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2月27日消息,三星电子今日官宣发布其首款12层堆叠HBM3EDRAM—— HBM3E12H,这是三星目前为止容量最大的HBM产品。
三星HBM3E12H支持全天候最高带宽达1280GB/s,产品容量也达到了36GB。相比三星8层堆叠的HBM38H,HBM3E12H在带宽和容量上提升超过50%。
“当前行业的人工智能服务供应商越来越需要更高容量的HBM,而我们的新产品HBM3E12H正是为了满足这种需求而设计的,”三星电子存储器产品企划团队执行副总裁YongcheolBae表示,“这一新的存储解决方案是我们研发多层堆叠HBM核心技术以及在人工智能时代为高容量HBM市场提供技术领导力而努力的一部分。”
据介绍,HBM3E12H采用了热压非导电薄膜(TCNCF)技术,使得12层和8层堆叠产品的高度保持一致,以满足当前HBM封装的要求。因为行业正在寻找缓解薄片带来的芯片弯曲问题,这项技术将在更高的堆叠中带来更多益处。三星一直在努力降低其非导电薄膜(NCF)材料的厚度,并实现芯片之间的间隙最小化至7微米(µm),同时消除了层与层之间的空隙。这些努力使其HBM3E12H产品的垂直密度比其HBM38H产品提高了20%以上。
三星的热压非导电薄膜(TCNCF)技术还通过允许在芯片之间使用不同尺寸的凸块(bump)改善HBM的热性能。在芯片键合(chipbonding)过程中,较小凸块用于信号传输区域,而较大凸块则放置在需要散热的区域。这种方法有助于提高产品的良率。
三星电子表示,相比HBM38H,HBM3E12H搭载于人工智能应用后,预计人工智能训练平均速度可提升34%,同时推理服务用户数量也可增加超过11.5倍。
从官方新闻稿获悉,三星已开始向客户提供HBM3E12H样品,预计于今年下半年开始大规模量产。
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快照生成时间:2024-02-28 08:45:09
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