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...》报道，瑞士洛桑联邦理工学院研究人员提出了一种基于二硫化钼的内存处理器，专用于数据处理中的基本运算之一：向量矩阵乘法。这种操作在数字信号处理和人工智能模型的实现中无处不在，其效率的提高可为整个信息通信...……更多
2023-11-14 01:26:00二维,晶体管,晶体,半导体,二硫化钼,晶体管
...。研究人员利用每一层都包含超过10000个由单原子厚度的二硫化钼（MoS2）薄片制成的晶体管，并在将MoS2薄膜转移到晶圆之前分别生长了这些薄膜，这一过程不需要高温，为摩尔定律的发展提供了新的思路。图1. 用二维材料制备...……更多
2024-01-17 10:42:00二维,三维,晶体管,晶体,效应,摩尔
...半金属与二维半导体界面的轨道杂化，将单层二维半导体二硫化钼（MoS2）的接触电阻降低至42欧姆微米，超越了以化学键结合的硅基晶体管接触电阻，并接近理论量子极限。该成果突破了二维半导体应用于高性能集成电路的关键...……更多
2023-01-16 07:15:00二维,欧姆,半导体,科学家,难题,接触
...统，并在单晶蓝宝石衬底上外延生长了8英寸高定向单层二硫化钼晶圆。相关成果发表于《先进材料》。以单层二硫化钼为代表的二维半导体具有极限物理厚度、原子级平整表面及优异的电学性能，被认为是后摩尔时代突破亚纳...……更多
2024-05-17 07:10:00晶圆,二硫化钼,单层,外延,研究人员,突破
...后摩尔时代”集成电路性能。作为一种二维半导体材料，二硫化钼凭借多种优点成为解决硅基器件微缩瓶颈、以及构筑集成度更高、速度更快、功耗更低的下一代新型芯片的理想材料。为了实现二维半导体全部潜力及其在高性能...……更多
2024-04-08 10:17:00亚纳,二硫化钼,单晶,薄膜,科学家,芯片
...从什么路径走，电流强度、电压的压降如何。右边图中的二硫化钼（MoS2），即是一种过渡金属硫化物，可以形成薄片状的结构。在探索能效存储新可能方面，英特尔在去年IEDM期间发表了在300mm硅制程上制造硅基氮化镓的晶体管...……更多
2022-12-17 01:00晶体管,晶体,芯片,关键,技术
...所以缺陷更加不会聚集，也不会产生铁电疲劳。基于双层二硫化钼滑移铁电材料制备的场效应晶体管器件。中国科学院宁波材料所供图以双层二硫化钼二维材料为代表，该研究团队通过化学气相输送(CVT)法制备了双层二硫化钼铁...……更多
2024-06-07 17:03:00铁电,科研机构,中国,疲劳,科研,机构
...们得到了高迁移率、高开态电流和开关比、低回滞的 p 型晶体管，推动了二维半导体电子器件的应用发展。这种不破坏沟道材料的简单掺杂方法，通过范德瓦尔斯界面耦合的方式，来调控二维半导体沟道的载流子极性。利用这一...……更多
2024-05-31 14:21:00二维,范式,维度,晶体管,量子,攻关
...并演示了所生长的石墨烯纳米带可用于构建高性能场效应晶体管器件。论文共同第一作者为上海交通大学物理与天文学院吕博赛、陈佳俊、娄硕、沈沛约、谢京旭，武汉大学王森和韩国蔚山国立科学技术学院的邱璐和伊扎克-米...……更多
2024-04-06 21:12:00上海交大,石墨,交大,超高,上海,纳米
...要了解普通芯片的基本结构。普通芯片由数以亿计的微小晶体管组成，每个晶体管都可以控制和传输电流。这些晶体管互相连接形成一个庞大的网络，使得芯片能够进行复杂的信息处理和存储。当电流通过晶体管时，它将被传输...……更多
2024-01-30 11:13:00芯片,背后,秘密,芯片,晶圆,晶体管
...积电董事长刘德音联合撰写题为《我们如何实现1万亿个晶体管GPU》的文章。刘德音在文中预测，半导体技术的突破给AI技术带来重要贡献。在未来10年，GPU集成的晶体管数将达到1万亿。而且，GPU能效性能每2年提高3倍，未来15年...……更多
2024-03-31 04:00:00估值,美金,要闻,芯片,高达,性能
...进展。通过设计-工艺协同优化（DTCO），开发出空气隔墙晶体管结构，大幅降低寄生电容，在国际上首次实现了GHz频率的二维半导体环形振荡器电路，比原有记录提升200倍，并预测了二维半导体应用于1nm节点集成电路的潜力与技...……更多
2023-11-05 01:06:00二维,集成电路,半导体,电路,团队,国际
...过半导体制程与工艺、先进封装等技术共同延续单位面积晶体管倍增的增长曲线。首个EUV节点Intel 4将于2023年下半年按计划推出，比Intel 7每瓦性能将提高约20%；Intel 3预计将于2023年下半年投产，比Intel 4每瓦性能将提高约18%；Intel ...……更多
2023-11-06 14:43:00晶体管,晶体,半导体,业内,目标,英特
...些突破旨在推进摩尔定律，并展现出该公司在全环绕栅极晶体管领域的领先地位。首先，Intel展示了一种称为3D堆叠CMOS晶体管的新型技术。这种晶体管结合了垂直堆叠互补场效应晶体管(CFET)和直接背面触点(direct backside contact)，并...……更多
2023-12-11 16:02:00氮化镓,晶体管,晶体,全新,晶体管,晶体
...电压或电流控制另一个端口电压或电流的半导体器件——晶体管。将晶体管与电阻、电容以及其他无源器件的元件相互连接，就形成了一个集成电路。而芯片的本质是在半导体衬底上（也称作“晶圆”）制作能实现一系列特定功...……更多
2023-11-23 11:58:00半导体,下一代,芯片,必然,方向,材料
...出更先进的N2系列工艺。这一系列工艺将集成超过1000亿个晶体管，并通过CoWoS、InFO和SoIC等多种封装技术实现。此外，台积电还计划使用EUV光刻、金属氧化物ESL等新材料和新技术。更令人期待的是，台积电还规划了1.4nm级别的A14和...……更多
2023-12-28 18:02:00晶体管,晶体,封装,晶体管,晶体,工艺
...工业硅片上长出“完美”二维超薄材料可用于制造下一代晶体管和电子薄膜科技日报北京1月18日电 （实习记者张佳欣）据发表在最新一期《自然》杂志上的论文，美国麻省理工学院工程师开发出一种“非外延单晶生长”方法，...……更多
2023-01-19 04:06:00二维,长出,硅片,超薄,材料,工业
本文转自：科技日报固态热晶体管超高速精确控制热量开辟计算机芯片热管理新领域固态热晶体管通过电场控制热运动。图片来源：胡永杰实验室/加州大学洛杉矶分校科技日报讯 （记者张梦然）美国加州大学洛杉矶分校研究人...……更多
2023-11-06 03:06:00固态热晶体管超高速精确控制热量
...的六方碳化硅（4H-SiC），有望制备出更高性能的碳化硅基晶体管。这是国际首次获得可量产、可商业化的晶圆级立方碳化硅单晶生长技术。近期，陈小龙获评2023年中国科学院年度创新人物。“另辟蹊径”获取新突破作为第三代...……更多
2024-02-05 07:21:00碳化硅,余年,国产,碳化硅,晶体,小龙
...推进摩尔定律，在2030年前实现在单个封装内集成1万亿个晶体管。·包括PowerVia背面供电技术、用于先进封装的玻璃基板和Foveros Direct技术预计将在2030年前投产。12月9日，英特尔在IEDM 2023（2023 IEEE 国际电子器件会议）上展示了使...……更多
2023-12-11 09:31:00英特,摩尔,英特尔,定律,瓶颈,供电
...。英特尔正为其未来芯片寻找新的开发路线，包括3D堆叠晶体管以实现更高密度、扩展背面供电以及使用氮化稼来实现更高的传输功率等。总部位于圣克拉拉的芯片巨头将在本周于旧金山召开的第69届IEEE国际电子器件年会（IEDM）...……更多
2023-12-13 10:23:00英特,英特尔,晶体管,晶体,新工艺,供电
...re云计算平台上的人工智能和通用工作负载，拥有1050亿个晶体管，基于台积电5纳米工艺打造，并专为大语言模型设计。而AzureCobalt100则是一款基于Arm架构的128核CPU，适用于执行常规计算任务，如为微软Teams提供动力。微软解释称...……更多
2023-11-16 20:10:00晶体管,微软,晶体,专为,芯片,模型
...多功能石墨烯纳米电子的传感器，由于集成了单层石墨烯晶体管，因此可以跟踪心脏微组织的激发-收缩过程。图 | 高洪岩（来源：高洪岩）在这款设备之中，石墨烯充当着晶体管的作用，即利用石墨烯的场效应和压阻效应，可...……更多
2024-04-13 11:25:00麻省,网格,心脏,团队,生物,工具
...20-200nm 级别，未来有望用于创建基于纳米天线的光学纳米晶体管、存储器和可编程逻辑器件等。据了解，作为一种强大的工具，电场一直被纳米芯片所用，并促进了光电纳米探测器件的发展。尽管通过外部电路针对微纳结构施加...……更多
2024-02-19 10:06:00纳米,晶体管,晶体,天线,光学,科学家
...线移动，因此通过相同距离的速度要快得多。计算机芯片晶体管中使用的硅半导体依靠电子流来传输数据，但这些粒子往往会疯狂地散射，也就是以热量的形式浪费能量，并减慢数据从A到B的时间。如果用这种新材料制造一个使...……更多
2023-10-30 07:07:00半导体,芯片,速度,计算机,新材,速度
...。据BusinessKorea报道，三星Foundry正致力于下一代环绕栅极晶体管(GAA)技术的研发，该技术将用于其2nm制程工艺，基于该技术的2nm半导体芯片计划于明年量产。此外，三星将在6月16日至20日于美国夏威夷举行的VLSI研讨会上展示用于2n...……更多
2024-05-01 10:05:00制程,三星,芯片,先进,三星,制程
...在三星的规划中，HBM4将有两个发展方向，使用更先进的晶体管工艺和更高级的封装技术。工艺方面，三星计划在HBM上放弃传统的平面晶体管，改用FinFET立体晶体管，从而降低所需的驱动电流，改善能效。FinFET立体晶体管技术是In...……更多
2023-10-22 22:20:00三星,内存,工艺,学习,晶体管,三星
...同步调控晶体的成核和生长过程，攻关钙钛矿晶片与薄膜晶体管的直接耦联工艺，开发动态高分辨成像技术，为钙钛矿晶片的辐射探测应用落地铺平道路。研究团队在工作中。 华东理工大学供图 ……更多
2024-04-03 00:38:00华理,晶体,成果,团队,自然,通讯
...费电子设备更容易获得先进的AI功能。不同于处理器中的晶体管，塞姆龙的芯片使用电场而不是电流。这些由传统半导体材料制成的忆容器可存储能量并控制电场，不仅提高了能源效率，还降低了制造成本，使消费电子产品更容...……更多
2024-02-04 07:45:00电场,晶体管,晶体,电流,容器,芯片
...仅体现在工艺节点的推进，更在于其对多桥-通道场效应晶体管(MBCFET)架构的深度优化。这种架构通过采用先进的外延技术和集成方案，相较于传统的FinFET结构，实现了11%至46%的晶体管性能跃升，同时降低了26%的性能波动和大约50%...……更多
2024-06-17 23:15:00三星,芯片,三星,技术,晶体管,节点
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