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全球首个第六代HBM!三星完成HBM4内存逻辑芯片设计:4nm工艺、性能大爆发

类别:科技 发布时间:2025-01-05 10:46:00 来源:浅语科技

快科技1月5日消息,据韩国朝鲜日报报导,三星DS部门存储业务部最近完成了HBM4内存的逻辑芯片设计。Foundry业务部方面也已经根据该设计,采用4nm试产。 待完成逻辑芯片最终性能验证后,三星将提供HBM4样品验证。

逻辑芯片即Logic die(又名Base die),对HBM堆叠发挥大脑作用,负责控制上方多层DRAM芯片。

报导引用韩国市场人士说法,运行时发热是HBM的最大敌人,而在堆栈整体中逻辑芯片更是发热大户,采先进制程有助改善HBM4能效与性能表现。

除自家4nm制造逻辑芯片外,HBM4还导入10nm制程生产DRAM。

全球首个第六代HBM!三星完成HBM4内存逻辑芯片设计:4nm工艺、性能大爆发

HBM(High Bandwidth Memory)即高带宽存储器,主要应用于高性能计算(HPC)、人工智能(AI)和图形处理(GPU)等领域。

HBM的优点在于打破了内存带宽及功耗瓶颈。其核心优势在于采用了3D堆叠技术,将多个DRAM芯片垂直堆叠在一起,通过硅通孔(TSV)技术实现芯片间的高速信号传输,大大缩短了数据传输的距离和延迟,从而能够以极高的带宽为处理器提供数据支持。

HBM特性尤其适合搭配GPU进行密集数据的处理运算。英伟达新一代AI芯片,均搭载HBM内存。

HBM产品问世至今,HBM技术已经发展至第六代,分别为HBM、HBM2、HBM2e、HBM3,HBM3e(HBM3的扩展版本)以及HBM4。

HBM1作为最早的版本,带来了128GB/s的带宽,开启了高带宽内存的应用。随后,HBM2、HBM3等相继问世,每一代都在带宽、容量和能效等关键指标上实现了显著突破。

从业界数据来看,HBM4标准支持2048位接口和6.4GT/s的数据传输速率。相比HBM3E,HBM4的单个堆栈带宽已达到1.6TB/s,极大地提升了内存系统的数据吞吐能力,能够更高效地满足人工智能、深度学习、大数据处理和高性能计算等领域对内存性能日益苛刻的需求。

HBM供应商在各代产品中往往会推出不同堆栈层数的产品,如HBM3e的8hi(8层)及12hi(12层),而HBM4世代则规划了12hi及16hi。

去年11月,三星电子存储部门执行副总裁Jaejune Kim在第三季度财报公布后召开的电话会议上表示,今年三季度HBM总销售额环比增长超过70%,HBM3E 8层和12层堆叠产品均已量产并开始销售,HBM3E的销售占比已上升至HBM总销售额的10%左右,预计第四季度HBM3E将占HBM销售额的50%左右。

三星的HBM4开发工作正在按计划进行,目标是在2025年下半年开始量产。

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责任编辑:朝晖

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