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三星在最新的储存技术日活动中向公众展示了多项新产品,其中包括一款名为“Shinebolt”的下一代HBM3EDRAM,这款产品可以满足下一代AI数据中心应用的需求。三星表示,“Shinebolt”HBM3EDRAM每个引脚速度可达9.8Gbps,其传输速率可...……更多
三星计划明年第一季度推出512gb和256gb容量产品
三星正在研发CMM-H混合存储CXL模块。这个模组同时包含DRAM内存和NAND闪存。CXL是一种新型的高速互联技术,具有更高的数据传输量和更低的延迟,可以在CPU和外部设备之间建立高效的连接。根据三星提供的图示,该模组可以通过C...……更多
三星自研AI大语言模型 将应用于下一代智能手机
...的突破和应用已经深入影响到人们的工作和生活。2023年三星人工智能论坛上,三星官方正式公布了其自研的生成式人工智能产品Gauss(高斯)。三星以科技创新优势为人工智能大语言模型领域的发展注入新的活力。2023三星人工...……更多
三星展示 GDDR7 显存:待机功耗比 GDDR6 低50%
10月21日消息,三星于2022年10月正式发布GDDR7显存,时隔1年,三星在圣何塞举办的存储技术日上,再次更新介绍了GDDR7显存。三星在新闻稿中表示,在过去1年中不断改善GDDR7显存的动态功耗,而且通过额外的时钟控制,待机功耗...……更多
从进博会看三星,未来科技的探寻从未停止
...上海国家会展中心举办。作为全球领先的跨国科技企业,三星连续六年参展,秉承以科技创新引领产业发展的理念,不断推动自身及行业进步。今年三星展台非常重要的主轴,是“多元”和“互通互联”,不仅展示了多领域的核...……更多
三星gddr7内存首次亮相
三星在最新的GTC活动中,展示了专为下一代游戏GPU设计的高性能GDDR7内存。这是这款新型内存模块首次亮相,每个模块容量为2GB,预设速度达到了32Gbps(PAM3),但也可以选择降至28Gbps以提高产量和初期整体性能,并降低成本。...……更多
HBM内存行业引领者:SK海力士市值首次突破千亿美元!
...下存储厂商的竞争焦点。而全球存储器供应由SK海力士、三星和美光三大存储巨头主导,其中,SK海力士以53%的市场份额占据绝对领导地位。HBM通过垂直连接多个DRAM,可显著提升数据处理速度,实现小体积、高带宽和高速传输,...……更多
三星正在开发一种新型存储产品
...智能(AI)相关软硬件激增,为了应对超大规模的市场,三星正在向市场推出基于特定应用要求的存储组合产品,包括DDR5、HBM类产品、CXL内存模块等,为各种人工智能技术提供动力。近日,三星官方介绍了旗下存储产品的开发和...……更多
三星将展示gddr7技术
...界和企业界公认的集成电路设计领域最高级别会议,届时三星将展示其GDDR7技术,主题是“具有PAM3优化TRX均衡和ZQ校准的16Gb37Gb/sGDDR7DRAM”。GDDR7将采用PAM3编码,介于PAM4和NRZ之间,相比NRZ实现了更高的周期数据传输速率,同时降...……更多
三星公布车规产品路线图:明年推出LPDDR5X内存芯片和可插拔车用SSD固态硬盘 【三星公布车规产品路线图:明年推出LPDDR5X内存芯片和可插拔车用SSD固态硬盘】财联社11月25日电,近日,三星在中国香港举行的“2023年投资者论坛”...……更多
三星推出新型存储器LLW DRAM,为人工智能市场注入新动力
...对于内存性能的需求也在不断提升。为了满足这一需求,三星电子正在积极研发并推出一种基于特定应用要求的新型存储组合产品——LLWDRAM。这种内存技术融合了高带宽、低延迟和低功耗的三大特性,旨在为运行大型语言模型...……更多
单卡轻松216GB!三星宣布下一代HBM3E高带宽内存
在加州圣何塞举办的年度存储技术大会上,三星披露了下一代HBM3E的情况,相比现有HBM3在容量、频率、带宽方面都有了巨大的提升。三星HBM3E内存采用基于EUV极紫外光刻工艺的第四代10nm级工艺制造,确切地说是14nm。单Die容量可...……更多
英伟达将购买12层HBM3E内存,由三星电子独家供货
...达最快将从9月开始大量购买12层HBM3E内存,这些内存将由三星电子独家供货。在GTC2024上,黄仁勋曾在三星电子的12层HBM3E实物产品上留下了\"黄仁勋认证(JENSENAPPROVED)\"的签名。而SK海力士因部分工程问题,未能推出12层HBM3E产品...……更多
三星GDDR7显存新能创新高
三星在存储技术日上再次更新了其GDDR7显存的技术信息。自从三星于2022年10月正式发布GDDR7显存以来,这一技术在业内引起了广泛的关注。此次三星的更新,带来了关于该技术更多的细节和改进。首先,三星在改善GDDR7显存的动...……更多
三星、sk海力士推进移动dram堆叠封装技术应用
4月9日消息,据韩媒ETNews报道,三星电子和SK海力士都在推进移动DRAM堆叠封装技术的应用,该技术可提高移动设备的内存带宽。端侧AI是目前智能手机、笔记本等产品市场的热门话题,而实现端侧运行模型需要更强大的移动DRAM性...……更多
三星HBM4计划2025年首次亮相
...长,各大厂商也加大了这方面的投入。目前HBM市场主要由三星、SK海力士和美光三家存储器制造商占有,根据统计机构的数据,SK海力士占据了50%的市场份额,三星以40%紧随其后,剩下的10%属于美光。今天三星发表了一篇采访文...……更多
三星正研发一种新型内存,名为 LLW DRAM
1月10日消息,三星近日透露正积极研发一种新型内存,名为LLWDRAM,意为低延迟宽I/O(LowLatencyWideI/O)DRAM。据称,这种内存将带来超高带宽、低延迟和超低功耗的完美结合。三星表示,LLWDRAM特别适用于需要在设备上运行大型语言模...……更多
韩国人,卡住了英伟达的脖子?
...韩国人能量产。 根据 Trendforce 数据,韩国的 SK 海力士和三星,他俩在 2023 年拿捏了全球 90% 的 HBM 内存产能。而两年市面上的 AI 芯片,什么 A100 A800 们,反正你能想到的,基本就没谁能离开 HBM 内存。所以,就在老黄的英伟达市...……更多
韩国将HBM内存上升为国家战略!三星等可享40%税收减免
...国将把高带宽内存(HBM)技术指定为国家战略技术,并向三星电子和SK海力士等开发该技术的企业提供税收优惠。报道称,这一决定是2023年底在国会通过的,税法修正案后的执行令草案的一部分。最主要的变化就是,扩大了有资...……更多
三星交付HBM3E内存样品:秒传百部电影
10月18日消息,根据韩国媒体今天的报道,三星已经确认将其第5带HBM3E产品命名为“Shinebolt”。随着三星加快对HBM3E的开发和营销,其有望追上SK海力士在该领域的步伐。HBM属于垂直连接多个DRAM,与DRAM相比显著提升数据处理速度...……更多
英伟达赚疯背后,三家存储芯片公司的一场「All in」丨焦点分析
...已经被预定一空,目前正在为明年做准备。到了2月27日,三星也迫不及待拿出有史以来最大容量的HBM产品——首款12层堆叠的HBM3E,容量达到了36GB。作为一种全新的内存芯片,HBM不仅内存带宽更大,还能搭配在GPU和CPU上使用,适...……更多
lpddr6内存标准定稿完成:第三季度正式发布
...将会首发采用新一代LPDDR6内存,容量更大,带宽更高,由三星供货。2024年也被很多人称为AI手机元年,各种端侧AI应用也对手机内存的速度有了更高的要求,而LPDDR6的高速度和低功耗特性,也就成为了AI应用的最佳选择。而且就...……更多
三星展望HBM4内存:工艺学习Intel 22nm
...内存可以做到单颗芯片36GB、等效频率9.8GHz的世界领先,三星还展望了真正全新一代HBM4内存的方向。在三星的规划中,HBM4将有两个发展方向,使用更先进的晶体管工艺和更高级的封装技术。工艺方面,三星计划在HBM上放弃传统的...……更多
存储市场“供销两旺”原厂业绩好转,AI对存储应用市场提出要求
...周期,包括存储原厂在内的产业链企业都遭遇重创,最终三星、SK海力士、美光科技、西部数据和铠侠等厂商纷纷宣布减少产能,并降低关于存储业务的资本性支出。不约而同的减产计划,促使存储周期提前进入复苏阶段。“去...……更多
三星计划推出Mach-1:轻量级AI芯片,搭配LPDDR内存
三星电子DS部门负责人庆桂显(KyeHyunKyung)在第55届股东大会上宣布,将于2025年初推出人工智能(AI)芯片Mach-1,正式进军AI芯片市场。三星希望,能够在快速增长的人工智能硬件领域与其他公司进行竞争,比如英伟达。据SeDaily...……更多
三星发布全球首款36gb超大容量hbm3e
3月7日消息,三星日前宣布了全球首款36GB超大容量的新一代高带宽内存HBM3E,而在3月19日凌晨开幕的NVIDIAGTC2024技术大会上,三星将首次进行公开展示。三星HBM3E采用了24Gb颗粒、12层堆叠(12H),从而将单颗容量做到史无前例的36GB,...……更多
行业研究:AI芯片加速HBM发展 产业链获高度关注
...研究显示,2022年三大原厂HBM市占率分别为SK海力士占50%、三星约40%、美光约占10%。美光、三星、SK海力士三大HBM巨头纷纷提出扩产。三星、SK海力士拟将HBM产量提高至2.5倍的消息曝出,使得HBM概念股倍受市场关注。三星显示(Samsu...……更多
英伟达 CEO 黄仁勋期待三星 HBM3E 12H 表现,并在展台上留下亲笔签名
2024-03-23 14:27:32 作者:姚立伟近日,三星电子美国分公司负责人韩进万在LinkedIn上分享了一张黄仁勋亲笔签名的图片,这张图片显示黄仁勋在宣传“HBM3E 12H”产品卡片上写下了“JENSEN APPROVED”的字样。据悉,“HBM3E 12H”是业界首...……更多
三星电子计划增加“muf”芯片制造技术专注于生产
据报道,三星电子在半导体制造领域再次迈出重要步伐,计划增加“MUF”芯片制造技术,并专注于生产用于人工智能芯片组的HBM(高带宽内存)芯片。这一决策不仅彰显了三星电子在半导体技术领域的雄心壮志,也预示着人工...……更多
三星电子、sk海力士、美光盯上博通hbm3e订单
...道,继争夺英伟达及AMD的AIGPU/加速器用HBM3E内存合同后,三星电子、SK海力士、美光不约而同地盯上了芯片设计大厂博通的HBM3E订单。博通去年实现了299.5亿美元(IT之家备注:当前约2165.39亿元人民币)的半导体相关收入,在无厂...……更多
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本文转自:人民网-安徽频道走进位于宁国经开区的桑尼泰克精密工业股份有限公司,连片的厂房、整齐的生产线以及忙碌的工业机器人共同构成了一幅智能制造的生动图景
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