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三星电子和台积电可能都遇到了3纳米半导体的生产问题,不过这一问题目前尚未有报告。据韩国媒体ChosunBiz援引消息人士的话报道,这两家半导体巨头在3纳米半导体良品率问题上可能都难以超过60%,而这一水平还不足以吸引硬...……更多
三星芯片跟随美国,失去中国市场,成为中美芯片竞争的输家
...务,存储芯片如今已是三星的最大利润来源,今年二季度三星电子的利润增长近10倍,其中主要原因就是存储芯片价格上涨,为三星带来了丰厚的回报。不过中国也已发展起自己的存储芯片,据悉近期中国的存储芯片企业再次突...……更多
现代汽车将采用 5 纳米工艺开发自家的车用半导体
...于去年6月成立了一个半导体开发实验室,并聘请了曾在三星电子的系统LSI部门从事车载芯片ExynosAuto开发工作的工程师KimJong-sun。现代汽车正计划为其半导体相关业务选择一家半导体设计公司,预计代工厂将是三星电子或台积电...……更多
三星表示,将成功实现2纳米节点,或提升芯片性能和功耗
...三星表示,他们已经成功将其工艺节点减小到了惊人的2纳米,这一突破有望为未来的芯片技术开辟全新的可能性。据三星表示,实现2纳米工艺节点的关键在于克服了多项技术难题,包括材料选择、光刻技术以及电子束曝光技术...……更多
三星开发首款5纳米emram车用存储
...于AEC-Q100Grade1的FinFET工艺的14nm工艺。IT之家从报道中获悉三星电子公布了路线图,计划在2024年量产14nm工艺eMRAM,并计划在2026年量产8nm、2027年量产5nm。与14纳米工艺相比,三星8纳米eMRAM具有将密度提高30%、速度提高33%的潜力。三...……更多
三星3nm良率翻至3倍!仍落后于台积电
2024-03-25 16:28:31 作者:姚立伟三星电子的3纳米Gate-All-Around(GAA)工艺的良率已经实现了显著的提升,从先前的10%至20%上升至30%至60%之间。然而,这仍然落后于竞争对手台积电。台积电计划在今年内将3纳米晶圆的产量扩大到每月...……更多
三星电子正在积极推进其2纳米工艺的研发,希望在先进制造领域挑战行业巨头台积电。据内部消息,三星的半导体代工部门正在快速推进其2纳米生产计划,并整合资源加速技术研发。业内人士甚至猜测三星可能会跳过3纳米工...……更多
三星发布先进芯片工艺路线图:新版2纳米制程2027年量产,研发生产时间缩短20%
6月13日,三星电子在“2024年三星代工论坛”上,发布未来多项芯片技术的进展,并表示其代工业务计划为客户提供一站式服务,整合其全球排名第一的存储芯片、代工和芯片封装服务,以更快地生产人工智能芯片,以利用人工...……更多
...文转自:科技日报科技日报首尔6月16日电 (记者薛严)三星电子日前在美国硅谷举行“2024年三星代工论坛”,表示2027年将引入尖端晶圆代工技术,推出两种新工艺节点,形成包括人工智能半导体研发、代工生产、组装在内的全...……更多
三星12纳米ddr5dram2023年量产
三星电子与AdvancedMicroDevices(AMD)合作开发了业界首款12纳米级DDR5动态随机存取存储器(DRAM)。这种新型DRAM将于2023年开始量产,预计将以其卓越的性能和更高的能效提升下一代计算、数据中心和人工智能(AI)应用的能力。三星12纳米DD...……更多
三星痛失谷歌高通订单!只因3nm良率太低
快科技6月18日消息,据韩国媒体报道,三星电子因3纳米工艺的量产良率和能效问题,失去了谷歌和高通两大客户的青睐。这两家公司已将订单转交给了台积电,后者目前已聚集了大部分3nm工艺订单。三星电子虽然在3年前宣布启...……更多
韩国顺从导致光刻机蒙尘,日本却大赚特赚,反省后计划卖给中国
...台积电比肩的芯片制造企业。 三星已量产全球最先进的3纳米工艺,率先引入GAA工艺,比台积电仍然采用FinFET工艺的3纳米还要先进,随着全球的芯片制造工艺转向5纳米及以下工艺,三星闲置了大量的DUV光刻机,这些DUV光刻机比...……更多
​三星多款Galaxy A系列新机即将发布,芯片工艺新进展
...片技术方案的更多信息。来自IT之家的一份报道中提到:三星电子已经决定将“第二代 3 纳米”工艺更名为“2 纳米”,而该工艺计划将于今年年底前量产。去年年底就有更名的相关消息,而现在基本已经得到确认。另外,三星...……更多
三星电子试生产第二代3nm级工艺sf3
1月21日消息,Chosun援引业内人士消息称,三星电子代工厂已开始针对其第二代3nm级工艺SF3进行试生产。据报道,该公司计划在未来六个月内将良率提高至60%以上。消息人士称,三星正在测试SF3节点上制造的芯片的性能和可靠性...……更多
抢光刻机、截客户,三大芯片巨头缠斗2nm丨知料
...10台2nm设备,但当中的6台已经被手快的英特尔提前锁定。问题是,各家的2nm制程量产时间基本锁定在2025年,如果消息成真,意味着ASML能匀给台积电和三星的光刻机数量已经不多。 焦虑的三星,直接请出了韩国总统出手。12月初...……更多
被人笑话的三星3nm,搞出全球首颗GAA芯片
豪赌GAA,风险很大。就在几天前,三星电子创造了半导体史上一个“不光彩”的记录——有韩媒爆料称,三星自家的Exynos 2500 芯片目前良率略低于 20%,而在试生产该处理器时,最后统计出的良率竟然为0%。紧接着,知名分析师...……更多
三星将推出第二代3nm工艺Exynos2500处理器
...三星Exynos2500的核心潜力在于其采用新的制程工艺。预计三星电子将利用三星代工厂开发的第二代3nm(纳米)制造技术。这一尖端工艺比之前在Exynos2400中使用的4nm工艺有显著优势,预计甚至会超过台积电的第一代3nm工艺,据传即将...……更多
3nm的芯片战争,才刚刚开始
...达到 99%,但在先进制程上,由于工艺难度和前期的大量问题,良率就可能非常低。但按照惯例,代工厂并不负责承担不良芯片的制造成本,这部分费用还是由芯片设计客户承担,比如苹果、英伟达。当然,「50%的良率」未必可...……更多
车规芯片和消费电子芯片的区别
...无法修复。所以消费电子除了追求性能外,还要兼顾功耗问题,不然很容易出现机身烫手、待机时间减少、使用体验下降等问题。随着芯片性能的日益强悍,芯片价格不断上涨,在手机总成本中占据了越来越大的份额。以高通骁...……更多
三星将在明年量产300层NAND闪存芯片
10月17日消息,今天,三星电子内存业务负责人LeeJung-Bae发表文章,称三星已生产出基于其第九代V-NAND闪存产品的运行芯片,希望明年初可以实现量产。同时三星还正在开发行业内领先的11纳米级DRAM芯片。该负责人还表示,对于DR...……更多
三星电子将美国泰勒新晶圆厂的量产时间推迟至2025年
12 月 26 日消息,据 Businesskorea 报道,三星电子将位于美国得克萨斯州泰勒的新半导体工厂的量产启动时间推迟到了 2025 年,而最初目标是明年开始量产。推迟的原因据推测与美国政府补贴和各种许可证复杂性问题有关,经济复...……更多
台积电1.4nm正式现身!A14工艺已研发完成
...相似,台积电计划在2027年推出SF1.4工艺(即1.4nm级别),纳米片的数量从3个增加到4个,这有望显著改善性能和功耗的表现。因此,在时间上来看,台积电的A14工艺应该与三星的SF1.4工艺相当。对于外界盛传三星在2nm上采取降价策...……更多
摩尔定律再进化,2纳米之后芯片如何继续突破物理极限
...以逾越的障碍,特别是短沟道效应、漏电流和隧道效应等问题日益突出。这些挑战不仅威胁到了摩尔定律的延续,也让人们对未来芯片技术的发展前景产生了怀疑。当时间来到2024年,等效3nm已经商用,而2nm甚至1nm都已被提上日...……更多
继台积电后,三星电子也推迟美国工厂量产计划至2025年
...,台积电亚利桑那州新工厂计划投产时间推迟到2025年。三星电子在得克萨斯州的芯片新工厂也推迟了大规模生产计划至2025年。·这两家芯片制造商在美国运营的工厂出现任何延误,都将让美国总统拜登提高美国本土芯片生产的...……更多
砸492亿买处理器,半导体巨头的“依赖症”
...一步提升,但这也将侵蚀三星的利润。近日,有消息称,三星电子新成立了一个芯片部门,其最终目标是在人工智能(AI)芯片领域占据领先地位。业内分析认为,这一新部门或将利于后续三星手机芯片业务的发展。新部门将由H...……更多
泰盛国际:三星DDR内存具有哪些功能优势?
...艺技术,减少内核及通电/断电次数凭借三星业界先进的1x纳米制程技术,DDR4可在提高性能、降低总体拥有成本的同时减少能耗。1.2V低操作电压和伪漏极开路(POD)接口可实现更低的功耗,其能耗降低了25%。3、可靠性显著提升安全...……更多
三星电子开设一个新的R&D研究实验室
1月28日消息,三星电子称其已经在美国硅谷开设了一个新的R&D研究实验室,专注于下一代3DDRAM芯片的开发。该实验室位于硅谷DeviceSolutionsAmerica(DSA)运营之下,负责监督三星在美国的半导体生产,并致力于开发新一代的DRAM...……更多
三星电子第四季度净利润23.50万亿韩元创历史最高
三星电子现公布2022年第四季度财报。三星电子第四季度净利润23.50万亿韩元,预估4.71万亿韩元。三星电子2022年全年营收为302.23万亿韩元(约合2455亿美元),同比增长8.1%,创历史最高。第四季度营收为70.5万亿韩元(约合572亿美...……更多
中国不买了,三大光刻机企业都降低预期,后悔莫及
...艺产能,对日本的光刻机需求不大;尼康开发出可用于5纳米的NIL工艺,但是成本、良率仍然与光刻机生产芯片有差距,而且生产5纳米工艺的三星和台积电都再扩张5纳米工艺产能,这就导致日本的光刻机企业相当依赖中国市场。...……更多
把两块芯片压成一块:EUV以来半导体制造的最大创新
...实现了最紧密的间距 —— 约 360 纳米到 500 纳米 —— 这有关在一件事上付出的大量努力:平整度。要以 100 纳米级的精度将两个晶圆结合在一起,整个晶圆必须几乎完全平坦。如果它稍微弯曲或扭曲,整个部分就无法连接。晶...……更多
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