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...在三星的规划中，HBM4将有两个发展方向，使用更先进的晶体管工艺和更高级的封装技术。工艺方面，三星计划在HBM上放弃传统的平面晶体管，改用FinFET立体晶体管，从而降低所需的驱动电流，改善能效。FinFET立体晶体管技术是In...……更多
2023-10-22 22:20:00三星,内存,工艺,学习,晶体管,三星
...024的幻灯片上展示了两项3DDRAM内存新技术，包括垂直通道晶体管（VerticalChannelTransistor）和堆叠DRAM（StackedDRAM）。相较于传统的晶体管结构，垂直通道晶体管将沟道方向从水平变为垂直，可大幅减少器件面积占用，但提升了对刻...……更多
2024-04-02 02:48:00三星,业界,时代,内存,晶体管,三星
...布了B200和GB200系列芯片。据黄仁勋介绍，B200拥有2080亿个晶体管，采用台积电4NP工艺制程，可以支持多达10万亿个参数的AI大模型，还通过单个GPU提供20petaflops的AI性能。 ……更多
2024-03-26 02:35:00三星电子,英伟,三星,供货,内存,电子
...星Exynos2500芯片会采用新的“闸门全包”（Gate-All-Around）晶体管结构，相较于台积电采用的FinFET结构3nm制程工艺，可以实现更高的整合度和更低的功耗。
只不过并不会过多地使用Cortex-X5架构，而是1+3+2+4设计，据说是为了让功耗...……更多
2024-04-04 15:05:00三星,芯片,再次,三星,芯片,处理
...量产了SF3E（3nmGAA），引入全新的GAA（Gate-All-Around）架构晶体管技术。根据之前公布的计划，三星今年将带来名为SF3（3GAP）的第二代3nm工艺技术，使用“第二代多桥-通道场效应晶体管（MBCFET）”，在原有的SF3E基础上做进一步的...……更多
2024-02-20 10:06:00三星,日本,先机,芯片,订单,工艺
...3nm工艺，而Exynos2500将是其首款3nm的SoC，或许希望通过GAA晶体管技术提升性能和改善能耗表现。高通同期将带来第四代骁龙8平台，引入自研的定制Oryon内核，预计会对三星造成不小的压力。 ……更多
2023-11-02 10:57:00三星,架构,三星,高通,内核,性能
...1.4nm）工艺，通过增加纳米片数量进一步改善工艺。每个晶体管增加纳米片数量，可以增强驱动电流，从而提高性能，更多的纳米片允许更多的电流流过晶体管，从而增强其开关能力和运行速度。此外，更多的纳米片可以更好地...……更多
2023-11-01 13:46:00三星,纳米,数量,工艺,纳米,工艺
...上，三星率先引入了全新的下一代GAA（Gate-All-Around）架构晶体管技术，与以往使用的FinFET晶体管技术有着较大的区别，也使得良品率问题进一步放大。据Notebookcheck报道，三星目前3nm工艺的良品率在“50%附近”徘徊，在良品率方...……更多
2024-03-10 18:24:00良品率,三星,工艺,问题,良品率,三星
...城工厂开始生产3nm芯片，采用全新GAA（Gate-All-Around）架构晶体管技术。不过在量产以后，三星的3nmGAA工艺的良品率一直都不是那么理想。近日有网友透露，三星初期3nm工艺的良品率最初徘徊在10%至20%之间，经过多方努力后，最近...……更多
2024-03-24 17:44:00良品率,三星,工艺,良品率,三星,工艺
...介绍，SF3节点可以在同一单元内实现不同的环绕栅（GAA）晶体管纳米片通道宽度，从而提供更高的设计灵活性。这也能够为芯片带来更低的功耗和更高的性能，并通过优化设计来增加晶体管密度。IT之家通过TrendForce数据获悉，台...……更多
2024-01-22 12:22:00三星电子,二代,三星,工艺,电子,三星
...潜力。三星表示通过采用深沟槽隔离(DTI)技术，缩小每个晶体管之间的距离，最大限度地发挥功率半导体的性能。三星代工厂将使用120V（当前为70V）的更大电压应用于更广泛的应用，并准备好在2025年之前提供实现120V至130nmBCD工...……更多
2023-10-20 14:38:00三星,纳米,存储,开发,三星,工艺
...该工艺将依赖于第二代或第三代Gate-all-around FETs（GAAFET）晶体管技术。此外，也不清楚台积电是否会在A14工艺上启用High-NA EUV光刻机，但这种新设备的引入可能会为芯片设计人员和制造商带来一些新的挑战。与三星的技术路线图...……更多
2023-12-15 10:02:00工艺,工艺,技术,三星,晶体管,制程
... A17 Pro。A17 Pro 采用了台积电最新的 3nm 工艺（N3B）制造，晶体管数量达到了惊人的 190 亿，这是全世界第一款采用台积电 3nm 工艺的手机芯片，也是 3nm 工艺第一次出现普通人就可以买到的大众消费品上。要知道，随着芯片尺寸越...……更多
2023-10-11 15:22:00芯片,战争,芯片,工艺,晶圆,三星
...软更新推出。值得一提的是，这将是最后一个采用 FinFET 晶体管的节点。你可能想知道英特尔如何在六个月内量产两个节点。但其实按照报道，英特尔的4nm（intel 4)和 3nm(intel 3)工艺由两个独立的团队同时开发。这本质上是Tick Tock ...……更多
2023-01-20 06:00:00英特,英特尔,战局,英特,英特尔,三星
...3nm栅极全环(GAA)节点的订单。三星在3nm工艺中使用了全栅晶体管，可以间接改善芯片性能。韩国产业经济贸易研究院研究员KimYang-paeng表示：“如果三星此次成功赢得AMD4nm芯片订单，将打开‘大芯片’领域的交易之门……这将是三...……更多
2023-11-17 13:47:00新业,三星,新业务,工艺,三星,代工厂
...与Exynos2400中使用的4nm工艺相比，3nm技术提供了更密集的晶体管布局。在更小的芯片空间内实现更大的处理能力。这不仅意味着潜在的性能提升。而且还降低了热效率，使处理器在运行过程中产生的热量更少。预计GalaxyS25系列将...……更多
2024-04-22 17:25:00二代,三星,处理器,工艺,处理,三星
...而2nm制程工艺将会基于更加先进的技术，包括GAAFET纳米片晶体管与背部供电，根据之前曝光的数据，能够比3nm提升10-15%的性能，而同等频率下功耗则降低25-30%。也就是说等到2025年，包括三星也台积电都将拥有量产2nm制程的能力...……更多
2024-02-05 21:00:00制程,三星,芯片,订单,更多,制程
...持续挑战更先进的芯片技术。GAA（Gate All Around，全环栅型晶体管技术）是当前一项核心科技。芯片里面的晶体管，可以拆解为三个模块：源极、栅极、漏极——电离子从源极出发、穿越栅极、进入漏极，构成一个完整回路。栅极...……更多
2023-12-22 11:43:00刻机,巨头,芯片,三大,客户,制程
...先进的芯片制造技术，采用了门全包裹（Gate-All-Around）的晶体管结构，相比传统的FinFET结构，可以实现更高的集成度和更低的功耗。而台积电方面，2023年虽然量产了3nm FinFET工艺，但是和三星的工艺优势方面还是稍微弱了一些。...……更多
2024-02-04 09:15:00良品率,三星,处理器,不用,处理,三星
...其中大多数。按照台积电方的说法，3nm工艺能够大幅提升晶体管密度约70%，性能的涨幅约在10%-15%之间，而能耗至少能够降低25-30%。此外呢，明年的iPhone15在硬件方面大升级主要在处理器上，其他规格大概率不会有太大的升级。所...……更多
2023-01-15 18:30:00中国制造,中国,苹果,升级,制造,苹果
...SF3） 芯片的公司，三星也是采用新型全环绕栅极 （GAA） 晶体管架构的先驱。 ……更多
2023-12-16 09:16:00机台,消息,工艺,三星,工艺,宝山
... PowerVia 背面供电技术的芯片，通过优化供电提高性能和晶体管密度。同时 18A 也是英特尔首个采用 RibbonFET 全周栅极（GAA）晶体管的节点，在缩小面积的情况下，提供更高的晶体管密度和更快的晶体管开关速度。英特尔 18A 现已...……更多
2024-02-22 09:20:00代工,英特,英特尔,代工厂,路线图,节点
...制程节点。传统的芯片制造采用自下而上的方式，先制造晶体管再建立用于互连和供电的线路层。然而，随着工艺的进步，这种供电模式的线路层变得越来越混乱，并对设计和制造产生了干扰。为了解决这个问题，BSPDN技术将芯...……更多
2024-02-29 04:35:00三星电子,三星,供电,得了,结果,测试
...片都不相同，它需要在每平方毫米的面积上，植入3亿颗晶体管，相当于在一个指甲盖那么大的面积里，塞下近400亿颗晶体管。这个数量是现在主流5nm芯片的2倍左右。如此巨大的提升与恐怖的密度，需要将芯片制造技术从2D平面...……更多
2023-12-22 09:54:00制程,芯片,极限,升级,制程,芯片
...艺量产后仍然面临问题。据悉苹果新推出的M2 Pro处理器的晶体管数量较M1 Pro增加了20%，在性能方面将进一步提升，但是这种提升主要还是依靠芯片核心架构升级取得的，两款处理器都采用了台积电的5纳米工艺。台积电的3纳米工...……更多
2023-01-19 08:00:00纳米,苹果,先进,工艺,问题,纳米
...m GAA（SF3E）工艺，这标志着三星首次将创新的GAA架构用于晶体管技术。而第二代3nm工艺3GAP（SF3）将利用第二代MBCFET架构，在第一代3nm SF3E的基础上进行优化，预计将于2024年开始大规模生产。
但是当市场中传出这则消息之后，也...……更多
2023-12-02 09:08:00代工,高通,模式,高通,处理器,处理
...大芯片的美国初创公司Cerebras，Cerebras 的第二代AI芯片WSE-2晶体管数量达到2.6万亿个，AI内核数量也达到了85万个，多项指标打破世界纪录。△图源：Cerebras官网
另一家是Rain Neuromorphics，这是一家设计模仿大脑工作方式的芯片初创...……更多
2024-01-31 17:46:00英特,奥特,奥特曼,英特尔,三星,合作
...，采用台积电4NP工艺制程，配备192HBM3E内存，共有2080亿个晶体管，推理大语言模型性能比H100提升30倍，成本和能耗降低96%。SK海力士今日发布新闻稿宣布其最新的超高性能AI内存产品HBM3E已开始量产，并将从本月下旬起向客户供货...……更多
2024-03-20 03:27:00力士,力士,可处理,产品,进一,芯片
4月7日消息，综合韩媒TheElec和ETNews报道，三星电子先进封装团队高管DaeWooKim在2024年度韩国微电子与封装学会年会上表示近日完成了采用16层混合键合HBM内存技术验证。DaeWooKim表示，三星电子成功制造了基于混合键合技术的16层堆...……更多
2024-04-08 12:02:00三星电子,三星,验证,内存,电子,三星电子
...的全新 S9 SiP 芯片所采用的双核中央处理器，具有56亿个晶体管，相比上一代增加了60%之多。而新的四核神经网络引擎，处理机器学习任务的速度最快达两倍。得益于领先的算力， Apple Watch Ultra 2支持了全天候的double-tap手势，当...……更多
2024-03-07 23:00:00三星,新机,苹果,梦想,智能,设备
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