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SK海力士希望进一步提升HBM4E性能：将集成计算和缓存功能
为应对用于人工智能（AI）的半导体需求的大幅度增长，SK海力士与台积电（TSMC）签署了谅解备忘录（MOU），双方就下一代HBM产品生产和加强整合HBM与逻辑层的先进封装技术密切合作，开发第六代HBM产品，也就是HBM4。随后SK海力士HBM先进技术团队负责人确认，将加快HBM代际更迭周期，从HBM3E开始，由以往的两年变成了一年，HBM4E最早会在2026年出现。
据Wccftech报道，为了将HBM4E的性能提升到一个新的水平，SK海力士计划推出一种能够实现计算、缓存和网络内存等多种功能的HBM类型。现阶段这只是一个概念，为了实现这一目标，SK海力士已开始着手半导体设计工作，比如打算将存储控制器安装在HBM结构的基础芯片上。
SK海力士希望通过新计划，为多用途HBM解决方案奠定基础。虽然暂时无法判断这种偏离业界传统的做法会对高性能计算市场产生多大影响，但是性能提升基本是可以确定的。这与HBM技术的封装结构有很大关系，由于采用单一的单元，不仅可以确保更快的信号传输速度，而且结构间隙将大大减少，从而提升功率效率。
现在的HBM市场比以往任何时候都要激烈，SK海力士面临着更大的竞争压力。与台积电的结盟大大增强了SK海力士在HBM产品上的开发实力，最大限度地确保领先于三星和美光等竞争对手，并推动着HBM产业的持续创新。
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快照生成时间：2024-06-04 15:45:02
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