- 我的订阅
- 科技
我们正处于一个信息大暴发的时代，每天都能产生数以百万计的新闻资讯！
虽然有大数据推荐，但面对海量数据，通过我们的调研发现，在一个小时的时间里，您通常无法真正有效地获取您感兴趣的资讯！
头条新闻资讯订阅，旨在帮助您收集感兴趣的资讯内容，并且在第一时间通知到您。可以有效节约您获取资讯的时间，避免错过一些关键信息。
全球首个第六代HBM！三星完成HBM4内存逻辑芯片设计：4nm工艺、性能大爆发
快科技1月5日消息，据韩国朝鲜日报报导，三星DS部门存储业务部最近完成了HBM4内存的逻辑芯片设计。Foundry业务部方面也已经根据该设计，采用4nm试产。 待完成逻辑芯片最终性能验证后，三星将提供HBM4样品验证。
逻辑芯片即Logic die（又名Base die），对HBM堆叠发挥大脑作用，负责控制上方多层DRAM芯片。
报导引用韩国市场人士说法，运行时发热是HBM的最大敌人，而在堆栈整体中逻辑芯片更是发热大户，采先进制程有助改善HBM4能效与性能表现。
除自家4nm制造逻辑芯片外，HBM4还导入10nm制程生产DRAM。
HBM（High Bandwidth Memory）即高带宽存储器，主要应用于高性能计算（HPC）、人工智能（AI）和图形处理（GPU）等领域。
HBM的优点在于打破了内存带宽及功耗瓶颈。其核心优势在于采用了3D堆叠技术，将多个DRAM芯片垂直堆叠在一起，通过硅通孔（TSV）技术实现芯片间的高速信号传输，大大缩短了数据传输的距离和延迟，从而能够以极高的带宽为处理器提供数据支持。
HBM特性尤其适合搭配GPU进行密集数据的处理运算。英伟达新一代AI芯片，均搭载HBM内存。
HBM产品问世至今，HBM技术已经发展至第六代，分别为HBM、HBM2、HBM2e、HBM3，HBM3e（HBM3的扩展版本）以及HBM4。
HBM1作为最早的版本，带来了128GB/s的带宽，开启了高带宽内存的应用。随后，HBM2、HBM3等相继问世，每一代都在带宽、容量和能效等关键指标上实现了显著突破。
从业界数据来看，HBM4标准支持2048位接口和6.4GT/s的数据传输速率。相比HBM3E，HBM4的单个堆栈带宽已达到1.6TB/s，极大地提升了内存系统的数据吞吐能力，能够更高效地满足人工智能、深度学习、大数据处理和高性能计算等领域对内存性能日益苛刻的需求。
HBM供应商在各代产品中往往会推出不同堆栈层数的产品，如HBM3e的8hi（8层）及12hi（12层），而HBM4世代则规划了12hi及16hi。
去年11月，三星电子存储部门执行副总裁Jaejune Kim在第三季度财报公布后召开的电话会议上表示，今年三季度HBM总销售额环比增长超过70%，HBM3E 8层和12层堆叠产品均已量产并开始销售，HBM3E的销售占比已上升至HBM总销售额的10%左右，预计第四季度HBM3E将占HBM销售额的50%左右。
三星的HBM4开发工作正在按计划进行，目标是在2025年下半年开始量产。
【本文结束】如需转载请务必注明出处：快科技
责任编辑：朝晖
文章内容举报
以上内容为资讯信息快照，由td.fyun.cc爬虫进行采集并收录，本站未对信息做任何修改，信息内容不代表本站立场。
快照生成时间：2025-01-05 11:45:05
本站信息快照查询为非营利公共服务，如有侵权请联系我们进行删除。
信息原文地址：
