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...效率和性能优势。另外，在同一块300毫米晶圆上集成硅和氮化镓（GaN-on-silicon）晶体管的实现也成为了 Intel 的一项重要进展。这为未来300毫米晶圆制造提供了可行性路径，并且 Intel 成功开发出名为“DrGaN”的高性能、大规模集成...……更多
2023-12-11 16:02:00氮化镓,晶体管,晶体,全新,晶体管,晶体
...新进展，未来有望在先进晶体管工艺中替代硅材料。300mm氮化镓技术新进展除了上述四大核心技术之外，英特尔在300mm氮化镓（GaN）技术方面也进行了开拓性研究。作为新兴的用于功率器件和射频（RF）器件的材料，氮化镓相对于...……更多
2024-12-10 23:14:00密度计,英特,英特尔,代工,突破性,高性能
...面，英特尔在去年IEDM期间发表了在300mm硅制程上制造硅基氮化镓的晶体管的研究成果，今年又进一步分享了试验和测试的新成果——比行业标准高近20倍的增益（电阻乘以电荷量）。它能够在截止频率上最高达到680GHz，更适用于5...……更多
2022-12-17 01:00:00晶体管,晶体,芯片,关键,技术
...运行的，所以即使是发射无人探测器也是相当困难的。而氮化镓作为下一代半导体的理想材料之一，可以承受500度甚至更高的温度，受到了业界的广泛关注。虽然它已经被用于一些地面电子设备，如手机充电器和手机信号塔，但...……更多
2024-06-15 09:33:00氮化镓,金星,芯片,人类,氮化镓,温度
...中替代硅。此外值得一提的是，Intel代工还在300毫米GaN（氮化镓）方面持续推进开拓性的研究。Intel代工在300毫米GaN-on-TRSOI（富陷阱绝缘体上硅）衬底上，制造了业界领先的高性能微缩增强型GaN MOSHEMT（金属氧化物半导体高电子迁...……更多
2024-12-08 18:12:00吞吐量,制程,吞吐,封装,突破,工艺
...并在同一块300毫米晶圆上（而非封装）中实现硅晶体管与氮化镓（GaN）晶体管的大规模单片3D集成。随着遵循摩尔定律的半导体技术不断推进，半导体芯片的集成度越来越高，目前衡量芯片的微观集成密度的单位也从纳米转向埃...……更多
2023-12-11 09:31:00英特,摩尔,英特尔,定律,瓶颈,供电
快科技12月24日消息，华硕推出了新款ROG STRIX 白金雷鹰氮化镓电源，首发1499元。这款ROG STRIX白金雷鹰氮化镓电源首次融入了智能显卡稳压技术。该技术从源头精准调控显卡电压，其顶部采用了创新的铝制风扇格栅设计，不仅美...……更多
2024-12-24 17:04:00氮化镓,白金,供电,元件,白色,电源
...电压下工作。性能也比常见的第三代半导体——碳化硅和氮化镓出色。这种特性让它有望用于更高电压环境下的纯电动汽车、高速通信及卫星通信等领域。
报道称，OOKUMA公司生产的金刚石半导体器件将首先用于福岛第一核电站...……更多
2023-11-23 11:58:00半导体,下一代,芯片,必然,方向,材料
...辨率高达4nm，可以在不破坏芯片的前提下，提供芯片内部晶体管及布线的清晰的3D图像，以揭示芯片内部的设计/制造缺陷。Levi说，他们希望提供一种替代方案，以替代用于执行芯片质量控制和揭示芯片设计的耗时、破坏性的过...……更多
2024-08-05 14:00:00晶体管,成像,晶体,缺陷,分辨率,全新
...达、医疗设备、计算机等领域。而最近，一项名为“铁电晶体管”的发明更是引起了广泛的关注，被认为具有革命性的作用，可以节约能源并为太空探测提供新的解决方案。本文将从铁电晶体材料的基本特性、应用前景以及对科...……更多
2024-07-31 09:50:00铁电,晶体管,革命性,美国,晶体,革命
...上，IBM研究人员展示了首款专为液氮冷却优化的先进CMOS晶体管。据IT之家了解，液氮沸点极低，只有-196°C，是目前主流电子器件无法承受的超低温。然而，在如此严寒的环境下，晶体管的电阻和漏电电流都会大幅降低，从而提...……更多
2023-12-25 12:12:00晶体管,晶体,先进,晶体管,晶体,液氮
...集成电路。受访者供图“将这些二维晶体用作集成电路中晶体管的材料时，可显著提高芯片集成度。在指甲盖大小的芯片上，晶体管密度可得到大幅提升，从而实现更强大的计算能力。”刘开辉说，此外，这类晶体还可用于红外...……更多
2024-07-07 15:58:00突破性,科学家,成果,突破,我国,科学
...不过有两个重要的信息没透露，就是处理器的芯片尺寸和晶体管数量。实际上AMD会在评测指南上公布这些数据，但HardwareLuxx.de在会后的问答中拿到了答案。GraniteRidge的结构其实和上代锐龙7000Raphael没啥区别，甚至I/ODie根本没换，...……更多
2024-07-17 20:18:00晶体管,晶体,处理器,芯片,尺寸,数量
...们得到了高迁移率、高开态电流和开关比、低回滞的 p 型晶体管，推动了二维半导体电子器件的应用发展。这种不破坏沟道材料的简单掺杂方法，通过范德瓦尔斯界面耦合的方式，来调控二维半导体沟道的载流子极性。利用这一...……更多
2024-05-31 14:21:00二维,范式,维度,晶体管,量子,攻关
...家们的狂欢日终于到来，备受瞩目的全新ROG STRIX白金雷鹰氮化镓1000W电源正式揭开神秘面纱。这款电源以其豪华用料与强劲实力，在新一代高品质电源中独树一帜，犹如一颗璀璨的星辰，在DIY界的天空中熠熠生辉。ROG白金雷鹰的...……更多
2024-05-25 16:29:00氮化镓,福音,面纱,电源,全新,玩家
【迄今最快AI芯片拥有4万亿个晶体管 将用于构建大型人工智能超级计算机】财联社3月18日电，据美国趣味科学网站14日报道，美国芯片初创企业Cerebras Systems推出了全新的5纳米级“晶圆级引擎3”（WSE-3）芯片。该公司官网称，这...……更多
2024-03-18 07:38:00晶体管,人工智能,晶体,人工,芯片,智能
...X 50系列采用了Blackwell架构。最新的RTX Blackwell 拥有920亿个晶体管，与上一代产品相比，晶体管数量激增了3倍之多，并支持万亿次级别的浮点运算能力，致力于为用户呈现出尽可能完美的像素效果。对此，黄仁勋在现场进一步阐...……更多
2025-01-07 12:17:00英伟,浮点,晶体管,晶体,运算,新一代
...过半导体制程与工艺、先进封装等技术共同延续单位面积晶体管倍增的增长曲线。首个EUV节点Intel 4将于2023年下半年按计划推出，比Intel 7每瓦性能将提高约20%；Intel 3预计将于2023年下半年投产，比Intel 4每瓦性能将提高约18%；Intel ...……更多
2023-11-06 14:43:00晶体管,晶体,半导体,业内,目标,英特
...积电的 N2 将是该公司首个使用全环绕栅极 （GAA） 纳米片晶体管的制程工艺，有望大幅降低功耗、提高性能和晶体管密度。台积电的GAA纳米片晶体管不仅比 3nm FinFET 晶体管小，而且通过提供改进的静电控制和减少泄漏而不影响性...……更多
2024-12-05 09:54:00爆料,工程师,客户,工程,晶体管,晶体
...，黄仁勋在GTC 2025大会访谈中表示，依靠环绕栅极（GAA）晶体管的下一代制程技术，将为新一代GPU带来20%的性能提升。如无意外，黄仁勋所说新一代GPU，应该是指预计在2028年推出的Feynman。报道称，黄仁勋在问答中似乎淡化了制...……更多
2025-03-30 15:07:00晶体管,晶体,新一代,性能,技术,制程
...的影像能力令人期待。同时，iPhone16Pro系列还将采用双层晶体管技术，带来感光能力的升级。除了影像部分的升级，iPhone16系列的外观渲染以及设计细节也陆续出现了多份爆料。结合渲染图来看，全新的iPhone16系列外观风格与目前...……更多
2024-02-13 17:41:00晶体管,晶体,双层,细节,苹果,设计
...，同时更准确的还原了物体本身的颜色。索尼ExmorT：双层晶体管像素结构（DLT）索尼开发了创新性的双层晶体管像素结构，将光电二极管和像素晶体管分离到不同的基片层上进行堆栈。这种结构使得饱和信号量大幅提升，扩大了...……更多
2024-04-10 17:03:00豪威,索尼,之路,三星,影像,趋势
...在三星的规划中，HBM4将有两个发展方向，使用更先进的晶体管工艺和更高级的封装技术。工艺方面，三星计划在HBM上放弃传统的平面晶体管，改用FinFET立体晶体管，从而降低所需的驱动电流，改善能效。FinFET立体晶体管技术是In...……更多
2023-10-22 22:20:00三星,内存,工艺,学习,晶体管,三星
...次披露了N2 2nm工艺的关键技术细节和性能指标：对比3nm，晶体管密度增加15％，同等功耗下性能提升15％，同等性能下功耗降低24-35％。台积电2nm首次引入全环绕栅极(GAA)纳米片晶体管，有助于调整通道宽度，平衡性能与能效。新...……更多
2024-12-16 00:18:00功耗,性能,能效,晶体管,晶体,性能
...和OPPO合作，联合OPPO的超光影图像引擎，推出了拥有双层晶体管像素技术的LYTIA图像传感器，索尼LYT-T808，并在OPPO Find N3上首发，目前已有数码博主爆料，一加12主摄正是这颗索尼LYT-T808。不过，也有网友猜测可能一加12搭载的是阉...……更多
2023-11-01 23:02:00小米,影像,索尼,晶体管,晶体,传感器
...相同电压下可以将功耗降低 24% 至 35%，或将性能提高15%，晶体管密度比上一代 3nm 工艺高 1.15 倍。而这些指标的提升主要得益于台积电的新型全环绕栅极（GAA）纳米片晶体管，以及 N2 NanoFlex 设计技术协同优化和其他一些增强功能...……更多
2024-12-16 19:19:00晶圆,深度,晶体管,晶体,栅极,制程
...局信息显示，周星工程股份有限公司申请一项名为“薄膜晶体管及其制造方法”的专利，公开号CN119968938A，申请日期为2023年10月。专利摘要显示，本发明涉及一种薄膜晶体管及其制造方法。薄膜晶体管包括：栅极；有源层，有源...……更多
2025-05-12 18:23:00晶体管,晶体,薄膜,性能,专利,方法
...大模块与输出模块相连接，第二级运算放大模块具有第一晶体管；第二晶体管；第三晶体管；第四晶体管；第五晶体管；第一传输门，第一晶体管、第二晶体管串联连接成第一电路，第一传输门、第三晶体管、第四晶体管串联连...……更多
2025-03-22 12:40:00运算放大器,放大器,功耗,运算,半导体,专利
...子学和生物学整合的新方式——直接响应环境的混合生物晶体管问世科技日报北京11月29日电 （记者张梦然）你的手机微处理器芯片中，其实装有超过150亿个微型晶体管。晶体管由硅、金和铜等金属以及绝缘体制成，它们共同吸...……更多
2023-11-30 03:46:00晶体管,晶体,混合,生物,环境,晶体管
硅晶体管的表现已然非常出色，但就像物理世界中的其他物体一样，它们也受到一些限制。 物理定律对性能和能效造成了瓶颈。 现在，麻省理工学院的一组工程师可能已经找到了一种方法，利用一种激进的新型晶体管设计，以...……更多
2024-11-07 09:58:00麻省理工学院,麻省,晶体管,量子,晶体,纳米
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