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台积电:2030年量产1nm、可封装1万亿个晶体管
...出更先进的N2系列工艺。这一系列工艺将集成超过1000亿个晶体管,并通过CoWoS、InFO和SoIC等多种封装技术实现。此外,台积电还计划使用EUV光刻、金属氧化物ESL等新材料和新技术。更令人期待的是,台积电还规划了1.4nm级别的A14和...……更多
...过半导体制程与工艺、先进封装等技术共同延续单位面积晶体管倍增的增长曲线。首个EUV节点Intel 4将于2023年下半年按计划推出,比Intel 7每瓦性能将提高约20%;Intel 3预计将于2023年下半年投产,比Intel 4每瓦性能将提高约18%;Intel ...……更多
三星展望HBM4内存:工艺学习Intel 22nm
...在三星的规划中,HBM4将有两个发展方向,使用更先进的晶体管工艺和更高级的封装技术。工艺方面,三星计划在HBM上放弃传统的平面晶体管,改用FinFET立体晶体管,从而降低所需的驱动电流,改善能效。FinFET立体晶体管技术是In...……更多
普通芯片背后的惊天秘密!
...要了解普通芯片的基本结构。普通芯片由数以亿计的微小晶体管组成,每个晶体管都可以控制和传输电流。这些晶体管互相连接形成一个庞大的网络,使得芯片能够进行复杂的信息处理和存储。当电流通过晶体管时,它将被传输...……更多
英特尔继续推进摩尔定律:芯片背面供电,突破互连瓶颈
...推进摩尔定律,在2030年前实现在单个封装内集成1万亿个晶体管。·包括PowerVia背面供电技术、用于先进封装的玻璃基板和Foveros Direct技术预计将在2030年前投产。12月9日,英特尔在IEDM 2023(2023 IEEE 国际电子器件会议)上展示了使...……更多
摩尔定律已死在28nm!芯片越来越贵的秘密找到了
...管Milind Shah的最新研究显示,2012年的28nm工艺节点之后,晶体管的平均成本已经不再下降,自然导致芯片的成本和价格居高不下。他指出,28nm及之前,晶体管平均成本在每一代新工艺上都会降低30%,但28nm之后,每一代都基本不...……更多
台积电推2nm,芯片制程极限升级,2nm或不再是我们理解的2nm了
...片都不相同,它需要在每平方毫米的面积上,植入3亿颗晶体管,相当于在一个指甲盖那么大的面积里,塞下近400亿颗晶体管。这个数量是现在主流5nm芯片的2倍左右。如此巨大的提升与恐怖的密度,需要将芯片制造技术从2D平面...……更多
英特尔重塑代工业务:按期推进4年5个节点计划、公布Intel 14A路线图、2030要成第二大代工厂
... PowerVia 背面供电技术的芯片,通过优化供电提高性能和晶体管密度。同时 18A 也是英特尔首个采用 RibbonFET 全周栅极(GAA)晶体管的节点,在缩小面积的情况下,提供更高的晶体管密度和更快的晶体管开关速度。英特尔 18A 现已...……更多
二维场效应晶体管的三维集成
在计算机芯片上的晶体管数量大约每18个月翻一番,这一产业发展的规律被称为摩尔定律。然而,随着近年来晶体管的尺寸趋近物理极限,摩尔定律的进一步发展对半导体工程师来说是一场噩梦,因为他们需要制造更小、更强大...……更多
3nm的芯片战争,才刚刚开始
... A17 Pro。A17 Pro 采用了台积电最新的 3nm 工艺(N3B)制造,晶体管数量达到了惊人的 190 亿,这是全世界第一款采用台积电 3nm 工艺的手机芯片,也是 3nm 工艺第一次出现普通人就可以买到的大众消费品上。要知道,随着芯片尺寸越...……更多
20余年坚守创新  他为国产碳化硅“开路”
...的六方碳化硅(4H-SiC),有望制备出更高性能的碳化硅基晶体管。这是国际首次获得可量产、可商业化的晶圆级立方碳化硅单晶生长技术。近期,陈小龙获评2023年中国科学院年度创新人物。“另辟蹊径”获取新突破作为第三代...……更多
英特尔在IEDM大会上展示新工艺,背面供电与堆叠晶体管纷纷亮相
...。英特尔正为其未来芯片寻找新的开发路线,包括3D堆叠晶体管以实现更高密度、扩展背面供电以及使用氮化稼来实现更高的传输功率等。总部位于圣克拉拉的芯片巨头将在本周于旧金山召开的第69届IEEE国际电子器件年会(IEDM)...……更多
amd造出最大芯片instinctmi300加速卡
...显存堆栈,集成了5nm和6nmIP,总共包含128GBHBM3显存和1460亿晶体管,将于2023年下半年上市。目前来看,AMDInstinct MI300的晶体管数量已经超过了英特尔1000亿晶体管的PonteVecchio,是AMD投产的最大芯片。从苏姿丰女士手举InstinctMI300……更多
最前线|CPU AI性能提升10倍!英特尔推第四代至强可扩展处理器,以及超1000亿晶体管GPU
...nte Vecchio”),采用3D封装的Chiplet技术,集成超过1000亿个晶体管,其中集成的47块裸片来自不同的代工厂,涵盖5种以上的差异化工艺节点,异构集成技术大幅提升,能够为物理、金融服务、生命科学等领域的工作负载带来更高的...……更多
ibm发布首款先进cmos晶体管
...上,IBM研究人员展示了首款专为液氮冷却优化的先进CMOS晶体管。据IT之家了解,液氮沸点极低,只有-196°C,是目前主流电子器件无法承受的超低温。然而,在如此严寒的环境下,晶体管的电阻和漏电电流都会大幅降低,从而提...……更多
ASML揭秘全球第一台高NA EUV光刻机:分辨率直达8nm
...下为芯智讯对该文章的翻译:目前芯片制造商依然是依靠晶体管微缩来推动微芯片技术的进步。虽然,这并不是改进芯片的唯一方法,例如,新颖的架构、先进封装等也可以提高性能。但摩尔定律本质上成为普遍法则是有原因的...……更多
...文转自:科技日报重新定义数据处理的能源效率具有千个晶体管的二维半导体问世【总编辑圈点】科技日报北京11月13日电 (记者张梦然)据最新一期《自然·电子学》报道,瑞士洛桑联邦理工学院研究人员提出了一种基于二硫...……更多
盘点搭载麒麟990处理器的手机,共15款
...e 30 5G搭载麒麟990 5G SoC旗舰芯片,7nm+EUV制程工艺,103亿颗晶体管,CPU三档能效架构,性能与能效皆大幅提升,大型文件处理手到擒来,各类计算任务游刃有余正面是一块6.62英寸的AMOLED柔性直屏,采用更先进的COP屏幕封装技术,...……更多
台积电2nm芯片初始产能将花落谁家!曝苹果有望最先采用
...越小代表了越先进的制造工艺,可以使芯片上集成更多的晶体管,从而提高处理器的速度、实现更有效的功耗。之前从5纳米技术到3纳米技术的飞跃就使iPhone的GPU速度提高了20%、CPU速度提高了10%、iPhone的神经网络引擎速度提高了2...……更多
三星2nm工艺抢得先机?已收到日本AI公司的芯片订单
...量产了SF3E(3nmGAA),引入全新的GAA(Gate-All-Around)架构晶体管技术。根据之前公布的计划,三星今年将带来名为SF3(3GAP)的第二代3nm工艺技术,使用“第二代多桥-通道场效应晶体管(MBCFET)”,在原有的SF3E基础上做进一步的...……更多
固态热晶体管超高速精确控制热量
本文转自:科技日报固态热晶体管超高速精确控制热量开辟计算机芯片热管理新领域固态热晶体管通过电场控制热运动。图片来源:胡永杰实验室/加州大学洛杉矶分校科技日报讯 (记者张梦然)美国加州大学洛杉矶分校研究人...……更多
基辛格:摩尔定律的节奏放缓至三年但仍未消亡
...戈登·摩尔提出,其核心内容为:集成电路上可以容纳的晶体管数目在每经过18-24个月便会增加一倍,即处理器的性能大约每两年翻一倍,同时价格下降为之前的一半。基辛格在演讲中表示,现在的发展速度实际上已经落后于摩...……更多
...re云计算平台上的人工智能和通用工作负载,拥有1050亿个晶体管,基于台积电5纳米工艺打造,并专为大语言模型设计。而AzureCobalt100则是一款基于Arm架构的128核CPU,适用于执行常规计算任务,如为微软Teams提供动力。微软解释称...……更多
amdinstinctmi300aapu预估明年开始交付
...1TFLOPSFP32精度下,最高算力122TFLOPS最高128GBHBM3内存1460亿个晶体管MI300A的封装和MI300X非常相似,不过前者使用了TCO优化的内存容量和Zen4内核。每个活动die有2个CDNA3GCD,提供单独的缓存和核心IP池。每个CCD有8个内核和16个线程,因……更多
AMD官宣重磅发布会!事关AI的未来
...,MI300X是传统风格的纯GPU加速卡,拥有史无前例的530亿个晶体管,配备多达192GBHBM3内存,已于第三季度出样。它寄托了AMD极大的期望,将与NVIDIA、Intel正面对抗争夺AI市场,还有望成为AMD历史上以最快速度达到1亿美元销售额的产...……更多
台积电1.4nm正式现身!A14工艺已研发完成
...该工艺将依赖于第二代或第三代Gate-all-around FETs(GAAFET)晶体管技术。此外,也不清楚台积电是否会在A14工艺上启用High-NA EUV光刻机,但这种新设备的引入可能会为芯片设计人员和制造商带来一些新的挑战。与三星的技术路线图...……更多
首次采用 3nm 制程、比 M1 Max 快 80%!苹果亮相 M3 系列芯片,最高搭载 40 核 GPU
...支持 24GB 统一内存和一个外置显示器。M3 还拥有 250 亿个晶体管——比 M2 多 50 亿个。它拥有采用下一代架构的 10 核 GPU,图形性能比 M1 快 65%。M3 Pro 具有 12 核 CPU、18 核 GPU、6 个性能核心、6 个效率核心,由 370 亿个晶体管组成,.……更多
...接触电阻降低至42欧姆微米,超越了以化学键结合的硅基晶体管接触电阻,并接近理论量子极限。该成果突破了二维半导体应用于高性能集成电路的关键瓶颈之一。1月12日,研究论文发表于《自然》。金属-半导体欧姆接触是实现...……更多
amd发布新一代加速卡instinctmi300系列
...4块,还有128GBHBM3显存。整个InstinctMI300显卡拥有高达1460亿晶体管,这是当前最复杂、集成度最高的加速卡了,NVIDIA的H100也不过800亿晶体管,Intel的PonteVecchio加速卡之前做了1000亿晶体管,现在MI300创新高了。至于MI300加速卡的性能……更多
固态硬盘的原厂颗粒有多重要
...NAND生产的要求也更高。由于NAND芯片是通过对内部的浮栅晶体管进行充电和放电操作来进行数据擦除及写入,TLC有4种电压变化,而QLC有16种电压变化,因此存储数据的速度也会慢一些。同时,晶体管能充放电的次数是有限的,它...……更多
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