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在加州圣何塞举办的年度存储技术大会上，三星披露了下一代HBM3E的情况，相比现有HBM3在容量、频率、带宽方面都有了巨大的提升。三星HBM3E内存采用基于EUV极紫外光刻工艺的第四代10nm级工艺制造，确切地说是14nm。单Die容量可...……更多
2023-10-22 22:21:00三星,下一代,带宽,内存,三星,圣何塞
...息，三星于2022年10月正式发布GDDR7显存，时隔1年，三星在圣何塞举办的存储技术日上，再次更新介绍了GDDR7显存。三星在新闻稿中表示，在过去1年中不断改善GDDR7显存的动态功耗，而且通过额外的时钟控制，待机功耗要比GDDR6低50...……更多
2023-10-21 21:13:00三星,功耗,显存,待机,三星,显存
...公众展示了多项新产品，其中包括一款名为“Shinebolt”的下一代HBM3EDRAM，这款产品可以满足下一代AI数据中心应用的需求。三星表示，“Shinebolt”HBM3EDRAM每个引脚速度可达9.8Gbps，其传输速率可达1.2TBps，这将有效降低整体拥有成...……更多
2023-10-21 20:51:00三星,带宽,内存,高速,三星,产品
除了宣布下一代HBM3E高带宽内存可以做到单颗芯片36GB、等效频率9.8GHz的世界领先，三星还展望了真正全新一代HBM4内存的方向。在三星的规划中，HBM4将有两个发展方向，使用更先进的晶体管工艺和更高级的封装技术。工艺方面，...……更多
2023-10-22 22:20:00三星,内存,工艺,学习,晶体管,三星
今天凌晨，三星在美国加利福尼亚州圣何塞市三星设备解决方案美国总部举行的年度活动“三星代工论坛（SFF）”上，公布了最新的代工创新成果，并概述了人工智能时代的愿景。在“EmpoweringtheAIRevolution”主题下，三星公布了...……更多
2024-06-18 22:46:00制程,三星,路线图,路线,工艺,技术
...硬盘，容量512GB~4TB，速度最高6.5GB/s。2025年，三星将推出下一代GDDR7显存芯片，容量2GB~4GB，速度最高128GB/s，每通道带宽32Gbps。三星坚信，他们2025年推出的GDDR7显存将完美满足Level 4自动驾驶商业化的需求，并期待在2030年引领完全...……更多
2023-11-25 17:48:00三星,路线图,固态,芯片,路线,内存
...，高通将在今年晚些时候发布第三代骁龙8Gen3，而关于更下一代的骁龙8Gen4，也已经有不少消息流出。最新曝料显示，骁龙8Gen4将会首发采用新一代LPDDR6内存，容量更大，带宽更高，由三星供货。LPDDR6目前尚无明确资料，只有三星...……更多
2023-05-05 11:42:00架构,内存,高通,核心,三星,能效
三星在最新的GTC活动中，展示了专为下一代游戏GPU设计的高性能GDDR7内存。这是这款新型内存模块首次亮相，每个模块容量为2GB，预设速度达到了32Gbps（PAM3），但也可以选择降至28Gbps以提高产量和初期整体性能，并降低成本。...……更多
2024-03-21 01:05:00三星,内存,内存,三星,性能,显存
...给我发了个大新闻：老黄出手，从微软手里买下了 Xbox，下一代的 Xbox 将有双显卡、 AI 加持，誓要把隔壁的 PS6 锤出人中黄来。但很不幸，这是一个拙劣的愚人节恶搞！我就说嘛，已经是 AI 军火商的老黄，早就把游戏佬们当成牛...……更多
2024-04-02 10:50:00英伟,韩国,脖子,老黄,内存,力士
家中设备不仅理解人类需求并能与之交流、开发人员以前所未有的速度和精度编写代码、图像只需轻轻一点便能转换成高清杰作……数字化时代，人工智能快速发展，尤其是生成式人工智能技术的突破和应用已经深入影响到人...……更多
2023-11-27 17:02:00三星,下一代,模型,语言,智能,应用
...体技术，这点之前三星已经有过介绍。之前还有传言称，下一代HBM4在设计会有重大的变化，内存堆栈将采用2048位接口，三星还会引入针对高温热特性优化的非导电粘合膜（NCF）组装技术和混合键合（HCB）技术。 ……更多
2024-04-22 17:57:00三星,三星,产品,堆栈,芯片,力士
...星方面消息显示，计划于2024年上半年量产具有8层堆栈的下一代HBM3e产品。根据计划，三星的HBM芯片产量将比去年增长2.5倍，明年将再次翻倍。为了补充粮草弹药，2023年第四季度，三星特意把持有的ASML股票变卖，用来投入全新的...……更多
2024-03-07 09:13:00三家,英伟,芯片,背后,存储,焦点
...Arm达成了战略协作，携手优化基于最前沿GAA晶体管技术的下一代ArmCortex-X和Cortex-ACPU内核，进一步巩固了三星在半导体技术竞赛中的领先地位。 ……更多
2024-06-17 23:15:00三星,芯片,三星,技术,晶体管,节点
...。据悉，三星S24系列将于明年1月在美国加利福尼亚州的圣何塞市发布，请持续关注太平洋科技获取更多消息。编辑点评：虽然三星重启了自研芯片计划，并推出自研Exynos2400处理器，在性能方面有所提升，但目前跑分成绩仍不尽...……更多
2023-11-09 21:00:00三星,芯片,三星,芯片,测试机,多核
...键合（HCB）技术，预计在2025年推出。此前有消息指出，下一代HBM4设计会有重大的变化，内存堆栈将采用2048位接口。目前三星已经量产了HBM2E和HBM3，并开发了速率为9.8Gbps的HBM3E，将很快向客户提供样品，以丰富高性能计算（HPC）...……更多
2023-10-14 02:48:00三星,正在,开发,三星,封装,芯片
据TheElec报道，三星正在考虑在其下一代DRAM中使用应用模压填充（MUF）技术。三星最近对3D堆栈（3DS）内存进行了大规模的MRMUF工艺测试，结果显示与现有的TCNCF（热压非导电膜）相比，吞吐量有所提高，但物理特性却有所下降。...……更多
2024-03-04 16:49:00三星,服务器,应用,研究,服务,三星
...12GB到4TB不等，速度最高可达6.5GB/s。在2025年，三星将推出下一代GDDR7显存芯片，容量从2GB到4GB不等，速度可达128GB/s，每通道带宽为32Gbps。这项技术旨在满足L4级别自动驾驶商业化需求。此外，在这次论坛上，三星还透露了将把AI...……更多
2023-11-25 19:51:00三星,模型,手机,高斯,三星,模型
...工智能应用对高内存带宽不断增长的需求。显然这也是为下一代显卡做好准备，传闻英伟达的GeForceRTX50系列GPU将支持GDDR7。据Anandtech报道，SK海力士在今年的COMPUTEX2024上展出了GDDR7的样品，并表示计划2025年第一季度开始量产。相...……更多
2024-06-18 22:42:00三星,力士,三星,力士,数据传输,英伟
...2、HBM2e、HBM3，第五代HBM3e已在路上。四代HBM规格对比至于下一代HBM新品HBM4（第六代），在堆栈的层数上除了现有的12hi(12层)外，也将再往16hi(16层)发展。预计，HBM412hi将于2026年推出，而16hi产品则于2027年问世。据悉，在HBM4中，将...……更多
2023-11-27 20:27:00英伟,巨头,供货,集体,内存,存储
...三星展出了被称为未来显示技术的Micro LED，展示了三星对下一代显示技术的最新理解。Micro LED采用了三星独家研发的玻璃基技术，拥有2400万颗比发丝还细的灯珠，无论是亮度，还是色彩，相比普通Micro LED都有了飞跃式的提升。...……更多
2023-11-05 14:34:00三星,从未,科技,三星,智能,家居
...计，不知道它是否类似三星的四种低时钟状态。GDDR7是给下一代游戏显卡所准备的，而AIHPC领域则需要HBM3E，海力士会在会议上展示他们最新的16层堆栈48GBHBM3E芯片，新的设计理论上能让单颗芯片速度达到1280GB/s，采用四颗HBM3E就能...……更多
2024-01-30 20:39:00力士,显存,技术,三星,力士,芯片
...据此前传言，三星计划于2024年1月17日在加利福尼亚州的圣何塞市发布GalaxyS24系列新机。 ……更多
2023-11-07 19:49:00三星,手机,三星,多核,芯片组,别为
...首席执行官Sanjay Mehrotra曾透露，该公司正处于“为英伟达下一代AI加速器供应HBM3E的最后验证阶段”。根据机构预测，2023年SK海力士的市场份额有望提升至53%，而三星和美光的市场份额将分别为38%和9%。申万宏源表示，存储芯片周...……更多
2024-01-10 00:50:00三星,全年,利润,三星,芯片,存储
...3 月 20 日消息，英伟达 GTC 2024 大会于 3 月 18 日至 21 日在圣何塞会议中心举办，三大存储厂商也纷纷亮相并展示了其 HBM3E 方案，而且三星还展示了其 GDDR7 方案。HBM3E 毫无疑问将用于新一代的 Blackwell 加速器以及 NVIDIA H200、GH2……更多
2024-03-20 09:12:00英伟,速度可达,三星,显存,速度,英伟
三星DDR内存，全称DDRSDRAM(DoubleDataRateSDRAM，双倍速率SDRAM)，是由三星公司所研发并推出的主流内存规范，其卓越的性能与稳定的品质，让众多计算机用户与专业人士为之倾倒。那么您知道三星DDR内存具有哪些功能优势吗?下面泰盛...……更多
2024-07-19 15:15:00三星,内存,优势,功能,国际,三星
...制造商。SK还与英伟达建立了密切的合作伙伴关系，是其下一代HBM3E芯片的独家供应商。Sam Altman的19个小时首尔行程中，还访问了三星平泽园区——这是世界上最大的半导体制造厂，平泽有三条生产线，生产DRAM、晶圆代工和NAND闪...……更多
2024-01-31 17:46:00英特,奥特,奥特曼,英特尔,三星,合作
...颈，补充了现有 DRAM 的局限性，被认为是一种具有前景的下一代内存产品。CPU和GPU的性能每年都在大幅提升，但支撑它们的内存半导体性能却一直相对滞后，HBM 作为替代方案应运而生。目前，通过与中央处理器 (CPU) 和图形处理...……更多
2023-02-14 14:00:00狂飙,热潮,芯片,厂商,英伟,芯片
1月10日消息，三星近日透露正积极研发一种新型内存，名为LLWDRAM，意为低延迟宽I/O(LowLatencyWideI/O)DRAM。据称，这种内存将带来超高带宽、低延迟和超低功耗的完美结合。三星表示，LLWDRAM特别适用于需要在设备上运行大型语言模...……更多
2024-01-11 12:51:00三星,内存,三星,功耗,内存,延迟
...前已经开始生产HBM3高性能内存芯片。此外，它还在开发下一代HBM3E。李政培说，三星希望为客户生产“定制”的HBM芯片。“我们正专注于恰当地应对与超级规模AI等新应用相关的要求”，“我们将继续推进内存芯片生产线，以克...……更多
2023-10-17 21:02:00三星,下一代,内存,三星,芯片,三星电子
...了HBM3和HBM3e之外，最新的更新表明存储巨头正在计划推出下一代HBM——HBM4。三星最近宣布已开发出9.8GbpsHBM3E，并计划向客户提供样品。此外，三星正在积极开发HBM4，目标是在2025年开始供货。据报道，三星电子正在开发诸如用于...……更多
2023-10-13 02:47:00需求,增长,咨询,三星,芯片,需求
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