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...日，IMEC就发布了其1nm以下工艺的路线图，分享了对应的晶体管架构研究和开发计划。据TomsHardware报道，IMEC的工艺路线图显示，FinFET晶体管将在3nm走到尽头，然后过渡到新的GateAllAround（GAA），预计2024年进入大批量生产，之后还...……更多
2023-05-31 00:35:00晶体管,路线图,晶体,路线,晶体管,芯片
...能每两年翻一番的经验法则——是否还能继续有效。随着晶体管尺寸的不断缩小，人们普遍担忧物理限制将会成为难以逾越的障碍，特别是短沟道效应、漏电流和隧道效应等问题日益突出。这些挑战不仅威胁到了摩尔定律的延续...……更多
2024-08-07 09:43:00摩尔,定律,纳米,进化,芯片,物理
... PowerVia 背面供电技术的芯片，通过优化供电提高性能和晶体管密度。同时 18A 也是英特尔首个采用 RibbonFET 全周栅极（GAA）晶体管的节点，在缩小面积的情况下，提供更高的晶体管密度和更快的晶体管开关速度。英特尔 18A 现已...……更多
2024-02-22 09:20:00代工,英特,英特尔,代工厂,路线图,节点
...出更先进的N2系列工艺。这一系列工艺将集成超过1000亿个晶体管，并通过CoWoS、InFO和SoIC等多种封装技术实现。此外，台积电还计划使用EUV光刻、金属氧化物ESL等新材料和新技术。更令人期待的是，台积电还规划了1.4nm级别的A14和...……更多
2023-12-28 18:02:00晶体管,晶体,封装,晶体管,晶体,工艺
在计算机芯片上的晶体管数量大约每18个月翻一番，这一产业发展的规律被称为摩尔定律。然而，随着近年来晶体管的尺寸趋近物理极限，摩尔定律的进一步发展对半导体工程师来说是一场噩梦，因为他们需要制造更小、更强大...……更多
2024-01-17 10:42:00二维,三维,晶体管,晶体,效应,摩尔
作为组成芯片的基本元件，晶体管的尺寸随着芯片缩小不断接近物理极限，其中发挥着绝缘作用的栅介质材料十分关键。中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员狄增峰团队开发出面向二维集成电路的单晶氧化铝栅介质...……更多
2024-08-08 09:26:00绝缘材料,绝缘,科学家,芯片,我国,科学
...该工艺将依赖于第二代或第三代Gate-all-around FETs（GAAFET）晶体管技术。此外，也不清楚台积电是否会在A14工艺上启用High-NA EUV光刻机，但这种新设备的引入可能会为芯片设计人员和制造商带来一些新的挑战。与三星的技术路线图...……更多
2023-12-15 10:02:00工艺,工艺,技术,三星,晶体管,制程
...进的光学设计将图案投影到硅晶圆上，从而实现分辨率和晶体管尺寸上的进步。英特尔即将推出的14A工艺英特尔在2月份宣布将代工业务剥离为一个独立的实体，当时就详细介绍了即将推出的Intel 14制造工艺。英特尔TWINSCAN EXE: 5000...……更多
2024-04-23 10:24:00英特,光刻,英特尔,最先,全球,系统
...源：氧化铝薄膜晶圆瞻观前沿作为组成芯片的基本元件，晶体管的尺寸随着芯片缩小不断接近物理极限，其中发挥着绝缘作用的栅介质材料十分关键。8月8日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员狄增峰团队开发出面...……更多
2024-08-12 09:53:00蓝宝,技术,赛道,蓝宝石,图谱,厚度
...芯片，而Nvidia采取不同策略：在并行处理中，不需要每个晶体管都很出色我们更倾向于使用更多但较慢的晶体管，而不是更少但更快的晶体管宁愿有10倍数量、速度慢20%的晶体管，也不要数量少10倍、速度快20%的晶体管Q：关于定...……更多
2024-10-23 12:25:00新市,英伟,份额,从不,目标,市场
...下为芯智讯对该文章的翻译：目前芯片制造商依然是依靠晶体管微缩来推动微芯片技术的进步。虽然，这并不是改进芯片的唯一方法，例如，新颖的架构、先进封装等也可以提高性能。但摩尔定律本质上成为普遍法则是有原因的...……更多
2024-01-28 22:23:00光刻,直达,分辨率,全球,光刻,芯片
... A17 Pro。A17 Pro 采用了台积电最新的 3nm 工艺（N3B）制造，晶体管数量达到了惊人的 190 亿，这是全世界第一款采用台积电 3nm 工艺的手机芯片，也是 3nm 工艺第一次出现普通人就可以买到的大众消费品上。要知道，随着芯片尺寸越...……更多
2023-10-11 15:22:00芯片,战争,芯片,工艺,晶圆,三星
...nte Vecchio”），采用3D封装的Chiplet技术，集成超过1000亿个晶体管，其中集成的47块裸片来自不同的代工厂，涵盖5种以上的差异化工艺节点，异构集成技术大幅提升，能够为物理、金融服务、生命科学等领域的工作负载带来更高的...……更多
2023-01-11 22:21:00英特,四代,英特尔,晶体管,晶体,处理器
...，目前全球还没有商业化的先例。三星也宣扬全环绕栅极晶体管（GAA）的架构，随着芯片变得越来越精细，甚至突破物理极限，GAA视为继续为AI制造更强大芯片的重要因素。台积电等竞争对手也在开发GAA芯片，但三星起步更早，...……更多
2024-06-13 18:48:00制程,三星,路线图,研发生产,纳米,芯片
...软更新推出。值得一提的是，这将是最后一个采用 FinFET 晶体管的节点。你可能想知道英特尔如何在六个月内量产两个节点。但其实按照报道，英特尔的4nm（intel 4)和 3nm(intel 3)工艺由两个独立的团队同时开发。这本质上是Tick Tock ...……更多
2023-01-20 06:00:00英特,英特尔,战局,英特,英特尔,三星
...城工厂开始生产3nm芯片，采用全新GAA（Gate-All-Around）架构晶体管技术。不过在量产以后，三星的3nmGAA工艺的良品率一直都不是那么理想。近日有网友透露，三星初期3nm工艺的良品率最初徘徊在10%至20%之间，经过多方努力后，最近...……更多
2024-03-24 17:44:00良品率,三星,工艺,良品率,三星,工艺
...。该工艺是在20A的基础上打造，后者第一次将环栅 (GAA) 晶体管技术RibbonFET与背面供电技术PowerVia相结合。RibbonFET能够精确控制晶体管沟道中的电流，在减少功耗方面发挥着重要作用，同时还能实现芯片组件的进一步小型化。另一...……更多
2024-10-16 12:48:00样品,最先,工艺,基辛格,工艺,基辛
...路线图，而事实上如今随着半导体制程工艺的愈发先进，晶体管之间将会出现量子隧穿等效应，从而降低晶体管的运行效率，从而提升CPU的能耗。事实上英特尔也在利用各式各样的供电技术减少这种情况出现，比如说全新的PowerV...……更多
2023-06-06 13:00:00电压,商用,供电,技术,英特,英特尔
...工艺采用了业界领先的极紫外光刻技术，能够实现更高的晶体管密度和更低的功耗。这一工艺的优化也为微软的定制芯片提供了强大的性能支持。据了解，微软的定制芯片将用于增强其AI服务，包括去年11月公布的AzureMaiaAI加速器...……更多
2024-02-23 10:26:00英特,英特尔,微软,芯片,领域,合作
...产。三星的3nm工艺很激进，相比台积电2nm工艺才会转向GAA晶体管的保守，三星在第一代3nm工艺上就使用了GAA晶体管技术，而且是MBCFET多桥通道场效应晶体管，被称为SF3E，也就是3GAE工艺。这次宣布的是SF3工艺，也就是之前的3GAP高...……更多
2023-05-10 15:43:00二代,三星,功耗,工艺,工艺,三星
当前，为了解决芯片微缩瓶颈、以及推进晶体管尺度的进一步微缩，必须寻找全新的沟道材料，从而开发新的器件功能和器件架构。2017 年，作为下一代晶体管沟道材料，二维半导体被纳入国际半导体器件与系统路线图（IRDS，In...……更多
2024-04-08 10:17:00亚纳,二硫化钼,单晶,薄膜,科学家,芯片
...，一直在为良品率发愁。三星3nm工艺首次引入了GAA全环绕晶体管，分为一代3GAE、二代3GAP两个版本。据悉，三星内部设定的量产良品率最低标准是70％，但是初代3GAE目前只能达到50-60％，仍旧无法投入大规模量产。
第二代3GAP更...……更多
2024-11-12 13:47:00二代,良品率,三星,一代,只有,三星
...。英特尔正为其未来芯片寻找新的开发路线，包括3D堆叠晶体管以实现更高密度、扩展背面供电以及使用氮化稼来实现更高的传输功率等。总部位于圣克拉拉的芯片巨头将在本周于旧金山召开的第69届IEEE国际电子器件年会（IEDM）...……更多
2023-12-13 10:23:00英特,英特尔,晶体管,晶体,新工艺,供电
...过半导体制程与工艺、先进封装等技术共同延续单位面积晶体管倍增的增长曲线。首个EUV节点Intel 4将于2023年下半年按计划推出，比Intel 7每瓦性能将提高约20%；Intel 3预计将于2023年下半年投产，比Intel 4每瓦性能将提高约18%；Intel ...……更多
2023-11-06 14:43:00晶体管,晶体,半导体,业内,目标,英特
...代工费用报价，要比台积电7nm工艺便宜四成。虽然前者的晶体管密度不及台积电7nm工艺，但由于功耗设计优秀，在实际应用中并没有逊色于后者。除了代工价格一路水涨船高外，台积电的产能分配问题也一直被业界所诟病。此前...……更多
2024-06-25 09:23:00三星,自己人,三星,芯片,高通,架构
...制程节点。传统的芯片制造采用自下而上的方式，先制造晶体管再建立用于互连和供电的线路层。然而，随着工艺的进步，这种供电模式的线路层变得越来越混乱，并对设计和制造产生了干扰。为了解决这个问题，BSPDN技术将芯...……更多
2024-02-29 04:35:00三星电子,三星,供电,得了,结果,测试
...光子技术重新定义芯片通信和计算的方式。将越来越小的晶体管塞进芯片中的能力促成了当今无所不在的计算时代。但这种方法最终遇到了限制，一些专家宣布了摩尔定律及其相关原理——丹纳德缩放的终结。这些发展的时机再...……更多
2024-03-18 10:48:00光子,革命性,变革,革命,领域,技术
...仅体现在工艺节点的推进，更在于其对多桥-通道场效应晶体管(MBCFET)架构的深度优化。这种架构通过采用先进的外延技术和集成方案，相较于传统的FinFET结构，实现了11%至46%的晶体管性能跃升，同时降低了26%的性能波动和大约50%...……更多
2024-06-17 23:15:00三星,芯片,三星,技术,晶体管,节点
...有所提高，可以实现更高分辨率的图案化，以实现更小的晶体管特征。英特尔打算在Intel18A制程节点引入High-NAEUV光刻技术，这意味着大概在2026年至2027年之间开始启用新设备。事实上，台积电（TSMC）和三星都已表示会采购High-NAEU...……更多
2024-02-11 19:43:00光刻,光刻,英特,英特尔,晶圆,孔径
...设计。这两款电源均将混合使用硅、氮化镓、碳化硅三类晶体管开关，以实现100W/in³的高功率密度和97.5%的高转换效率。根据英飞凌官网提供的信息，REF_8KW_HFHD_PSU将采用全数字控制交错式无桥图腾柱PFC搭配全桥GaNLLC的电路设计，...……更多
2024-05-30 04:17:00超高,功率,电源,解决方案,服务器,方案
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