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三星计划2025年后在业界率先进入3ddram时代
4月1日消息，据外媒SemiconductorEngineering报道，三星电子在行业会议Memcon2024上表示计划于2025年后在业界率先进入3DDRAM内存时代。
DRAM内存行业将于本十年后期将线宽压缩至10nm以下。而在如此精细的尺度下，现有设计方案难以进一步扩展，业界因此正在探索包括3DDRAM在内的多种创新型内存设计。
▲图源SemiconductorEngineering
三星在Memcon2024的幻灯片上展示了两项3DDRAM内存新技术，包括垂直通道晶体管（VerticalChannelTransistor）和堆叠DRAM（StackedDRAM）。
相较于传统的晶体管结构，垂直通道晶体管将沟道方向从水平变为垂直，可大幅减少器件面积占用，但提升了对刻蚀工艺精度的要求。
相较现有2DDRAM结构，堆叠DRAM可充分利用z方向空间，在较小面积中容纳更多存储单元，单芯片容纳提升至100G以上。
3DDRAM市场有望于2028年达到1000亿美元（IT之家备注：当前约7240亿元人民币）。为了同其他主要内存制造商竞争，三星已于今年初在美国硅谷开设了一家新的3DDRAM研发实验室
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快照生成时间：2024-04-02 09:45:06
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