- 我的订阅
- 科技
我们正处于一个信息大暴发的时代，每天都能产生数以百万计的新闻资讯！
虽然有大数据推荐，但面对海量数据，通过我们的调研发现，在一个小时的时间里，您通常无法真正有效地获取您感兴趣的资讯！
头条新闻资讯订阅，旨在帮助您收集感兴趣的资讯内容，并且在第一时间通知到您。可以有效节约您获取资讯的时间，避免错过一些关键信息。
三星电子推出32Gb DDR5 DRAM，采用纳米工艺技术
三星电子今日宣布推出其最新的32GbDDR5DRAM，这款DRAM依旧采用了三星12纳米工艺技术，它不仅能提供业界最高的单颗DRAM芯片容量，还在相同封装尺寸下实现了双倍于16GbDDR5DRAM的容量。这一创新使得无需使用硅通孔（TSV）工艺即可生产128GBDRAM模块，同时与16GbDRAM模块相比，功耗降低了约10%。
三星电子的DRAM产品与技术执行副总裁SangJoonHwang表示：“凭借我们的12纳米级32GbDRAM，我们获得了一种能够实现高达1TBDRAM模块的解决方案，使我们能够满足人工智能时代对大容量DRAM不断增长的需求。我们将继续通过差异化的工艺和设计技术开发DRAM解决方案，打破内存技术的界限。”
以12纳米级32GbDDR5DRAM为基础，三星计划继续扩大其高容量DRAM产品阵容，以满足计算和IT行业当前和未来的需求。三星将通过向数据中心以及需要人工智能和下一代计算等应用的客户提供12纳米级32GbDRAM，重申其在下一代DRAM市场的领导地位。该产品还将在三星与其他主要行业参与者的持续合作中发挥重要作用。
以上内容为资讯信息快照，由td.fyun.cc爬虫进行采集并收录，本站未对信息做任何修改，信息内容不代表本站立场。
快照生成时间：2023-09-01 18:45:06
本站信息快照查询为非营利公共服务，如有侵权请联系我们进行删除。
信息原文地址：
