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3nm竞争加剧!台积电基本碾压,三星亮出大招
...制造先进制程的竞争已进行到了3nm,但似乎只有台积电和三星两家在竞争。英特尔7nm掉队后,虽然重启代工业务,制定了技术追赶计划,但还未见效。之前,还有中芯国际计划进行7nm风险量产,但被美限制先进制程后,再无相关...……更多
三星电子开发出透光率达88%的euv薄膜
...ech等后来居上者也是主要供应商之一。韩媒ETNews报道称,三星电子已经自主开发出了透光率高达88%的EUV薄膜,有助于实现供应链多元化和稳定。据证实,这款透光率88%的EUV薄膜产品已经可以大规模生产。获悉,三星电子在去年的...……更多
SpaceX火箭创重复使用新纪录;三星推迟得州晶圆厂量产时间
...,也是他对微软和其他科技公司的一种鼓励和期待。NO.4 三星推迟得州晶圆厂量产时间据报道,三星晶圆代工业务总裁ChoiSiyoung在2023年国际电子设备会议上表示,把美国得克萨斯州Taylor新工厂的量产时间从2024年推迟到了2025年。Ch...……更多
三星和英特尔在2nm工艺上激烈竞争!追赶台积电
...球晶圆代工龙头企业中国台湾台积电(行业第一)、韩国三星电子(第二)和重新进入晶圆代工市场的美国英特尔,都在加速开发先进的2nm工艺。目前,最先进的量产技术是三星电子和台积电生产的3nm工艺。三星于去年6月开始...……更多
三星将推出先进的 3D AI 芯片封装技术 SAINT 与台积电竞争
站长之家(ChinaZ.com) 消息:三星电子计划于明年推出一项先进的三维(3D)芯片封装技术,以与代工龙头台积电(TSMC)展开竞争。总部位于韩国水原市的这家芯片制造商将使用该技术——SAINT(Samsung Advanced Interconnection Technology,三...……更多
骁龙8 Gen5处理器不用抽奖了,只因三星3nm良品率过低!
...的市场中有消息称骁龙8 Gen5处理器的时候会采用台积电和三星工艺,然后用户选择会进行“抽奖”。因为三星的3nm GAA工艺是该公司最先进的芯片制造技术,采用了门全包裹(Gate-All-Around)的晶体管结构,相比传统的FinFET结构,...……更多
三星3nm良率翻至3倍!仍落后于台积电
2024-03-25 16:28:31 作者:姚立伟三星电子的3纳米Gate-All-Around(GAA)工艺的良率已经实现了显著的提升,从先前的10%至20%上升至30%至60%之间。然而,这仍然落后于竞争对手台积电。台积电计划在今年内将3纳米晶圆的产量扩大到每月...……更多
三星计划增加人工智能半导体、汽车等领域的客户
近日在投资者谈论上,三星称其代工部门计划通过增加人工智能半导体和汽车等领域的客户,摆脱过往过于依赖移动领域的做法,以实现销售结构的多样化。据了解,三星代工今年移动、高性能计算和汽车的销售占比分别为54%...……更多
英特尔3nm,加入战局
...14nm苦苦挣扎几年之后,英特尔将在今年进一步拉近和和三星的差距,其IDM 2.0战略,也使得他们成为了3nm代工的一个重要玩家。三星台积电先后跨入和5nm一样,三星和都率先进入了3nm时代。在2022年六月份,韩国巨头三星宣布,公...……更多
NAND闪存市场呈现复苏迹象,未来格局或生变
...闪存作为两大存储器产品之一,正在经历新一轮的变化。三星在去年进行了多次减产,不过随着市场回暖,已开始大幅度提高产能利用率,同时抬升价格,继续主导市场。其位于西安的工厂的开工率已从去年下半年最低的20-30%提...……更多
三星电子在泰勒建设半导体工厂
4月30日消息,三星电子代表在今日举行的一季度财报电话会议上接受分析师提问时表示,其位于美国得克萨斯州泰勒市的晶圆厂有望于2026年启动大规模量产。这位高管代表表示,三星电子作出在泰勒建设半导体工厂项目这一决...……更多
消息称三星电子计划从下月起大幅提高 NAND 闪存价格
据韩媒BusinessKorea近日报道,三星计划自今年四季度起调涨其NANDFlash产品的合约价格,涨幅预计超过10%。此举预计最快将在本月新的合约中采用新价格。三星一直奉行减产战略,以降低供应量并提高产品价格来寻求反转,期望明...……更多
抢光刻机、截客户,三大芯片巨头缠斗2nm丨知料
...厂未来一个月将能生产3万片2nm芯片。不仅仅是台积电,三星和英特尔在2nm以下制程的战火早就开始烧起。分别在今年的6月、10 月,三星先后透露了其先进制程芯片未来的规划—— 2nm芯片计划在2025年量产之后,2026年即扩展到HPC(...……更多
三星正在讨论为高通和lsi部门生产原型产品
2月24日消息,根据韩媒Sedaily报道,三星正向2纳米工艺大步迈进,已讨论为高通和三星的LSI部门生产原型产品,表明一款未命名的Exynos可能正处于早期测试阶段。消息称三星晶圆代工厂(SamsungFoundry)正在开发一种非常先进的SF2G...……更多
三星未来可能在其智能手机中采用更多索尼的相机传感器
据韩国科技媒体报道,三星未来可能在其智能手机中采用更多索尼的相机传感器。这一举措有望扩大和加强对三星的传感器供应。有消息称,索尼已经与其韩国后端代工合作伙伴商讨了封装和测试工序。相机图像传感器芯片晶...……更多
三星电子在背面供电网络测试中取得了令人满意的结果
三星电子在背面供电网络(BSPDN)芯片测试中取得了令人满意的结果,这使得其有望提前引入未来制程节点。传统的芯片制造采用自下而上的方式,先制造晶体管再建立用于互连和供电的线路层。然而,随着工艺的进步,这种供...……更多
倒逼国产全面涨价!存储大厂们拖延供货 加快闪存晶圆涨价
...512Gb现货价单月调涨约2成,站上2.6美元。从今年9月起,三星已将NANDFlash快闪存储的减产幅度扩大到总产能的50%,主要集中在128层堆叠以下的产品上,目的是要加速去库存,同时稳定NANDFlash快闪存储的价格。在这之前,美光和SK海...……更多
科技财报观丨三星第三季经营利润同比下滑77.6%,预计存储需求改善将延续至2024年
...报道记者骆轶琪 广州报道作为上游存储原厂龙头企业,三星的一举一动都对产业链带来影响。此前三星选择不再延续惯例逆势扩张,转而选择减产,存储产业随之加快了清库存速度。后续产业链端反馈三星有涨价意图,随即拉...……更多
英特尔独中200亿美元“大礼包” 台积电和三星仍看菜下碟?
...政府和硅谷巨头们分摊掉未来的不确定性风险。台积电和三星“等米下锅”相比得意的英特尔,失意的可能是台积电、三星——低眉顺眼到美国建厂,补贴的拨款却迟迟不到位。毕竟,英特尔的雄心壮志与美国推动先进制造回流...……更多
继台积电后,三星电子也推迟美国工厂量产计划至2025年
...,台积电亚利桑那州新工厂计划投产时间推迟到2025年。三星电子在得克萨斯州的芯片新工厂也推迟了大规模生产计划至2025年。·这两家芯片制造商在美国运营的工厂出现任何延误,都将让美国总统拜登提高美国本土芯片生产的...……更多
三星芯片制造滑铁卢,台积电将独家代工高通骁龙8 Gen4
近日,据相关媒体报道,由于三星3纳米GAA制程技术晶圆良率仍不理想,高通骁龙8Gen4将改由台积电独家代工。这一消息对于三星来说无疑是一个打击,因为高通是全球最大的移动设备芯片供应商之一,而三星一直试图在半导体...……更多
三星电子对在美泰勒晶圆厂建设投资高达47亿美元
3月7日消息,据韩媒etnews报道,三星电子去年对在美泰勒晶圆厂建设投资高达47亿美元(IT之家备注:当前约338.4亿元人民币),恐影响整体规划。三星电子泰勒晶圆厂项目始于2022年上半年,将于今年年底完成,可生产4nm半导体...……更多
传言称三星4nm节点将用于低端ryzenapu
据报道,AMD将利用三星的4nm工艺节点开发低端APU和RadeonGPU。该传言来自@Tech_Reve,他表示AMD预计将利用三星的4nm节点为其部分客户端产品提供制造支持,包括RyzenAPU和RadeonGPU。@Tech_Reve援引\"可靠消息来源\"称,预计AMD未来将更多地...……更多
三星准备推出第9代v-nand闪存
据韩国出版物《Hankyung》报道,三星准备在下个月推出第9代V-NAND(3DNAND闪存),预计将提供290层结构,比该公司于2022年首次推出的236层第八代V-NAND有进一步的提高。据报道,三星是通过改进闪存层堆叠技术实现290层垂直堆叠密...……更多
韩国经济日报:三星电子或缩减晶圆代工投资
...脚步正在逐渐放缓。韩国经济日报表示,存储芯片制造商三星电子可能缩减晶圆代工投资以应对行业低迷。据介绍,尽管三星维持中长期的扩大投资立场不变,但将灵活调整近期投资规模。实际上,直到2022年的最后几个月,三...……更多
三星电子将美国泰勒新晶圆厂的量产时间推迟至2025年
12 月 26 日消息,据 Businesskorea 报道,三星电子将位于美国得克萨斯州泰勒的新半导体工厂的量产启动时间推迟到了 2025 年,而最初目标是明年开始量产。推迟的原因据推测与美国政府补贴和各种许可证复杂性问题有关,经济复...……更多
美国芯片制造业支棱不起来,全怪一张膜?
...,其他企业像是英伟达、 AMD 啥的,几乎都在向台积电、三星等讨饭吃。昔日的半导体摇篮,制造业务一丢再丢,背后的原因是啥,这些年也被大伙们分析烂了。主流的观点基本就是美苏冷战期间,美国为了扶持东亚几个国家和...……更多
...0~5% 。NAND Flash均价跌幅收敛至3~8%。跌幅的收敛得益于三星、美光科技、SK海力士、西部数据、铠侠等一众厂商的减产策略。如今存储市场的供需关系正在加速回归平衡。三井住友信托银行的山上隼人以三星电子、SK海力士、美...……更多
三星发布首款12层堆叠hbm3e12h
2月27日消息,三星电子今日官宣发布其首款12层堆叠HBM3EDRAM—— HBM3E12H,这是三星目前为止容量最大的HBM产品。三星HBM3E12H支持全天候最高带宽达1280GB/s,产品容量也达到了36GB。相比三星8层堆叠的HBM38H,HBM3E12H在带宽和容量上提...……更多
消息称三星 Exynos 2400 将采用FOWLP封装工艺
11月15日消息,根据韩媒EDaily报道,三星公司已经完成了扇出晶圆级封装(FOWLP)工艺的验证,并已经开始向客户交付产品,而首款采用该封装工艺的芯片,会是明年搭载在GalaxyS24/S24+手机中的Exynos2400芯片。IT之家今年4月就曾报...……更多
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