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SK海力士计划HBM4E加速迭代 周期缩短至一年
伴随着用于人工智能的计算卡以及相关上游半导体需求的大幅度增长，目前各大厂商都在积极研发下一代产品，并且尽可能多地获取产能。在HBM内存领域，此前SK海力士已决定扩充人工智能基础设施的核心产品，即HBM3E等新一代DRAM的生产能力。与此同时，SK海力士还与台积电（TSMC）签署了谅解备忘录（MOU），双方就下一代HBM产品生产和加强整合HBM与逻辑层的先进封装技术密切合作，开发第六代HBM产品，也就是HBM4。
虽然距离HBM4投产还有两年的时间，不过SK海力士已经在加速推进第七代HBM产品的开发工作。据韩媒etnews报道，SK海力士HBM先进技术团队负责人KimKwi-wook在近日举行的“IMW2024”活动上分享了下一代HBM4E产品的发展方向，表示当前HBM技术已达到新的水平，同时代际更迭周期也在加快，此前由HBM到HBM3E之间的迭代周期一直为两年一代，但后续自HBM4开始周期有望提升到一年一代。这意味着我们有望在2026年就迎来第七代HBM4E产品。
行业对于高带宽存储器的高需求迫使SK海力士将HBM项目提速，预计首批12层堆叠的HBM4最快会在明年下半年到来，到2026年还会有16层堆叠的产品，不但会利用MR-MUF技术，同时还会往更为定制化的方向发展，而HBM4E最早会在2026年出现。这是SK海力士首次提及HBM4E，确认了新标准的存在，传闻带宽将是上一代产品的1.4倍。
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快照生成时间：2024-05-19 18:45:01
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