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科学家制备2英寸二硫化钼单晶薄膜,推动亚纳米芯片走向实际应用
...后摩尔时代”集成电路性能。作为一种二维半导体材料,二硫化钼凭借多种优点成为解决硅基器件微缩瓶颈、以及构筑集成度更高、速度更快、功耗更低的下一代新型芯片的理想材料。为了实现二维半导体全部潜力及其在高性能...……更多
...统,并在单晶蓝宝石衬底上外延生长了8英寸高定向单层二硫化钼晶圆。相关成果发表于《先进材料》。以单层二硫化钼为代表的二维半导体具有极限物理厚度、原子级平整表面及优异的电学性能,被认为是后摩尔时代突破亚纳...……更多
...》报道,瑞士洛桑联邦理工学院研究人员提出了一种基于二硫化钼的内存处理器,专用于数据处理中的基本运算之一:向量矩阵乘法。这种操作在数字信号处理和人工智能模型的实现中无处不在,其效率的提高可为整个信息通信...……更多
我国科学家开发出面向新型芯片的绝缘材料
作为组成芯片的基本元件,晶体管的尺寸随着芯片缩小不断接近物理极限,其中发挥着绝缘作用的栅介质材料十分关键。中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员狄增峰团队开发出面向二维集成电路的单晶氧化铝栅介质...……更多
我国科学家开发出新型“光学硅”芯片
来源:极目新闻科技日报记者陆成宽随着集成电路产业发展进入“后摩尔时代”,集成电路芯片性能提升的难度和成本越来越高,人们迫切需要寻找新的技术方案。近日,中国科学院上海微系统与信息技术研究所科研团队在钽...……更多
...半金属与二维半导体界面的轨道杂化,将单层二维半导体二硫化钼(MoS2)的接触电阻降低至42欧姆微米,超越了以化学键结合的硅基晶体管接触电阻,并接近理论量子极限。该成果突破了二维半导体应用于高性能集成电路的关键...……更多
二维场效应晶体管的三维集成
...。研究人员利用每一层都包含超过10000个由单原子厚度的二硫化钼(MoS2)薄片制成的晶体管,并在将MoS2薄膜转移到晶圆之前分别生长了这些薄膜,这一过程不需要高温,为摩尔定律的发展提供了新的思路。图1. 用二维材料制备...……更多
厚度仅为1纳米!我国科学家开发出“人造蓝宝石”,实现材料技术重大突破【附显示驱动芯片技术赛道观察图谱】
图源:氧化铝薄膜晶圆瞻观前沿作为组成芯片的基本元件,晶体管的尺寸随着芯片缩小不断接近物理极限,其中发挥着绝缘作用的栅介质材料十分关键。8月8日,中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员狄增峰团队开发出...……更多
...磊正通过一台X射线衍射仪对某高校科研团队最新研制的二硫化钼4英寸单晶外延衬底片进行结构表征。“二硫化钼被认为是最有希望代替硅,成为应用在半导体、芯片等高精尖领域的理想材料之一。”王亚磊告诉记者,他要对二...……更多
通往万亿晶体管芯片,关键技术揭秘
...从什么路径走,电流强度、电压的压降如何。右边图中的二硫化钼(MoS2),即是一种过渡金属硫化物,可以形成薄片状的结构。在探索能效存储新可能方面,英特尔在去年IEDM期间发表了在300mm硅制程上制造硅基氮化镓的晶体管...……更多
...于(自支撑氧化物薄膜)这一正迅速发展的研究领域内的科学家们而言,这无疑是一个有趣的工作”“具有从多个方面对氧化物电子学领域形成广泛影响的潜力”。 ……更多
...的重点是将二维材料作为硅的潜在替代品。但在此之前,科学家们必须首先找到一种方法,在保持其完美结晶形态的同时,在工业标准硅片上设计这种材料。现在,麻省理工学院研究团队用二维材料过渡金属二硫化物(TMD)制造...……更多
中国与瑞士团队合作研发成功可批量制造新型光子芯片技术
...覆性技术。与铌酸锂类似,中国与瑞士合作团队研究证明单晶钽酸锂薄膜同样具有优异的电光转换特性,且在双折射、透明窗口范围、抗光折变、频率梳产生等方面相比铌酸锂更具优势。此外,硅基钽酸锂异质晶圆的制备工艺与...……更多
科学家发现新型液态合金体系,成功制备多晶钻石薄膜
...大距离。”相较于产业化应用,作为从事基础科学研究的科学家,罗达更关注本次钻石制备方法能给学界带来的影响。他说:“预计钻石制造领域的科学家和工程师会尝试重复我们的钻石生长过程,期间可能会有新发现甚至是新...……更多
研究人员开发新型光学“硅”与芯片技术
...方案。欧欣团队与合作者通过研究发现,相比于铌酸锂,单晶钽酸锂薄膜不仅具有类似的优异电光转换特性,并且在双折射、透明窗口范围、抗光折变、频率梳产生等方面更具优势。此外,钽酸锂薄膜可实现低成本和规模化制造...……更多
科学家用铌酸锂薄膜集成平台操控光子态,为高速量子计算提供思路
...和光子电路互连,并用于量子计算和模拟实验。近年来,科学家开发了固态量子发射器,例如量子点。它能作为较为理想的、高效的不可区分光子源,来实现按需单光子源。近期,丹麦哥本哈根大学联合德国明斯特大学团队,在...……更多
科学家成功调控反铁电材料的热导率,有望用于新能源汽车和消费电子
近日,哈尔滨工业大学陈祖煌教授和合作者,在反铁电材料锆酸铅中,通过结构相变的方法,成功实现了热导率的调控,借此获得 2.2 的大开关比,小于 150 纳秒的响应时间,以及 1000 万次的稳定循环。(来源:Science)研究中,...……更多
摩尔定律再进化,2纳米之后芯片如何继续突破物理极限
...材料是过渡金属二硫化物(TMDs)、如二硫化钨(WuS2)、二硫化钼(MoS2)等。,它们具有优异的电子性质,可用于制作超薄的导电沟道和栅极结构。下面就是英特尔使用二维半导体材料缩小晶体管结构的例子。随着摩尔定律逐渐...……更多
我国自主研发钙钛矿单晶晶片通用生长技术
...亮了光电子器件的未来。这项技术的背景,是建立在无数科学家日以继夜的努力和无尽的好奇心上。从最初对材料的基本理解,到实验室中的首次成功合成,每一步都充满了挑战和惊喜。钙钛矿材料的独特性质,如其对光的高效...……更多
科学家打造基于量子芯片的神经储存器,有望用于自然语言处理任务
近日,沙特阿卜杜拉国王科技大学何钊博士和所在团队,打造了一种基于量子芯片的神经储存器,支持每平方厘米万亿个节点。(来源:arXiv)相比此前的同类系统,本次系统的网络规模高出 2-7 个数量级。对于每个网络节点来...……更多
我国科学家开发出新型芯片绝缘材料“人造蓝宝石”:1nm厚度也能绝缘
快科技8月8日消息, 作为组成芯片的基本元件,晶体管的尺寸随着芯片缩小不断接近物理极限,其中发挥着绝缘作用的栅介质材料十分关键。中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员狄增峰团队开发出面向二维集成电路...……更多
突破!中国科学家发现全新磁子态:或可用于芯片雷达
3月12日消息,从上海科技大学官网获悉,日前,上海科技大学物质科学与技术学院陆卫教授课题组在光子-磁子相互作用及强耦合调控方向取得重要进展。研究团队首次在铁磁绝缘体单晶中发现了一种全新的磁共振,命名为光诱...……更多
科技“魔法”登上知名期刊
...理工大学清洁能源材料与器件团队自主研发的一种钙钛矿单晶薄膜通用生长技术,将晶体生长周期由7天缩短至1.5天,实现了30余种金属卤化物钙钛矿半导体的低温、快速、可控制备,为新一代的高性能光电子器件提供了丰富的材...……更多
...构获选院士分别来自全球70余个国家,成员囊括世界著名科学家、诺贝尔奖获得者、人文艺术家等,终身院士均由世界著名科学家以及专业精英构成。中国吉林网 吉刻APP记者 殷维 ……更多
科学家研发铌酸锂微波光芯片,兼具超宽带处理和高精度计算
近期,香港城市大学王骋副教授课题组基于薄膜铌酸锂平台,开发出一款集成微波光子处理器,首次在同一芯片上结合了超快电光转换模块和低损耗、多功能信号处理模块。基于高效执行模拟信号的多用途处理及计算工作,这...……更多
聚焦下一代信息存储技术 中国科学家研究铁电隧道结存储器获新进展
本文转自:中国新闻网中新网北京3月15日电 (记者 孙自法)记者3月15日从中国科学院金属研究所获悉,该所沈阳材料科学国家研究中心胡卫进研究员与同事等合作,聚焦下一代信息存储技术——铁电隧道结存储器开展研究,提出...……更多
仅1纳米厚度也能阻止电流泄漏,上海科学家创新蓝宝石介质显著提高芯片能效
传统介质材料厚度减小到纳米级别,绝缘性能会显著下降随着电子设备不断小型化和性能要求的提升,芯片中的晶体管数量持续增加,尺寸也日益缩小。然而,当传统的介质材料厚度减小到纳米级别时,其绝缘性能会显著下降...……更多
华理团队研发通用晶体生长技术,《自然-通讯》发表其成果
...理工大学清洁能源材料与器件团队自主研发了一种钙钛矿单晶薄膜通用生长技术,将晶体生长周期由7天缩短至1.5天,实现了30余种金属卤化物钙钛矿半导体的低温、快速、可控制备,为新一代的高性能光电子器件提供了丰富的材...……更多
伯克利实验室开发的新型微型电容器显示出创纪录的能量和功率密度
...利国家实验室(伯克利实验室)和加州大学伯克利分校的科学家们在克服这些挑战方面迈出了重要一步,最近在微型电容器中实现了创纪录的高能量和高功率密度。这些电容器由氧化铪和氧化锆的工程薄膜制成,采用了芯片制造...……更多
本文转自:光明日报无须“着墨” 绘就万千我科学家团队实现“飞秒激光无墨彩打”关键技术突破直径2英寸,手感轻如蝉翼;图案包含13种色彩,未用到一滴油墨;肉眼色彩饱满,也将持久闪耀……去年夏天,当每一位西湖大...……更多
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王腾:REDMI新Logo没花200万
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快科技11月21日消息,此前一直有不少人对于Intel酷睿处理器的各个后缀字母所代表含义不甚理解,今天Intel官方发布文章解读了各个字母所代表含义
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