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传三星计划采用4nm生产HBM4的逻辑芯粒

类别:科技 发布时间:2024-07-17 10:01:00 来源:芯智讯
传三星计划采用4nm生产HBM4的逻辑芯粒

7月16日消息,据《韩国经济日报》引述未具名消息人士报导,三星准备运用4nm制程,量产第六代高带宽内存——HBM4的逻辑芯粒(logic die)。

据介绍,逻辑芯粒位于HBM堆叠的最底层,为HBM的核心元件。目前DRMA制造商已能为HBM3E等现有产品制造逻辑晶粒,但HBM4具备客户要求的客制化功能,因此需要额外导入晶圆工序。

目前,4nm是三星主打的先进制程工艺,良率超过70%。三星也运用这项制程生产其旗舰AI智能手机Galaxy S24所搭载的Exynos 2400处理器。

一名业界人士指出,“4nm制程远比7nm、8nm昂贵,但芯片性能与功耗的表现也更好。”“目前三星是以10nm制程生产HBM3E的逻辑芯粒,现在计划运用4nm来生产,是希望借此夺得HBM技术的领导地位。”

SK海力士今年4月已宣布与台积电合作,依据双方最近在台北敲定的备忘录,两家半导体巨头将合作开发第六代HBM4芯片,预计2026年量产。

编辑:芯智讯-浪客剑

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快照生成时间:2024-07-17 12:45:02

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信息原文地址:

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