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SK海力士宣布,公司成功开发出全球当前速度最快的移动DRAM(内存)“LPDDR5T(LowPowerDoubleDataRate5Turbo)”,并已向客户提供了样品。
SK海力士在去年11月推出了移动DRAMLPDDR5X,现在将其性能提升成功开发出了LPDDR5T。本次产品的速度比现有产品快13%,运行速度高达9.6Gbps(Gb/s)。命名规格名称“LPDDR5”加以“Turbo”后缀显示更强性能。LPDDR5X速度为8.5Gbps。
同时,LPDDR5T在国际半导体标准化组织(JEDEC)规定的最低电压1.01~1.12V(伏特)下运行。本次产品兼具高速度和低功耗的特性。
公司近期向客户提供了将LPDDR5T芯片组合为16GB(千兆)容量的封装样品。SK海力士称,该样品的数据处理速度可达每秒77GB,相当于每秒处理15部全高清(Full-HD)电影。
了解到,SK海力士计划采用第4代10纳米级(1a)精细工艺,将于今年下半年推进本次产品的量产。
另外,SK海力士在本次产品中也采用了“HKMG(High-KMetalGate)”工艺,实现最佳性能表现,公司预计在下一代LPDDR6问世之前,大幅拉开技术差距的LPDDR5T将主导该市场。
SK海力士期待LPDDR5T的应用范围不仅限于智能手机,还将扩展到人工智能(AI)、机器学习(MachineLearning)、增强/虚拟现实(AR/VR)等。下面是百科小知识
LPDDR(低功耗双倍数据速率):是用于智能手机和平板电脑等移动端产品的DRAM规格,因以耗电量最小化为目的,具有低电压运行特征。规格名称附有“LP(LowPower,低功耗)”,最新规格为第七代LPDDR(5X),按1-2-3-4-4X-5-5X的顺序开发而成。LPDDR5T是SK海力士业界首次开发的产品,是第八代LPDDR6正式问世之前,将第七代LPDDR(5X)性能进一步升级的产品。
HKMG(High-KMetalGate):在DRAM晶体管内的绝缘膜上采用高K栅电介质,在防止漏电的同时还可改善电容(Capacitance)的新一代工艺。不仅可以提高内存速度,还可降低功耗。SK海力士去年11月在移动DRAM上全球首次采用了HKMG工艺。
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快照生成时间:2023-01-26 18:45:16
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