- 我的订阅
- 科技
我们正处于一个信息大暴发的时代，每天都能产生数以百万计的新闻资讯！
虽然有大数据推荐，但面对海量数据，通过我们的调研发现，在一个小时的时间里，您通常无法真正有效地获取您感兴趣的资讯！
头条新闻资讯订阅，旨在帮助您收集感兴趣的资讯内容，并且在第一时间通知到您。可以有效节约您获取资讯的时间，避免错过一些关键信息。
SK海力士全球首创321层闪存技术，三星计划超越300层
在最近的新闻发布会上，SK海力士公司向全球宣布了一项创新成果：成功研发出321层堆叠的NAND闪存。这是全球首次突破300层堆叠的大关，对于闪存技术的发展具有重大意义。然而，尽管这一成果在技术上具有突破性，但SK海力士表示，要到2025年上半年才会开始量产这种新型的闪存。
与此同时，三星在近期的一次公告中披露，他们的第9代V-NAND闪存研发进展顺利。据悉，三星的第9代V-NAND闪存将基于双堆栈架构，可达到业界最高的堆叠层数。原本公司规划的层数约为280层，但如今他们已决定将其增加到300层以上。根据三星的预计，他们将在明年初开始量产这种新型的V-NAND闪存。
NAND闪存是现代电子设备中常用的存储介质，从手机、笔记本电脑，到服务器、数据中心，它们的存储单元都离不开NAND闪存。随着技术的发展，NAND闪存的层数不断增加，这意味着在相同的空间内可以存储更多的数据，同时也有助于提高设备的性能和能效。
对于SK海力士和三星这两家全球主要的闪存制造商来说，他们在技术研发上的竞争一直都非常激烈。这次SK海力士的321层NAND闪存和三星的超300层V-NAND闪存的研发，无疑也是这场技术竞赛的一部分。尽管这两家公司在技术研发上持续竞争，但不可否认的是，他们的成果对于整个存储行业，乃至对于所有使用存储设备的消费者来说，都是非常有意义的。
这次SK海力士和三星的新闻发布，不仅展示了他们在闪存技术研发方面的实力，也预示了未来存储技术的发展趋势。可以预见的是，随着技术的不断进步，未来的闪存将会具有更高的存储密度、更快的读写速度和更长的使用寿命。而这些都将直接影响到我们日常使用的电子设备的性能。
事实上，无论是SK海力士还是三星，他们的目标都是为了在未来的存储市场中取得更大的竞争优势。而这次321层和超300层技术的突破，无疑为他们在未来的市场竞争中提供了强大的技术支撑。
总的来说，SK海力士和三星在闪存技术研发方面的成果，不仅代表了他们在技术上的突破，也预示了未来存储行业的发展方向。即向着更高密度、更快速度和更长寿命的方向发展。而这些都将极大地提升我们日常电子设备的使用体验。
最后，无论是SK海力士的321层NAND闪存还是三星的超300层V-NAND闪存，我们都期待着他们在未来能够将这些技术成功应用到商业化产品中，为全球消费者提供更优质的电子设备和服务。
以上内容为资讯信息快照，由td.fyun.cc爬虫进行采集并收录，本站未对信息做任何修改，信息内容不代表本站立场。
快照生成时间：2023-10-23 00:45:03
本站信息快照查询为非营利公共服务，如有侵权请联系我们进行删除。
信息原文地址：
