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...过半导体制程与工艺、先进封装等技术共同延续单位面积晶体管倍增的增长曲线。首个EUV节点Intel 4将于2023年下半年按计划推出，比Intel 7每瓦性能将提高约20%；Intel 3预计将于2023年下半年投产，比Intel 4每瓦性能将提高约18%；Intel ...……更多
2023-11-06 14:43:00晶体管,晶体,半导体,业内,目标,英特
... PowerVia 背面供电技术的芯片，通过优化供电提高性能和晶体管密度。同时 18A 也是英特尔首个采用 RibbonFET 全周栅极（GAA）晶体管的节点，在缩小面积的情况下，提供更高的晶体管密度和更快的晶体管开关速度。英特尔 18A 现已...……更多
2024-02-22 09:20:00代工,英特,英特尔,代工厂,路线图,节点
...。英特尔正为其未来芯片寻找新的开发路线，包括3D堆叠晶体管以实现更高密度、扩展背面供电以及使用氮化稼来实现更高的传输功率等。总部位于圣克拉拉的芯片巨头将在本周于旧金山召开的第69届IEEE国际电子器件年会（IEDM）...……更多
2023-12-13 10:23:00英特,英特尔,晶体管,晶体,新工艺,供电
...术，选择性层转移技术（SLT），环绕栅极硅基RibbonFET CMOS晶体管技术以及用于微缩的2D GAA晶体管的栅氧化层技术。同时，针对这些前沿技术，英特尔代工提交了七篇相关论文，这些论文涵盖模块化计算系统、GAA 2D FETs栅氧化层模...……更多
2024-12-10 23:14:00密度计,英特,英特尔,代工,突破性,高性能
...01）作者 | ZeR0编辑 | 漠影到2023年，在1颗芯上集成1万亿个晶体管。——这是英特尔最新公布的“小目标”。什么概念？英伟达今年推出的最新旗舰通用GPU H100，在814mm²核心面积上集成了800亿个晶体管；英特尔即将推出的数据中心...……更多
2022-12-17 01:00:00晶体管,晶体,芯片,关键,技术
...推进摩尔定律，在2030年前实现在单个封装内集成1万亿个晶体管。·包括PowerVia背面供电技术、用于先进封装的玻璃基板和Foveros Direct技术预计将在2030年前投产。12月9日，英特尔在IEDM 2023（2023 IEEE 国际电子器件会议）上展示了使...……更多
2023-12-11 09:31:00英特,摩尔,英特尔,定律,瓶颈,供电
...出更先进的N2系列工艺。这一系列工艺将集成超过1000亿个晶体管，并通过CoWoS、InFO和SoIC等多种封装技术实现。此外，台积电还计划使用EUV光刻、金属氧化物ESL等新材料和新技术。更令人期待的是，台积电还规划了1.4nm级别的A14和...……更多
2023-12-28 18:02:00晶体管,晶体,封装,晶体管,晶体,工艺
...进的光学设计将图案投影到硅晶圆上，从而实现分辨率和晶体管尺寸上的进步。英特尔即将推出的14A工艺英特尔在2月份宣布将代工业务剥离为一个独立的实体，当时就详细介绍了即将推出的Intel 14制造工艺。英特尔TWINSCAN EXE: 5000...……更多
2024-04-23 10:24:00英特,光刻,英特尔,最先,全球,系统
...辨率高达4nm，可以在不破坏芯片的前提下，提供芯片内部晶体管及布线的清晰的3D图像，以揭示芯片内部的设计/制造缺陷。Levi说，他们希望提供一种替代方案，以替代用于执行芯片质量控制和揭示芯片设计的耗时、破坏性的过...……更多
2024-08-05 14:00:00晶体管,成像,晶体,缺陷,分辨率,全新
...「我将整个公司押注在了18A制程上」。据推测，18A凭借在晶体管密度，以及背面供电（backside power）的创新，将成为世界上最先进的芯片制造技术。它的背面供电PowerVia技术，其原理是从下方向芯片晶体管供电，这解决了当前芯...……更多
2024-09-25 13:35:00英特,英特尔,制程,救星,绝地,王牌
...成电路是采用“16nm/14nm节点”及以下工艺、或采用非平面晶体管架构生产的逻辑集成电路。美国还将加强代工厂尽职调查并防止其流向中国。“我们将继续通过限制先进半导体的获取、积极执行我们的规则以及主动应对新出现的...……更多
2025-01-16 09:25:00制程,美国,管制,封锁,中国,芯片
...不断推进半导体技术的创新和发展，以求在性能、能效和晶体管密度等方面实现显著提升。而Intel4作为英特尔首个采用EUV技术生产的制程节点，无疑是这一努力的重要体现。极紫外光刻技术是一种先进的半导体制造技术，可以用...……更多
2023-10-15 22:19:00英特,大规,英特尔,制程,节点,大规模
...持续挑战更先进的芯片技术。GAA（Gate All Around，全环栅型晶体管技术）是当前一项核心科技。芯片里面的晶体管，可以拆解为三个模块：源极、栅极、漏极——电离子从源极出发、穿越栅极、进入漏极，构成一个完整回路。栅极...……更多
2023-12-22 11:43:00刻机,巨头,芯片,三大,客户,制程
...，这项长期协议将英特尔在美国的大规模制造能力和FinFET晶体管设计经验，与联华电子在成熟制程节点上丰富的晶圆代工经验结合在一起，比如为客户提供工艺设计套件（PDK），以实现扩展的工艺组合。同时新平台还为全球客户...……更多
2024-01-28 11:47:00英特,联华,英特尔,工艺,合作,开发
...软更新推出。值得一提的是，这将是最后一个采用 FinFET 晶体管的节点。你可能想知道英特尔如何在六个月内量产两个节点。但其实按照报道，英特尔的4nm（intel 4)和 3nm(intel 3)工艺由两个独立的团队同时开发。这本质上是Tick Tock ...……更多
2023-01-20 06:00:00英特,英特尔,战局,英特,英特尔,三星
在计算机芯片上的晶体管数量大约每18个月翻一番，这一产业发展的规律被称为摩尔定律。然而，随着近年来晶体管的尺寸趋近物理极限，摩尔定律的进一步发展对半导体工程师来说是一场噩梦，因为他们需要制造更小、更强大...……更多
2024-01-17 10:42:00二维,三维,晶体管,晶体,效应,摩尔
...能每两年翻一番的经验法则——是否还能继续有效。随着晶体管尺寸的不断缩小，人们普遍担忧物理限制将会成为难以逾越的障碍，特别是短沟道效应、漏电流和隧道效应等问题日益突出。这些挑战不仅威胁到了摩尔定律的延续...……更多
2024-08-07 09:43:00摩尔,定律,纳米,进化,芯片,物理
...。据BusinessKorea报道，三星Foundry正致力于下一代环绕栅极晶体管(GAA)技术的研发，该技术将用于其2nm制程工艺，基于该技术的2nm半导体芯片计划于明年量产。此外，三星将在6月16日至20日于美国夏威夷举行的VLSI研讨会上展示用于2n...……更多
2024-05-01 10:05:00制程,三星,芯片,先进,三星,制程
硅晶体管的表现已然非常出色，但就像物理世界中的其他物体一样，它们也受到一些限制。 物理定律对性能和能效造成了瓶颈。 现在，麻省理工学院的一组工程师可能已经找到了一种方法，利用一种激进的新型晶体管设计，以...……更多
2024-11-07 09:58:00麻省理工学院,麻省,晶体管,量子,晶体,纳米
...去半个多世纪，集成电路技术开创了摩尔时代，如今芯片晶体管密度已达到亿量级每平方毫米。我们在材料、工艺、器件、集成、架构、生态六大技术引擎驱动下，获得了摩尔浪潮。实际上，早在十几年前，人们已经意识到摩尔...……更多
2024-07-27 09:30:00多维度,新材,多维,摩尔,芯片,清华
...是M3芯片攻势凶猛，从M3到M3 Max，性能层层递进。首先从晶体管、架构和性能看。根据苹果的介绍，M3拥有250亿个晶体管，比M2多50亿个，采用了下一代架构的10核GPU，能使得图形性能比M1快65%，同时拥有的8核CPU，让CPU性能比M1快35%...……更多
2023-11-01 10:00:00芯片,来势,巨头,战场,苹果,高通
... A17 Pro。A17 Pro 采用了台积电最新的 3nm 工艺（N3B）制造，晶体管数量达到了惊人的 190 亿，这是全世界第一款采用台积电 3nm 工艺的手机芯片，也是 3nm 工艺第一次出现普通人就可以买到的大众消费品上。要知道，随着芯片尺寸越...……更多
2023-10-11 15:22:00芯片,战争,芯片,工艺,晶圆,三星
...快、成本更低的路径，以实现在单个封装中集成一万亿个晶体管，并在2030年后继续推进摩尔定律。英特尔的3D先进封装技术Foveros是业界领先的解决方案，在处理器的制造过程中，能够以垂直而非水平方式堆叠计算模块。此外，Fo...……更多
2024-01-25 15:30:00英特,大规,英特尔,封装,大规模,先进
...代工费用报价，要比台积电7nm工艺便宜四成。虽然前者的晶体管密度不及台积电7nm工艺，但由于功耗设计优秀，在实际应用中并没有逊色于后者。除了代工价格一路水涨船高外，台积电的产能分配问题也一直被业界所诟病。此前...……更多
2024-06-25 09:23:00三星,自己人,三星,芯片,高通,架构
...五个节点的目标取得进展，并有望在2025年之前重新获得晶体管性能和电源性能的领先地位。英特尔7纳米工艺芯片目前正在为满足客户端和服务器需求进行大批量生产。英特尔4纳米工艺芯片已经准备就绪，预计在2023年下半年推...……更多
2023-01-27 11:00:00英特,英特尔,亏损,四季,英特,英特尔
...体工艺将会达到A2，也就是0.2nm，基本上已经趋近于物理晶体管的极限了。毫无疑问根据英特尔曝光的消息，英特尔这里希望冲击的是A14以及A10两个工艺，相当于1.4nm以及1nm，只是这两个工艺距离正式量产还有相当长的距离，此外...……更多
2023-02-14 09:00:00英特,光刻,英特尔,新一代,冲击,工艺
...大芯片的美国初创公司Cerebras，Cerebras 的第二代AI芯片WSE-2晶体管数量达到2.6万亿个，AI内核数量也达到了85万个，多项指标打破世界纪录。△图源：Cerebras官网
另一家是Rain Neuromorphics，这是一家设计模仿大脑工作方式的芯片初创...……更多
2024-01-31 17:46:00英特,奥特,奥特曼,英特尔,三星,合作
...一代产品的1/1.7。更细的线条意味着芯片可以容纳更多的晶体管，从而实现更快的处理速度和更高的存储容量，这对于人工智能工作负载至关重要。这台EUV已于去年年底运抵其位于俄勒冈州的D1X工厂，英特尔计划在2025年年底开始...……更多
2024-05-08 09:49:00海力,英特,光刻,英特尔,三星,美国
... DX7.0 及 OpenGL。从规格上来看，GeForce 256 集成了 2300 万个晶体管，这个数量是当时 P3 处理器的 2 倍以上，其浮点性能达到 50Gflops，具备每秒 1500 万个三角形、4.8 亿像素的渲染能力，这在当时是前所未有的水平。当时首发 GeForce 25.……更多
2024-12-24 09:48:00芯片,传奇,时代,世界,处理,芯片
...的六方碳化硅（4H-SiC），有望制备出更高性能的碳化硅基晶体管。这是国际首次获得可量产、可商业化的晶圆级立方碳化硅单晶生长技术。近期，陈小龙获评2023年中国科学院年度创新人物。“另辟蹊径”获取新突破作为第三代...……更多
2024-02-05 07:21:00碳化硅,余年,国产,碳化硅,晶体,小龙
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