星特意把持有的ASML股票变卖，用来投入全新的...……更多
2024-03-07 09:13:00三家,英伟,芯片,背后,存储,焦点
...业最小的单元尺寸。这一计划也将使三星的进度超过SK海力士，SK海力士曾在不久前宣布计划在2025年开始量产321层NAND芯片。预计三星第9代NAND闪存芯片仍将采用双堆叠技术，其中包括在两个独立过程中创建NAND存储器，然后将它们...……更多
2023-10-17 20:23:00三星,闪存,芯片,三星,芯片,双堆
在最近的新闻发布会上，SK海力士公司向全球宣布了一项创新成果：成功研发出321层堆叠的NAND闪存。这是全球首次突破300层堆叠的大关，对于闪存技术的发展具有重大意义。然而，尽管这一成果在技术上具有突破性，但SK海力士...……更多
2023-10-22 21:52:00三星,力士,闪存,全球,技术,闪存
...SKHynix计划在第6代（1c工艺，约10nm）DRAM的生产中使用Inpria下一代金属氧化物光刻胶（MOR），这是MOR首次应用于DRAM量产工艺。消息人士称，SKHynix量产的1cDRAM上有五个极紫外(EUV)层，其中一层将使用MOR绘制。他还补充说，“不仅SK海...……更多
2024-05-30 08:30:00新材,三星电子,三星,力士,新材料,致力于
快科技8月4日消息，据报道，SK海力士正在开发400层堆叠的NAND闪存，将于2025年投入大规模量产，再次遥遥领先。为了达成如此密集的堆叠，SK海力士使用了所谓的4D NAND闪存、混合键合技术，也就是W2W(wafer-to-wafer)结构，将两块晶...……更多
2024-08-04 18:37:00力士,闪存,闪存,晶圆,力士,长江
1月21日消息，据媒体报道，SK海力士推出一款TubeT31闪存盘，适用于PlayStation5、Xbox、WindowPC和Mac。据了解，这款闪存盘配备DRAM缓存，采用10Gbps的USB-A3.2Gen2接口，拥有1000MB/s的顺序读写速度，是同类SSD中最高的性能水平。值得一提..……更多
2024-01-21 20:57:00闪存盘,力士,闪存,闪存盘,力士,闪存
...。近日，据多家媒体报道，存储技术领域的领军企业SK海力士推出了一款名为TubeT31的全新游戏闪存盘，旨在为PlayStation5、Xbox、WindowPC和Mac用户提供更加流畅、高效的游戏体验。TubeT31闪存盘作为SK海力士的最新力作，在设计和性能...……更多
2024-01-22 00:14:00闪存盘,力士,闪存,全新,闪存盘,闪存
快科技8月9日消息，在FMS 2024峰会上，SK海力士展示了其最新的存储产品，包括尚未正式发布规范的UFS 4.1通用闪存。据JEDEC固态技术协会官网信息，目前公布的最新UFS规范是2022年8月的UFS 4.0，其理论接口速度高达46.4Gbps，预计UFS 4....……更多
2024-08-09 13:12:00力士,闪存,颗粒,力士,闪存,进一
...，一条是央视新闻报道，10月9日美国同意三星电子和SK海力士向其位于中国的工厂提供设备，无须其他许可。第二条消息则少有人关注：最近一个多月，三星电子、SK海力士宣布对DRAM和NAND闪存芯片涨价10%-20%。事实上，后者的重...……更多
2023-10-12 16:55:00三星,白菜,存储,国产,品牌,时代
据TheElec报道，三星正在考虑在其下一代DRAM中使用应用模压填充（MUF）技术。三星最近对3D堆栈（3DS）内存进行了大规模的MRMUF工艺测试，结果显示与现有的TCNCF（热压非导电膜）相比，吞吐量有所提高，但物理特性却有所下降。...……更多
2024-03-04 16:49:00三星,服务器,应用,研究,服务,三星
IT之家 5 月 9 日消息，SK 海力士公司今日宣布，公司开发出用于端侧（On-Device）AI 的移动端 NAND 闪存解决方案产品“ZUFS（Zoned UFS）4.0”。IT之家注：端侧（On-Device）AI 即指在设备本地运行的人工智能服务，而非依赖于云端服务器...……更多
2024-05-09 09:10:00力士,闪存,新一代,解决方案,移动,方案
...，美国政府作出最终决定，将无限期豁免三星电子和SK海力士向其在华工厂提供半导体设备，无需其它许可。崔相穆透露，美方已将这一决定通知三星电子和SK海力士等相关企业，将自即日起生效。对此，三星电子回应第一财经...……更多
2023-10-09 18:41:00美国,突发,限制,三星电子,三星,电子
...游半导体需求的大幅度增长，目前各大厂商都在积极研发下一代产品，并且尽可能多地获取产能。在HBM内存领域，此前SK海力士已决定扩充人工智能基础设施的核心产品，即HBM3E等新一代DRAM的生产能力。与此同时，SK海力士还与...……更多
2024-05-19 14:31:00迭代,力士,周期,力士,产品,七代
...旨在加速去库存，并稳定NAND闪存价格。此前，美光和SK海力士已经率先进行减产行动。三星的做法已经引起了连锁反应，企业固态硬盘（SSD）的价格已经上涨了5%至10%。预计到2023年底前，消费类SSD的价格还将上涨8%至13%。尽管如...……更多
2023-11-11 21:03:00三星,闪存,厂商,生产,产品,三星
...在十月底前达成合并协议，但是由于铠侠间接大股东SK海力士的反对，最终导致了该合并案的失败。10月26日，韩国存储芯片大厂SK海力士在2023财年第三季度财务会议上首次正式对外表示，反对铠侠与西部数据的合并案。SK海力士...……更多
2023-10-28 21:17:00西部数据,力士,韩国,日本,美国,西部
...士还与台积电（TSMC）签署了谅解备忘录（MOU），双方就下一代HBM产品生产和加强整合HBM与逻辑层的先进封装技术密切合作，开发第六代HBM产品，也就是HBM4。虽然距离HBM4投产还有两年的时间，不过SK海力士已经在加速推进第七代H...……更多
2024-05-17 20:43:00力士,开发,力士,产品,技术,人工智能
三星和SK海力士是存储器领域的领导者，位列DRAM行业前两名，都已投入到3DDRAM商业化进程中，希望借此改变存储器行业的游戏规则。排在第三的美光从2019年起就开始了3DDRAM的研究，获得的专利数量是三星和SK海力士的两到三倍...……更多
2024-06-22 23:29:00三星,力士,混合,应用,技术,三星
...s援引业内人士的话称，韩国两大存储巨头三星电子和SK海力士目前的通用DRAM内存产能利用率维持在80~90%水平。韩媒宣称，这一情况同主要企业已实现生产正常化的NAND闪存产业形成鲜明对比：除铠侠外，三星电子和SK海力士也已...……更多
2024-06-19 14:35:00三星电子,三星,力士,运行,电子,三星电子
...1万亿韩元(约合7.04亿欧元)，在韩国建立研究中心，利用下一代极紫外(EUV)光刻机研究超精细芯片制造工艺。这一事件的背景是，尹锡悦从周一起对荷兰进行为期4天的国事访问。根据日程，当地时间周二，尹锡悦将与荷兰国王威...……更多
2023-12-13 11:23:00阿斯,芯片,荷兰,三星,韩国,研究中心
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