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...的六方碳化硅（4H-SiC），有望制备出更高性能的碳化硅基晶体管。这是国际首次获得可量产、可商业化的晶圆级立方碳化硅单晶生长技术。近期，陈小龙获评2023年中国科学院年度创新人物。“另辟蹊径”获取新突破作为第三代...……更多
2024-02-05 07:21:00碳化硅,余年,国产,碳化硅,晶体,小龙
IT之家5月2日消息，电子器件的核心部件是晶体管，它可以控制电流的开关和大小，从而实现各种计算和信号处理功能。目前，晶体管的主要材料是硅，因为它具有良好的半导体特性，可以在微观尺度上制造出高性能的晶体管。...……更多
2023-05-03 00:22:00界首,晶体管,晶体,木质,科学家,频率
...，以及硅晶体二极管的优异表现，坚定了默文・凯利发展晶体管技术的决心。他暗下决定，要带领贝尔实验室，allin半导体。1945年7月，二战临近结束。为了适应战后研究方向的调整，贝尔实验室进行了各个研究部门的改组。当...……更多
2023-02-02 15:38:00晶体管,晶体,肖克利,肖克,晶体,贝尔实验室
...块芯片最大的亮点——GAA工艺（Gate-All-Around，全环绕栅极晶体管）。要在指甲盖大小的芯片里塞下数百亿个晶体管，听上去就如同天方夜谭，但工程师们总能想出新办法。其中一种思路就是将晶体管像积木一样堆叠起来，那么就...……更多
2024-07-13 09:52:00三星,芯片,全球,三星,工艺,芯片
...文转自：科技日报重新定义数据处理的能源效率具有千个晶体管的二维半导体问世【总编辑圈点】科技日报北京11月13日电 （记者张梦然）据最新一期《自然·电子学》报道，瑞士洛桑联邦理工学院研究人员提出了一种基于二硫...……更多
2023-11-14 01:26:00二维,晶体管,晶体,半导体,二硫化钼,晶体管
...们得到了高迁移率、高开态电流和开关比、低回滞的 p 型晶体管，推动了二维半导体电子器件的应用发展。这种不破坏沟道材料的简单掺杂方法，通过范德瓦尔斯界面耦合的方式，来调控二维半导体沟道的载流子极性。利用这一...……更多
2024-05-31 14:21:00二维,范式,维度,晶体管,量子,攻关
...介绍，M2Pro/Max芯片均采用5nm制程，其中，前者集成400亿只晶体管，比M1 Pro芯片增加近20%；后者集成670亿只晶体管，是M2芯片的3倍以上。自从苹果开启M系列自研处理器之路后，它与英特尔的距离似乎越来越远了，并且随着苹果推...……更多
2023-01-20 06:00:00英特,英特尔,芯片,苹果,英特,英特尔
...艺中的重要节点。相比40纳米，28纳米工艺栅密度更高、晶体管速度可提升大约50%，开关时能耗减小约50%。在成本相同的情况下，采用28纳米工艺可使芯片具有更加良好的性能优势。这使得28纳米工艺在集成电路各工艺段中具有更...……更多
2023-05-09 10:05:00纳米,前景,工艺,纳米,英特,晶圆
...的最后一步的主角，基板上固定的裸晶越多，整个芯片的晶体管数量就越多。芯片基板材料主要经历了两次迭代，上世纪70年代开始使用引线框架，在90年代过渡到陶瓷基板，也是目前最常见的有机材料基板。在封装解决方案中...……更多
2024-07-13 10:13:00基板,新宠,玻璃,咨询,技术,基板
...工艺的先进变体，并强调了称为全方位栅极（GAA）的先进晶体管设计对芯片行业未来的重要性。三星最新活动的核心是该公司的两种新的半导体制造工艺。这些是三星SF2Z和三星SF4U工艺。其中，SF2Z是前沿节点，是三星2纳米工艺...……更多
2024-06-20 13:13:00三星,芯片,解决方案,方案,这是,制造
...些数字都要经过芯片，而芯片是由几百万个甚至几十亿个晶体管组成的网络，每个晶体管都是一个电子开关，通过电流开（1）或关（0）来处理和存储这两个数字。用手机点外卖、发朋友圈、打游戏，本质上是手机里的芯片，还...……更多
2023-12-01 17:33:00光刻,光刻,飞利,飞利浦,密特,芯片
...同步调控晶体的成核和生长过程，攻关钙钛矿晶片与薄膜晶体管的直接耦联工艺，开发动态高分辨成像技术，为钙钛矿晶片的辐射探测应用落地铺平道路。研究团队在工作中。 华东理工大学供图 ……更多
2024-04-03 00:38:00华理,晶体,成果,团队,自然,通讯
...程工艺，与前几代使用的FinFET的芯片不同，三星使用了GAA晶体管架构，能极大改善芯片的功率以及效率。与之前的5nm相比，新一代的3nm制程工艺降低了45%的功耗，并且性能提升23%的同时减少16%的面积。三星还宣称，第二代的3nmGAA...……更多
2023-03-16 10:46:00三代,三星,芯片,工艺,三星,工艺
...片的所有关键指标中，没有一项是3nm。我们知道芯片是由晶体管组成，晶体管越多，芯片性能越强，因为一个晶体管就是一路电流，代表一个0与1的开关换算。而一个晶体管里面又含有三个部分，分别是源极（Source，电流入口）...……更多
2023-02-04 15:59:00摩尔,栅极,发展,定律,更快,工艺
...达、医疗设备、计算机等领域。而最近，一项名为“铁电晶体管”的发明更是引起了广泛的关注，被认为具有革命性的作用，可以节约能源并为太空探测提供新的解决方案。本文将从铁电晶体材料的基本特性、应用前景以及对科...……更多
2024-07-31 09:50:00铁电,晶体管,革命性,美国,晶体,革命
...有所提高，可以实现更高分辨率的图案化，以实现更小的晶体管特征。英特尔打算在Intel18A制程节点引入High-NAEUV光刻技术，这意味着大概在2026年至2027年之间开始启用新设备。事实上，台积电（TSMC）和三星都已表示会采购High-NAEU...……更多
2024-02-11 19:43:00光刻,光刻,英特,英特尔,晶圆,孔径
...同步调控晶体的成核和生长过程，攻关钙钛矿晶片与薄膜晶体管的直接耦联工艺，开发动态高分辨成像技术，为钙钛矿晶片的辐射探测应用落地铺平道路。
该研究工作以华东理工大学为唯一通讯单位。华理材料科学与工程学院...……更多
2024-04-06 09:34:00期刊,魔法,科技,单晶,钙钛矿,薄膜
...nte Vecchio”），采用3D封装的Chiplet技术，集成超过1000亿个晶体管，其中集成的47块裸片来自不同的代工厂，涵盖5种以上的差异化工艺节点，异构集成技术大幅提升，能够为物理、金融服务、生命科学等领域的工作负载带来更高的...……更多
2023-01-11 22:21:00英特,四代,英特尔,晶体管,晶体,处理器
...些突破旨在推进摩尔定律，并展现出该公司在全环绕栅极晶体管领域的领先地位。首先，Intel展示了一种称为3D堆叠CMOS晶体管的新型技术。这种晶体管结合了垂直堆叠互补场效应晶体管(CFET)和直接背面触点(direct backside contact)，并...……更多
2023-12-11 16:02:00氮化镓,晶体管,晶体,全新,晶体管,晶体
...，也就是RibbonFET和PowerVia，其中RibbonFET是Intel对GateAllAround晶体管的实现，它将成为公司自2011年率先推出FinFET以来的首个全新晶体管架构。该技术加快了晶体管开关速度，同时实现与多鳍结构相同的驱动电流，但占用的空间更小。...……更多
2023-02-24 22:00:00喜讯,王者,工艺,工艺,晶体管,埃米
...起，构建所谓的 3D 芯片。尽管由于摩尔定律逐渐崩溃，晶体管缩小的速度正在变慢，但芯片制造商仍然可以通过其他方式增加处理器和内存中的晶体管数量。今年 5 月，在丹佛举行的 IEEE 电子元件和技术会议（ECTC）上，来自世...……更多
2024-08-13 09:36:00半导体,芯片,制造,晶圆,芯片,混合
...积电董事长刘德音联合撰写题为《我们如何实现1万亿个晶体管GPU》的文章。刘德音在文中预测，半导体技术的突破给AI技术带来重要贡献。在未来10年，GPU集成的晶体管数将达到1万亿。而且，GPU能效性能每2年提高3倍，未来15年...……更多
2024-03-31 04:00:00估值,美金,要闻,芯片,高达,性能
...制程节点。传统的芯片制造采用自下而上的方式，先制造晶体管再建立用于互连和供电的线路层。然而，随着工艺的进步，这种供电模式的线路层变得越来越混乱，并对设计和制造产生了干扰。为了解决这个问题，BSPDN技术将芯...……更多
2024-02-29 04:35:00三星电子,三星,供电,得了,结果,测试
...和氮离子注入技术，首次研制出了氧化镓垂直槽栅场效应晶体管。相关研究成果日前分别在线发表于《应用物理通信》《IEEE电子设备通信》上。作为新一代功率半导体材料，氧化镓的p型掺杂目前尚未解决，氧化镓场效应晶体管...……更多
2023-02-27 01:15:00晶体管,晶体,氧化,科研,结构,人员
本文转自：科技日报固态热晶体管超高速精确控制热量开辟计算机芯片热管理新领域固态热晶体管通过电场控制热运动。图片来源：胡永杰实验室/加州大学洛杉矶分校科技日报讯 （记者张梦然）美国加州大学洛杉矶分校研究人...……更多
2023-11-06 03:06:00固态热晶体管超高速精确控制热量
...产。三星的3nm工艺很激进，相比台积电2nm工艺才会转向GAA晶体管的保守，三星在第一代3nm工艺上就使用了GAA晶体管技术，而且是MBCFET多桥通道场效应晶体管，被称为SF3E，也就是3GAE工艺。这次宣布的是SF3工艺，也就是之前的3GAP高...……更多
2023-05-10 15:43:00二代,三星,功耗,工艺,工艺,三星
...直接使用大语言模型进行理解和交互。英特尔展示下一代晶体管微缩技术突破36氪获悉，近日，英特尔在IEDM 2023（2023 IEEE 国际电子器件会议）上展示了使用背面电源触点将晶体管缩小到1纳米及以上范围的关键技术。随着背面供...……更多
2023-12-11 20:19:00高德,货币化,诺基亚,英国,车费,石英
...接触电阻降低至42欧姆微米，超越了以化学键结合的硅基晶体管接触电阻，并接近理论量子极限。该成果突破了二维半导体应用于高性能集成电路的关键瓶颈之一。1月12日，研究论文发表于《自然》。金属-半导体欧姆接触是实现...……更多
2023-01-16 07:15:00二维,欧姆,半导体,科学家,难题,接触
...律”，其预测了在可预见的未来，可以放置在硅芯片上的晶体管数量将定期翻倍，从而以指数方式提高计算机的数据处理能力。但随着技术发展，半导体制造工艺面临越来越多的物理限制，晶圆代工制程不断缩小，摩尔定律已然...……更多
2024-09-09 14:36:00融资,芯片,国产,战略,设备,技术
...八组高带宽內存（HBM）芯片，但随着单组芯片要容纳更多晶体管、整合更多HBM，产业的现行标准的12英寸晶圆可能在两年后就不足以用来封装先进芯片，因此需要产出性能比现有先进封装技术高数倍的面板级扇出型封装。三星、...……更多
2024-06-24 09:17:00晶圆,封装,面板,面积,先进,技术
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