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据外媒报道，在三星电子采用全环绕栅极晶体管架构的3nm制程工艺量产之后，台积电仍采用鳍式场效应晶体管的3nm制程工艺，也在去年的12月29日正式开始商业化生产。从外媒最新的报道来看，同台积电此前的工艺一样，去年12...……更多
2023-02-24 17:36:00制程,工艺,制程,工艺,晶圆,晶体管
...片的所有关键指标中，没有一项是3nm。我们知道芯片是由晶体管组成，晶体管越多，芯片性能越强，因为一个晶体管就是一路电流，代表一个0与1的开关换算。而一个晶体管里面又含有三个部分，分别是源极（Source，电流入口）...……更多
2023-02-04 15:59:00摩尔,栅极,发展,定律,更快,工艺
...的营销工具。通常，较低的工艺制程数意味着使用较小的晶体管，从而导致较高的晶体管数量。这很重要，因为晶体管数量越多，芯片的功能和能效就越高。虽然台积电和三星今年都在量产3nm芯片，但只有三星在使用环栅(GAA)晶...……更多
2023-01-22 16:35:00良品率,三星,纳米,芯片,生产,三星
...5年赶超台积电（TSMC）的关键。其中RibbonFET是对GateAllAround晶体管的实现，将成为英特尔自2011年推出FinFET以来的首个全新晶体管架构。该技术加快了晶体管开关速度，同时实现与多鳍结构相同的驱动电流，但占用的空间更小。Power...……更多
2023-03-15 20:58:00英特,英特尔,制程,工艺,测试,英特
...制程工艺，但是英特尔却表示自家的制程功能在性能以及晶体管密度上相当于友商的1.8nm的工艺，因此过去英特尔对于制程工艺的描述并不能很好地阐述其性能表现，而采用新的制程表述说明之后，对于对外宣传就有很大的好处...……更多
2024-02-09 22:30:00英特,英特尔,架构,处理器,核心,客户
据外媒报道，台积电仍采用鳍式场效应晶体管架构的3nm制程工艺，在去年的12月29日正式开始商业化生产，量产之后产能在不断提升。对于台积电量产已一个季度的3nm制程工艺，有外媒在报道中预计目前的良品率为63%或更低。就...……更多
2023-04-19 22:36:00制程,工艺,良品率,制程,工艺,三星电子
...10%到20%之间，相差巨大。其主要原因是三星的3nm环栅(GAA)晶体管工艺与台积电的FinFET工艺在结构上存在重大差异，三星本身采用的环栅(GAA)晶体管，可以更好地控制晶体管的电流。这是因为GAA晶体管具有垂直堆叠的nm片以覆盖通道...……更多
2023-01-22 16:48:00制程,工艺,工艺,良品率,三星,晶体管
... A17 Pro。A17 Pro 采用了台积电最新的 3nm 工艺（N3B）制造，晶体管数量达到了惊人的 190 亿，这是全世界第一款采用台积电 3nm 工艺的手机芯片，也是 3nm 工艺第一次出现普通人就可以买到的大众消费品上。要知道，随着芯片尺寸越...……更多
2023-10-11 15:22:00芯片,战争,芯片,工艺,晶圆,三星
...片都不相同，它需要在每平方毫米的面积上，植入3亿颗晶体管，相当于在一个指甲盖那么大的面积里，塞下近400亿颗晶体管。这个数量是现在主流5nm芯片的2倍左右。如此巨大的提升与恐怖的密度，需要将芯片制造技术从2D平面...……更多
2023-12-22 09:54:00制程,芯片,极限,升级,制程,芯片
...，目前全球还没有商业化的先例。三星也宣扬全环绕栅极晶体管（GAA）的架构，随着芯片变得越来越精细，甚至突破物理极限，GAA视为继续为AI制造更强大芯片的重要因素。台积电等竞争对手也在开发GAA芯片，但三星起步更早，...……更多
2024-06-13 18:48:00制程,三星,路线图,研发生产,纳米,芯片
...全球唯一一家提供采用下一代全新GAA（Gate-All-Around）架构晶体管技术，提供3nm工艺代工服务的代工企业。这也是三星首次实现GAA“多桥-通道场效应晶体管（MBCFET）”应用，打破了FinFET原有的性能限制，通过降低工作电压水平来...……更多
2023-05-05 00:58:00良品率,三星,工艺,三星,良品率,工艺
...持续挑战更先进的芯片技术。GAA（Gate All Around，全环栅型晶体管技术）是当前一项核心科技。芯片里面的晶体管，可以拆解为三个模块：源极、栅极、漏极——电离子从源极出发、穿越栅极、进入漏极，构成一个完整回路。栅极...……更多
2023-12-22 11:43:00刻机,巨头,芯片,三大,客户,制程
...过半导体制程与工艺、先进封装等技术共同延续单位面积晶体管倍增的增长曲线。首个EUV节点Intel 4将于2023年下半年按计划推出，比Intel 7每瓦性能将提高约20%；Intel 3预计将于2023年下半年投产，比Intel 4每瓦性能将提高约18%；Intel ...……更多
2023-11-06 14:43:00晶体管,晶体,半导体,业内,目标,英特
...而2nm制程工艺将会基于更加先进的技术，包括GAAFET纳米片晶体管与背部供电，根据之前曝光的数据，能够比3nm提升10-15%的性能，而同等频率下功耗则降低25-30%。也就是说等到2025年，包括三星也台积电都将拥有量产2nm制程的能力...……更多
2024-02-05 21:00:00制程,三星,芯片,订单,更多,制程
...代工费用报价，要比台积电7nm工艺便宜四成。虽然前者的晶体管密度不及台积电7nm工艺，但由于功耗设计优秀，在实际应用中并没有逊色于后者。除了代工价格一路水涨船高外，台积电的产能分配问题也一直被业界所诟病。此前...……更多
2024-06-25 09:23:00三星,自己人,三星,芯片,高通,架构
...越小代表了越先进的制造工艺，可以使芯片上集成更多的晶体管，从而提高处理器的速度、实现更有效的功耗。之前从5纳米技术到3纳米技术的飞跃就使iPhone的GPU速度提高了20%、CPU速度提高了10%、iPhone的神经网络引擎速度提高了2...……更多
2024-01-26 05:09:00最先,芯片,苹果,纳米,芯片,晶体
...体工艺将会达到A2，也就是0.2nm，基本上已经趋近于物理晶体管的极限了。毫无疑问根据英特尔曝光的消息，英特尔这里希望冲击的是A14以及A10两个工艺，相当于1.4nm以及1nm，只是这两个工艺距离正式量产还有相当长的距离，此外...……更多
2023-02-14 09:00:00英特,光刻,英特尔,新一代,冲击,工艺
... 16 埃，因此命名为「A16」。「A16」将结合创新的纳米片晶体管，以及全新的背面电源解决方案。这个背面电源将从芯片背面为芯片供电，为芯片正面数据互联流出更多空间，同时背面的电源更大，功耗会进一步降低。背后电源...……更多
2024-04-28 09:30:00芯片,工艺,芯片,英特,英特尔,工艺
...软更新推出。值得一提的是，这将是最后一个采用 FinFET 晶体管的节点。你可能想知道英特尔如何在六个月内量产两个节点。但其实按照报道，英特尔的4nm（intel 4)和 3nm(intel 3)工艺由两个独立的团队同时开发。这本质上是Tick Tock ...……更多
2023-01-20 06:00:00英特,英特尔,战局,英特,英特尔,三星
...艺有两项重磅技术，一是PowerVia背面供电，二是RibbonFET GAA晶体管。不完全统计显示，在2021年Intel设立IFS代工服务后，已经有高通、联发科签约，据说下一位大客户将是NVIDIA。 ……更多
2023-04-13 10:42:00制程,处理器,处理,手机,代工,帕特
...。英特尔正为其未来芯片寻找新的开发路线，包括3D堆叠晶体管以实现更高密度、扩展背面供电以及使用氮化稼来实现更高的传输功率等。总部位于圣克拉拉的芯片巨头将在本周于旧金山召开的第69届IEEE国际电子器件年会（IEDM）...……更多
2023-12-13 10:23:00英特,英特尔,晶体管,晶体,新工艺,供电
...术的出现是行业首个高密度3Dchiplet堆迭技术，这项技术让晶体管的凸点间距最小可达6um，位居晶圆代工厂的首位，看起来它能够有效地提升晶体管的密度，从而能够在有限的面积中安放更多的晶体管数量。当然既然苹果M5处理器...……更多
2024-07-13 18:41:00处理器,苹果,工艺,处理,苹果,处理器
...3nm工艺是最为先进的制程工艺，能够提供比5nm和4nm更高的晶体管密度，不过晶圆代工报价也是相当昂贵，对此也仅有苹果采用了3nm制程工艺，而高通、联发科等厂商仍然采用台积电的4nm工艺，英伟达自己也是采用定制版4nm工艺。...……更多
2023-11-20 13:47:00英伟,显卡,工艺,支持,英伟,显卡
...01）作者 | ZeR0编辑 | 漠影到2023年，在1颗芯上集成1万亿个晶体管。——这是英特尔最新公布的“小目标”。什么概念？英伟达今年推出的最新旗舰通用GPU H100，在814mm²核心面积上集成了800亿个晶体管；英特尔即将推出的数据中心...……更多
2022-12-17 01:00晶体管,晶体,芯片,关键,技术
...块芯片最大的亮点——GAA工艺（Gate-All-Around，全环绕栅极晶体管）。要在指甲盖大小的芯片里塞下数百亿个晶体管，听上去就如同天方夜谭，但工程师们总能想出新办法。其中一种思路就是将晶体管像积木一样堆叠起来，那么就...……更多
2024-07-13 09:52:00三星,芯片,全球,三星,工艺,芯片
...有所提高，可以实现更高分辨率的图案化，以实现更小的晶体管特征。英特尔打算在Intel18A制程节点引入High-NAEUV光刻技术，这意味着大概在2026年至2027年之间开始启用新设备。事实上，台积电（TSMC）和三星都已表示会采购High-NAEU...……更多
2024-02-11 19:43:00光刻,光刻,英特,英特尔,晶圆,孔径
...，这项长期协议将英特尔在美国的大规模制造能力和FinFET晶体管设计经验，与联华电子在成熟制程节点上丰富的晶圆代工经验结合在一起，比如为客户提供工艺设计套件（PDK），以实现扩展的工艺组合。同时新平台还为全球客户...……更多
2024-01-28 11:47:00英特,联华,英特尔,工艺,合作,开发
...。据BusinessKorea报道，三星Foundry正致力于下一代环绕栅极晶体管(GAA)技术的研发，该技术将用于其2nm制程工艺，基于该技术的2nm半导体芯片计划于明年量产。此外，三星将在6月16日至20日于美国夏威夷举行的VLSI研讨会上展示用于2n...……更多
2024-05-01 10:05:00制程,三星,芯片,先进,三星,制程
...生产出来，就需要晶圆代工厂商来帮忙，而对于亟需先进制程的公司来说，包括台积电、三星甚至英特尔已经是首选，并且伴随着4nm、3nm等制程工艺的普及，晶圆代工厂商的生意也是越来越红火，并且带动了晶圆代工均价的提升...……更多
2024-01-25 13:00:00代工,晶圆,印钞机,狂飙,晶圆,制程
...有 EUV 光刻机小 1.7 倍物理特征的微缩，从将单次曝光的晶体管密度提高 2.9 倍，可以使芯片制造商能够简化其制造流程。据介绍，EXE:5000 每小时可印刻 185 个以上的晶圆，而且 ASML 还制定了到 2025 年提高到每小时 220 片晶圆的计...……更多
2024-08-01 09:48:00光刻,评估,时间,光刻,晶圆,英特
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