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随着3D NAND的堆叠层数越来越多，厂家门也在着手研究新的生产技术以改进效率，SK海力士就在评估东京电子最新的低温蚀刻设备，该设备可以在-70℃的低温下运行，用来生成400层以上堆叠的新型3D NAND。低温蚀刻设备的钻孔速度...……更多
2024-05-07 11:36:00低温,力士,闪存,下一代,生产,研究
...NAND的有效层数将超过竞争对手，目前我们知道SK海力士的下一代3DNAND将具有321层，因此三星第九代V-NAND层数应该会更多。层数的增加将使三星提高其3DNAND设备的存储密度。该公司预计，未来的闪存类型不仅会提高存储密度，还会...……更多
2023-10-19 20:39:00九代,三星,闪存,三星,九代,拥有超过
...即将敲定最终计划之际，遭到了铠侠重要的间接股东SK海力士的强烈反对，让西部数据选择中止谈判。随后西部数据宣布未来将分拆为两家独立上市公司，分别专注于机械硬盘和NAND闪存业务，预计在2024年下半年开始执行。据相...……更多
2024-02-20 10:02:00力士,闪存,生产,闪存,西部数据,力士
...，美国政府作出最终决定，将无限期豁免三星电子和SK海力士向其在华工厂提供半导体设备，无需其它许可。崔相穆透露，美方已将这一决定通知三星电子和SK海力士等相关企业，将自即日起生效。当前全球NAND市场规模主要集中...……更多
2023-10-10 17:47:00三星,美国,闪存,市场分析,芯片,工厂
...，一则小道消息的传出引起了不少人的关注：“三星、海力士或将获得无限期的半导体设备出口资格”。这则消息传出后，仅过来几天时间，韩国当地媒体就报道相关企业已经获得授权，已被列入清单的设备可以无限制对华出口...……更多
2023-10-18 10:06:00三星,力士,闪存,战场,硬盘,闪存
...1月23日，针对美国媒体相关报道，韩国存储芯片巨头SK海力士向观察者网回复表示。美媒彭博社稍早前发布长篇报道，暗示SK海力士受美国出口管制政策影响，或卖掉大连工厂。报道提到，SK海力士2020年以90亿美元的价格，从美国...……更多
2024-01-23 15:36:00大连,力士,韩国,美国,巨头,芯片
...9代V-NAND闪存的量产。三星高管Jung-BaeLee去年10月表示，其下一代NAND闪存将于“今年初”量产，拥有业界领先的堆叠层数。三星于2022年11月量产了236层第8代V-NAND，这意味着两代之间的间隔为一年半左右。▲三星第8代V-NAND闪存Hankyun...……更多
2024-04-13 11:21:00三星,闪存,闪存,三星,堆栈,进一
...le还将提高DRAM解决方案的容量和规格，以用于今年推出的下一代iPhone。TrendForce预测，考虑到这些最新变量，2023年智能手机平均DRAM含量将同比增长6.7%。这一预测比2022年3.9%的同比增长率大幅增长。
不过，TrendForce也预测，未来数...……更多
2023-02-22 15:21:00历史性,内存,服务器,历史,服务,服务
...）的DRAM产品将成为当下主流技术，在未来两年也将推出下一代技术。随着更多产品对存储的容量要求越来越大，我们预计今年QLC（四层式存储单元）的应用将开始加速，除了在传统的固态硬盘产品上，其他的应用领域也将开始...……更多
2024-03-23 16:31:00存储,市场,原厂,供销,业绩,应用
...存制造商铠侠（Kioxia）向其投资者、韩国竞争对手 SK 海力士（SK Hynix）提议，允许其在铠侠位于日本的工厂生产非易失性存储器。此举旨在让 SK 海力士改变其对铠侠与西部数据合并计划的反对态度，目前尚不清楚 SK 海力士是否...……更多
2024-02-18 09:09:00西部数据,力士,芯片,谈判,西部,生产
...星方面消息显示，计划于2024年上半年量产具有8层堆栈的下一代HBM3e产品。根据计划，三星的HBM芯片产量将比去年增长2.5倍，明年将再次翻倍。为了补充粮草弹药，2023年第四季度，三星特意把持有的ASML股票变卖，用来投入全新的...……更多
2024-03-07 09:13:00三家,英伟,芯片,背后,存储,焦点
...业最小的单元尺寸。这一计划也将使三星的进度超过SK海力士，SK海力士曾在不久前宣布计划在2025年开始量产321层NAND芯片。预计三星第9代NAND闪存芯片仍将采用双堆叠技术，其中包括在两个独立过程中创建NAND存储器，然后将它们...……更多
2023-10-17 20:23:00三星,闪存,芯片,三星,芯片,双堆
...SKHynix计划在第6代（1c工艺，约10nm）DRAM的生产中使用Inpria下一代金属氧化物光刻胶（MOR），这是MOR首次应用于DRAM量产工艺。消息人士称，SKHynix量产的1cDRAM上有五个极紫外(EUV)层，其中一层将使用MOR绘制。他还补充说，“不仅SK海...……更多
2024-05-30 08:30:00新材,三星电子,三星,力士,新材料,致力于
在最近的新闻发布会上，SK海力士公司向全球宣布了一项创新成果：成功研发出321层堆叠的NAND闪存。这是全球首次突破300层堆叠的大关，对于闪存技术的发展具有重大意义。然而，尽管这一成果在技术上具有突破性，但SK海力士...……更多
2023-10-22 21:52:00三星,力士,闪存,全球,技术,闪存
快科技8月4日消息，据报道，SK海力士正在开发400层堆叠的NAND闪存，将于2025年投入大规模量产，再次遥遥领先。为了达成如此密集的堆叠，SK海力士使用了所谓的4D NAND闪存、混合键合技术，也就是W2W(wafer-to-wafer)结构，将两块晶...……更多
2024-08-04 18:37:00力士,闪存,闪存,晶圆,力士,长江
1月21日消息，据媒体报道，SK海力士推出一款TubeT31闪存盘，适用于PlayStation5、Xbox、WindowPC和Mac。据了解，这款闪存盘配备DRAM缓存，采用10Gbps的USB-A3.2Gen2接口，拥有1000MB/s的顺序读写速度，是同类SSD中最高的性能水平。值得一提..……更多
2024-01-21 20:57:00闪存盘,力士,闪存,闪存盘,力士,闪存
...。近日，据多家媒体报道，存储技术领域的领军企业SK海力士推出了一款名为TubeT31的全新游戏闪存盘，旨在为PlayStation5、Xbox、WindowPC和Mac用户提供更加流畅、高效的游戏体验。TubeT31闪存盘作为SK海力士的最新力作，在设计和性能...……更多
2024-01-22 00:14:00闪存盘,力士,闪存,全新,闪存盘,闪存
快科技8月9日消息，在FMS 2024峰会上，SK海力士展示了其最新的存储产品，包括尚未正式发布规范的UFS 4.1通用闪存。据JEDEC固态技术协会官网信息，目前公布的最新UFS规范是2022年8月的UFS 4.0，其理论接口速度高达46.4Gbps，预计UFS 4....……更多
2024-08-09 13:12:00力士,闪存,颗粒,力士,闪存,进一
据TheElec报道，三星正在考虑在其下一代DRAM中使用应用模压填充（MUF）技术。三星最近对3D堆栈（3DS）内存进行了大规模的MRMUF工艺测试，结果显示与现有的TCNCF（热压非导电膜）相比，吞吐量有所提高，但物理特性却有所下降。...……更多
2024-03-04 16:49:00三星,服务器,应用,研究,服务,三星
...，一条是央视新闻报道，10月9日美国同意三星电子和SK海力士向其位于中国的工厂提供设备，无须其他许可。第二条消息则少有人关注：最近一个多月，三星电子、SK海力士宣布对DRAM和NAND闪存芯片涨价10%-20%。事实上，后者的重...……更多
2023-10-12 16:55:00三星,白菜,存储,国产,品牌,时代
...游半导体需求的大幅度增长，目前各大厂商都在积极研发下一代产品，并且尽可能多地获取产能。在HBM内存领域，此前SK海力士已决定扩充人工智能基础设施的核心产品，即HBM3E等新一代DRAM的生产能力。与此同时，SK海力士还与...……更多
2024-05-19 14:31:00迭代,力士,周期,力士,产品,七代
IT之家 5 月 9 日消息，SK 海力士公司今日宣布，公司开发出用于端侧（On-Device）AI 的移动端 NAND 闪存解决方案产品“ZUFS（Zoned UFS）4.0”。IT之家注：端侧（On-Device）AI 即指在设备本地运行的人工智能服务，而非依赖于云端服务器...……更多
2024-05-09 09:10:00力士,闪存,新一代,解决方案,移动,方案
...士还与台积电（TSMC）签署了谅解备忘录（MOU），双方就下一代HBM产品生产和加强整合HBM与逻辑层的先进封装技术密切合作，开发第六代HBM产品，也就是HBM4。虽然距离HBM4投产还有两年的时间，不过SK海力士已经在加速推进第七代H...……更多
2024-05-17 20:43:00力士,开发,力士,产品,技术,人工智能
...，美国政府作出最终决定，将无限期豁免三星电子和SK海力士向其在华工厂提供半导体设备，无需其它许可。崔相穆透露，美方已将这一决定通知三星电子和SK海力士等相关企业，将自即日起生效。对此，三星电子回应第一财经...……更多
2023-10-09 18:41:00美国,突发,限制,三星电子,三星,电子
...旨在加速去库存，并稳定NAND闪存价格。此前，美光和SK海力士已经率先进行减产行动。三星的做法已经引起了连锁反应，企业固态硬盘（SSD）的价格已经上涨了5%至10%。预计到2023年底前，消费类SSD的价格还将上涨8%至13%。尽管如...……更多
2023-11-11 21:03:00三星,闪存,厂商,生产,产品,三星
...1万亿韩元(约合7.04亿欧元)，在韩国建立研究中心，利用下一代极紫外(EUV)光刻机研究超精细芯片制造工艺。这一事件的背景是，尹锡悦从周一起对荷兰进行为期4天的国事访问。根据日程，当地时间周二，尹锡悦将与荷兰国王威...……更多
2023-12-13 11:23:00阿斯,芯片,荷兰,三星,韩国,研究中心
...颈，补充了现有 DRAM 的局限性，被认为是一种具有前景的下一代内存产品。CPU和GPU的性能每年都在大幅提升，但支撑它们的内存半导体性能却一直相对滞后，HBM 作为替代方案应运而生。目前，通过与中央处理器 (CPU) 和图形处理...……更多
2023-02-14 14:00:00狂飙,热潮,芯片,厂商,英伟,芯片
...在十月底前达成合并协议，但是由于铠侠间接大股东SK海力士的反对，最终导致了该合并案的失败。10月26日，韩国存储芯片大厂SK海力士在2023财年第三季度财务会议上首次正式对外表示，反对铠侠与西部数据的合并案。SK海力士...……更多
2023-10-28 21:17:00西部数据,力士,韩国,日本,美国,西部
三星和SK海力士是存储器领域的领导者，位列DRAM行业前两名，都已投入到3DDRAM商业化进程中，希望借此改变存储器行业的游戏规则。排在第三的美光从2019年起就开始了3DDRAM的研究，获得的专利数量是三星和SK海力士的两到三倍...……更多
2024-06-22 23:29:00三星,力士,混合,应用,技术,三星
...s援引业内人士的话称，韩国两大存储巨头三星电子和SK海力士目前的通用DRAM内存产能利用率维持在80~90%水平。韩媒宣称，这一情况同主要企业已实现生产正常化的NAND闪存产业形成鲜明对比：除铠侠外，三星电子和SK海力士也已...……更多
2024-06-19 14:35:00三星电子,三星,力士,运行,电子,三星电子
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快科技8月11日消息，日前，深圳电信发布5G-A场景体验尊享权益，本次5G-A网络权益体验为友好用户邀约。据了解，此次体验面向三类人群
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快科技8月11号消息，据 Gizmochina 报道，Redmi Turbo 4已经出现在了IMEI数据库中，型号为“2412DRT0AC”
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快科技8月11日消息，上周，韩国仁川西区青罗洞一栋公寓楼的地下停车场发生电动汽车起火事件。一辆奔驰EQE在地库车位上突然自燃起火
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近日，由中建六局承建的天津轨道交通B1线云山道站至新北路站区间正式进入盾构掘进施工阶段，B1线建设迎来重要节点。
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快科技8月11日消息，近日，市场调研机构Counterpoint在深圳举办了“Counterpoint行业对话：中国市场上升周期洞察”主题沙龙
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