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英特尔Intel 4 制程节点已大规模量产,性能大增
...上宣布了一则重要消息,该公司已于近日开始采用极紫外光刻(EUV)技术大规模量产Intel4制程节点。这一里程碑式的进展标志着英特尔在推进“四年五个制程节点”计划方面取得了重要成果,并将用于新一代的领先产品。英特尔...……更多
“半导体行业已有积极信号”
1月24日,光刻机巨头ASML(阿斯麦)公布了2023年Q4以及全年的财报。ASML第四季度营收达到72.37亿欧元,毛利率约为51.4%,净利润达20.48亿欧元。第四季度的新增订单金额为91.86亿欧元,其中56亿欧元的增长来自EUV光刻机订单。而从20...……更多
三星在积极研发更先进的芯片制程
...用于Exynos处理器的SystemLSI部门之外)采用其3nm及更新的4nm制程工艺。然而,三星仍在积极研发更先进的芯片制程,其中就包括2nm制程。据BusinessKorea报道,三星Foundry正致力于下一代环绕栅极晶体管(GAA)技术的研发,该技术将用于...……更多
三星计划2025年量产2nm制程:比肩台积电,希望抢得更多芯片订单
目前在先进制程上,基本上就是台积电独领天下了,基本上所有的先进制程芯片产能都让台积电进行代工,特别是3nm制程工艺基本被台积电包圆,而台积电的营收也是节节攀升。不过对于先进工艺的追求不单单是台积电在研究...……更多
兴欣新材:公司的N-羟乙基哌嗪等产品是光刻胶剥离液的重要成分 【兴欣新材:公司的N-羟乙基哌嗪等产品是光刻胶剥离液的重要成分】财联社1月3日电,兴欣新材在互动平台表示,公司的N-羟乙基哌嗪、N,N-二甲基丙酰胺等产品...……更多
安徽首片,晶合集成光刻掩模版成功亮相
...方消息,7 月 22 日,由晶合集成生产的安徽省首片半导体光刻掩模版成功亮相,填补了安徽省在该领域的空白,进一步提升本土半导体产业的竞争力。晶合集成表示,光刻掩模版成功亮相,标志着该公司在晶圆代工领域成为台积...……更多
三星回应自家3nm良率仅20%:工艺完全没问题
...是半导体代工业务,几乎被台积电压着打,特别是在先进制程工艺上更是恶评连连,导致大客户纷纷转投台积电。目前台积电最先进的工艺为3nm制程,尽管三星也是3nm制程工艺,但是市场传闻由于良率等问题,三星3nm制程客户寥...……更多
2nm制程抢单战提前开打 三星开出折扣价与台积电竞争 【2nm制程抢单战提前开打 三星开出折扣价与台积电竞争】《科创板日报》12日讯,据知情人士透露,台积电已向苹果和英伟达等大客户展示N2(即2nm)原型的制程工艺测试结...……更多
芯片股暴雷!光刻机巨头ASML提前公布三季度财报逊预期,股价创26年来最大跌幅|硅基世界
...由于美荷对华出口管制以及上游需求不振等因素下,芯片光刻机巨头ASML(阿斯麦,NASDAQ: ASML)业绩受到承压,叠加下调2025财年指引还引发了股价暴跌,拖累整个半导体板块和美股市场走弱。钛媒体App 10月16日消息,ASML原定于周...……更多
佳能向得克萨斯电子研究所交付其最先进纳米压印光刻 NIL 系统
...盟得克萨斯电子研究所(TIE)交付佳能最先进的纳米压印光刻 NIL 系统 FPA-1200NZ2C。得克萨斯电子研究所成立于 2021 年,由得克萨斯当地政府、半导体企业(IT之家注:包括英特尔在内)、美国国家研究机构和其它实体组成,得到...……更多
三星宣布全球首款3nm制程芯片成功下线:性能飞跃与功耗大降
...技行业的进步。近日,三星宣布成功下线全球首款采用3nm制程工艺的芯片,这一重大突破不仅标志着半导体制造技术的又一次飞跃,也为未来科技产品的发展注入了新的活力。首先,让我们来关注这款3nm芯片的性能和功耗表现。...……更多
不畏霸权,我国或将通过硅光子技术摆脱EUV光刻机,解决芯片难题
一直以来,我国因为没有EUV光刻机,而没办法生产先进的芯片,但是我们并没有坐以待毙,也不会向霸权低头,而是另辟蹊径,用更先进的技术解决芯片制造的难题。最新消息透露,我国或将通过硅光子技术淘汰EUV光刻机,解...……更多
中国不买了,三大光刻机企业都降低预期,后悔莫及
日前全球三大光刻机企业ASML、尼康、佳能都发布了业绩无法达到年初预计的目标,原因就在于中国在减少采购光刻机,凸显出中国市场对全球芯片设备市场的巨大影响力。全球最大的光刻机企业ASML最为悲观,ASML的新增订单环...……更多
三星宣布强化制程技术路线图:推出SF2Z和SF4U工艺
...景。在“EmpoweringtheAIRevolution”主题下,三星公布了强化制程技术路线图,其中包括了SF2Z和SF4U工艺,以及三星AI解决方案。三星将在SF2Z工艺上集成了经过优化的“BSPDN(背面供电网络)”技术,将电源轨置于晶圆的背面,以消除...……更多
价值3.83亿美元!Intel拿下全球第二台High NA EUV光刻机
...已成功接收全球第二台价值3.83亿美元的High NA EUV(极紫外光刻机)。High NA EUV光刻机是目前世界上最先进的芯片制造设备之一,其分辨率达到8纳米,能够显著提升芯片的晶体管密度和性能,是实现2nm以下先进制程大规模量产的必...……更多
三星3纳米芯片生产良品率达80%
你可能还记得,去年4月,三星代工厂使用其3nm工艺制程生产芯片的良率低得令人无法接受,在10%到20%的范围内。良率是生产的可接受芯片与一个晶圆上的最大芯片数相比的百分比。考虑到用于3nm生产的晶圆的高成本(超过20000...……更多
三星启动hbm4开发,采用DRAM制程的基础裸片
...主流客户采用。据了解,三星HBM3E及之前的HBM都是采用DRAM制程的基础裸片(BaseDie),但是HBM4则会将DRAMBaseDie改成LogicBaseDie,以推动性能和能效进一步提升。具体来说,这个LogicBasedie是连接AI加速器内部图形处理单元(GPU)和DRAM...……更多
三星exynosw1000智能手表主控曝光
...核A55+低频率)设计,当时我们推测ExynosW1000可能会采用3nm制程和4核Cortex-A55的CPU设计,并且频率或许不会很高。但从目前的结果来说,必须承认自己猜错了。因为根据日前官方公布的信息显示,S5E5535(或者说ExynosW1000)采用了更...……更多
三星发布先进芯片工艺路线图:新版2纳米制程2027年量产,研发生产时间缩短20%
...域能够迎头赶上。三星引进所谓晶背供电(BSPDN)的先进制程 ,将电源互连移至晶片背面。此技术提升功率、性能和面积,能用于AI芯片和高效能运算,相较于第一代的2纳米制程显著降低电压,量产时间在2027年。韩媒指出,目...……更多
三星pm9c1a已用上先进5纳米制程据介绍
三星正在大力推送SSD的主控工艺升级,在业界普遍采用12nm工艺主控的大环境下,三星将自家最新PM9C1aSSD的主控升级到了先进的5nm工艺。据官方介绍,在5nm主控的加持下,PM9C1a与其前代产品相比,能效提升70%,当笔记本电脑进入...……更多
又一个换道超车的领域:车规级碳化硅
...前几名的芯片企业中,会有一家或者多家中国企业。不是光刻机被限制了吗?中国芯片企业还能有未来?要知道,EUV光刻机本来就是个偶然。在ASML研发出EUV光刻机之前,光刻机市场以佳能和尼康为主,只不过在赌未来的研发方...……更多
关于骁龙888芯片,小米赢得尊重,高通失去人心?
...通。之所以会出现这种情况,一方面是国内现阶段缺少EUV光刻机,7nm以下制程芯片虽然可以设计出来,但却造不出来,在核心处理器方面只能选择外购。另一方面,高通在发展过程中积累了大量通信专利,国内手机厂商可谓是“...……更多
芯片战场丨英特尔2023年营收542亿美元:PC业务复苏 数据中心下滑
...英特尔开始在俄勒冈州安装业界首个High-NA EUV工具(ASML的光刻机产品),同时在2024年和2025年,产线上将有超过50个测试芯片,其中75%采用Intel 18A支撑。 在代工业务上,英特尔可谓野心勃勃,从目前晶圆代工格局看,英特尔排在...……更多
传三星计划采用4nm生产HBM4的逻辑芯粒
...国经济日报》引述未具名消息人士报导,三星准备运用4nm制程,量产第六代高带宽内存——HBM4的逻辑芯粒(logic die)。据介绍,逻辑芯粒位于HBM堆叠的最底层,为HBM的核心元件。目前DRMA制造商已能为HBM3E等现有产品制造逻辑晶...……更多
晶圆代工业务产能利用率普遍下滑
...年全年营收却创新高,去年获利也有所增长,反映出先进制程产能扩大,客户和应用领域也更加分散。不过,三星坦言,本季度难逃产业库存调整压力,将使得晶圆代工业务产能利用率开始下降。业界忧心,三星恐发动降价抢单...……更多
三星2024年开始大规模量产3nmexynos2500
...S25系列首发搭载。资料显示,去年台积电率先量产商用3nm制程,由苹果A17Pro、M4首批搭载。时隔一年时间,高通、联发科也将拥抱3nm制程,今年下半年,高通骁龙8Gen4、联发科天玑9400等都将切入台积电3nm工艺。现在三星即将推出3...……更多
通往万亿晶体管芯片,关键技术揭秘
...降低功耗的道路上,3条创新路径的重要性愈发凸显:1、光刻、材料与器件架构:引入更先进的High-NA EUV光刻机是显著提高光刻分辨率的下一步;新材料、器件架构创新提供了突破现有计算性能和成本瓶颈的更多可能。2、设计–...……更多
台积电正式使用n3制程工艺
本周,台积电已经正式开始使用其N3制程工艺量产其3nm芯片,与N5技术相比,N3技术将提供高达70%的逻辑密度增益,在相同功率下速度提升高达15%,在相同速度下功率降低高达30%,相比于N4工艺的4nm的芯片,综合性能提升大约在20%...……更多
万润股份:分子筛业务恢复增长,OLED、PI等业务持续突破
...亚胺材料,开发的PTP-01产品已实现中试级产品供应;3)光刻胶单体、光刻胶树脂、光致产酸剂以及半导体制程中清洗剂添加材料等均已有产品实现供应,““年产65吨光刻胶树脂系列产品项目”已经达到预定可使用状态,并已有...……更多
摩尔定律再进化,2纳米之后芯片如何继续突破物理极限
...到,22nm的主要技术创新是FinFET,Intel 4(7nm)则是采用了EUV光刻,而2nm则是Ribbon FET和PowerVia.RibbonFET 晶体管结构是GAA的一种,是将 PMOS 和 NMOS 两极垂直堆叠的晶体管结构,这种结构使晶体管面积缩小了一半。21年的 IEDM ……更多
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出彩临港人 | 以\
本文转自:人民网-上海频道出彩临港人 | 以"她"力量引领生物医药产业新航向——记上药控股有限公司副总经理宋潞潞生物医药产业
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