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SK海力士在研究低温蚀刻设备,下一代3D闪存可能在-70℃低温下生产
随着3D NAND的堆叠层数越来越多,厂家门也在着手研究新的生产技术以改进效率,SK海力士就在评估东京电子最新的低温蚀刻设备,该设备可以在-70℃的低温下运行,用来生成400层以上堆叠的新型3D NAND。低温蚀刻设备的钻孔速度...……更多
三星计划明年初量产超过300层的第九代V-NAND闪存
...NAND的有效层数将超过竞争对手,目前我们知道SK海力士的下一代3DNAND将具有321层,因此三星第九代V-NAND层数应该会更多。层数的增加将使三星提高其3DNAND设备的存储密度。该公司预计,未来的闪存类型不仅会提高存储密度,还会...……更多
铠侠提出为SK海力士生产NAND闪存
...即将敲定最终计划之际,遭到了铠侠重要的间接股东SK海力士的强烈反对,让西部数据选择中止谈判。随后西部数据宣布未来将分拆为两家独立上市公司,分别专注于机械硬盘和NAND闪存业务,预计在2024年下半年开始执行。据相...……更多
批准了!美国同意三星向其中国工厂提供设备【附NAND闪存芯片行业市场分析】
...,美国政府作出最终决定,将无限期豁免三星电子和SK海力士向其在华工厂提供半导体设备,无需其它许可。崔相穆透露,美方已将这一决定通知三星电子和SK海力士等相关企业,将自即日起生效。当前全球NAND市场规模主要集中...……更多
三星、海力士重回闪存战场,这下硬盘还会更便宜吗?
...,一则小道消息的传出引起了不少人的关注:“三星、海力士或将获得无限期的半导体设备出口资格”。这则消息传出后,仅过来几天时间,韩国当地媒体就报道相关企业已经获得授权,已被列入清单的设备可以无限制对华出口...……更多
受美国影响考虑卖掉大连工厂?韩国芯片巨头SK海力士否认
...1月23日,针对美国媒体相关报道,韩国存储芯片巨头SK海力士向观察者网回复表示。美媒彭博社稍早前发布长篇报道,暗示SK海力士受美国出口管制政策影响,或卖掉大连工厂。报道提到,SK海力士2020年以90亿美元的价格,从美国...……更多
三星最快本月实现第9代v-nand闪存量产
...9代V-NAND闪存的量产。三星高管Jung-BaeLee去年10月表示,其下一代NAND闪存将于“今年初”量产,拥有业界领先的堆叠层数。三星于2022年11月量产了236层第8代V-NAND,这意味着两代之间的间隔为一年半左右。▲三星第8代V-NAND闪存Hankyun...……更多
QLC eSSD 旺,Solidigm 大连厂据称延续 FG NAND 并追加设备投资
... 日报道称,由于 QLC 企业级固态硬盘销售状况良好,SK 海力士旗下Solidigm 的中国大连晶圆厂将在一段时间内延续 FG(IT之家注:浮动栅极,FloatingGate)NAND 闪存工艺,并获得新的设备投资。Solidigm大连晶圆厂随英特尔 NAND 闪存与固...……更多
铠侠提出为 SK 海力士生产芯片,以恢复与西部数据的合并谈判
...存制造商铠侠(Kioxia)向其投资者、韩国竞争对手 SK 海力士(SK Hynix)提议,允许其在铠侠位于日本的工厂生产非易失性存储器。此举旨在让 SK 海力士改变其对铠侠与西部数据合并计划的反对态度,目前尚不清楚 SK 海力士是否...……更多
存储市场“供销两旺”原厂业绩好转,AI对存储应用市场提出要求
...)的DRAM产品将成为当下主流技术,在未来两年也将推出下一代技术。随着更多产品对存储的容量要求越来越大,我们预计今年QLC(四层式存储单元)的应用将开始加速,除了在传统的固态硬盘产品上,其他的应用领域也将开始...……更多
全球首款、突破300层!SK海力士官宣321层NAND闪存开始量产
快科技11月21日消息,今天SK海力士官方宣布,已开始量产全球首款321层1TB TLC 4D NAND闪存。SK海力士表示,公司从2023年6月量产上一代238层NAND闪存产品,并供应市场,此次推出的321层NAND闪存,不仅突破了技术界限,也率先实现了...……更多
英伟达赚疯背后,三家存储芯片公司的一场「All in」丨焦点分析
...星方面消息显示,计划于2024年上半年量产具有8层堆栈的下一代HBM3e产品。根据计划,三星的HBM芯片产量将比去年增长2.5倍,明年将再次翻倍。为了补充粮草弹药,2023年第四季度,三星特意把持有的ASML股票变卖,用来投入全新的...……更多
三星将在明年量产300层NAND闪存芯片
...业最小的单元尺寸。这一计划也将使三星的进度超过SK海力士,SK海力士曾在不久前宣布计划在2025年开始量产321层NAND芯片。预计三星第9代NAND闪存芯片仍将采用双堆叠技术,其中包括在两个独立过程中创建NAND存储器,然后将它们...……更多
SK海力士全球首创321层闪存技术,三星计划超越300层
在最近的新闻发布会上,SK海力士公司向全球宣布了一项创新成果:成功研发出321层堆叠的NAND闪存。这是全球首次突破300层堆叠的大关,对于闪存技术的发展具有重大意义。然而,尽管这一成果在技术上具有突破性,但SK海力士...……更多
sk海力士、三星电子等公司正在致力于新材料的开发和应用
...SKHynix计划在第6代(1c工艺,约10nm)DRAM的生产中使用Inpria下一代金属氧化物光刻胶(MOR),这是MOR首次应用于DRAM量产工艺。消息人士称,SKHynix量产的1cDRAM上有五个极紫外(EUV)层,其中一层将使用MOR绘制。他还补充说,“不仅SK海...……更多
SK海力士明年量产400层闪存!能让SSD更便宜吗?
快科技8月4日消息,据报道,SK海力士正在开发400层堆叠的NAND闪存,将于2025年投入大规模量产,再次遥遥领先。为了达成如此密集的堆叠,SK海力士使用了所谓的4D NAND闪存、混合键合技术,也就是W2W(wafer-to-wafer)结构,将两块晶...……更多
SK海力士推出Tube T31游戏闪存盘
1月21日消息,据媒体报道,SK海力士推出一款TubeT31闪存盘,适用于PlayStation5、Xbox、WindowPC和Mac。据了解,这款闪存盘配备DRAM缓存,采用10Gbps的USB-A3.2Gen2接口,拥有1000MB/s的顺序读写速度,是同类SSD中最高的性能水平。值得一提..……更多
SK海力士全新Tube T31游戏闪存盘亮相
...。近日,据多家媒体报道,存储技术领域的领军企业SK海力士推出了一款名为TubeT31的全新游戏闪存盘,旨在为PlayStation5、Xbox、WindowPC和Mac用户提供更加流畅、高效的游戏体验。TubeT31闪存盘作为SK海力士的最新力作,在设计和性能...……更多
海力士抢先展示UFS 4.1闪存:基于V9 TLC NAND颗粒打造
快科技8月9日消息,在FMS 2024峰会上,SK海力士展示了其最新的存储产品,包括尚未正式发布规范的UFS 4.1通用闪存。据JEDEC固态技术协会官网信息,目前公布的最新UFS规范是2022年8月的UFS 4.0,其理论接口速度高达46.4Gbps,预计UFS 4....……更多
存储告别“白菜价”时代,国产品牌终究没能撼动三星?
...,一条是央视新闻报道,10月9日美国同意三星电子和SK海力士向其位于中国的工厂提供设备,无须其他许可。第二条消息则少有人关注:最近一个多月,三星电子、SK海力士宣布对DRAM和NAND闪存芯片涨价10%-20%。事实上,后者的重...……更多
三星研究将MUF应用到服务器DRAM
据TheElec报道,三星正在考虑在其下一代DRAM中使用应用模压填充(MUF)技术。三星最近对3D堆栈(3DS)内存进行了大规模的MRMUF工艺测试,结果显示与现有的TCNCF(热压非导电膜)相比,吞吐量有所提高,但物理特性却有所下降。...……更多
SK 海力士宣布开发新一代移动端 NAND 闪存解决方案“ZUFS 4.0”
IT之家 5 月 9 日消息,SK 海力士公司今日宣布,公司开发出用于端侧(On-Device)AI 的移动端 NAND 闪存解决方案产品“ZUFS(Zoned UFS)4.0”。IT之家注:端侧(On-Device)AI 即指在设备本地运行的人工智能服务,而非依赖于云端服务器...……更多
SK海力士计划HBM4E加速迭代 周期缩短至一年
...游半导体需求的大幅度增长,目前各大厂商都在积极研发下一代产品,并且尽可能多地获取产能。在HBM内存领域,此前SK海力士已决定扩充人工智能基础设施的核心产品,即HBM3E等新一代DRAM的生产能力。与此同时,SK海力士还与...……更多
突发!美国改口:不再限制
...,美国政府作出最终决定,将无限期豁免三星电子和SK海力士向其在华工厂提供半导体设备,无需其它许可。崔相穆透露,美方已将这一决定通知三星电子和SK海力士等相关企业,将自即日起生效。对此,三星电子回应第一财经...……更多
...旨在加速去库存,并稳定NAND闪存价格。此前,美光和SK海力士已经率先进行减产行动。三星的做法已经引起了连锁反应,企业固态硬盘(SSD)的价格已经上涨了5%至10%。预计到2023年底前,消费类SSD的价格还将上涨8%至13%。尽管如...……更多
韩国SK海力士强烈反对:美国西部数据、日本铠侠合并失败
...在十月底前达成合并协议,但是由于铠侠间接大股东SK海力士的反对,最终导致了该合并案的失败。10月26日,韩国存储芯片大厂SK海力士在2023财年第三季度财务会议上首次正式对外表示,反对铠侠与西部数据的合并案。SK海力士...……更多
SK海力士加速推进HBM4E:最早或2026年完成开发
...士还与台积电(TSMC)签署了谅解备忘录(MOU),双方就下一代HBM产品生产和加强整合HBM与逻辑层的先进封装技术密切合作,开发第六代HBM产品,也就是HBM4。虽然距离HBM4投产还有两年的时间,不过SK海力士已经在加速推进第七代H...……更多
三星和SK海力士将在3D DRAM应用混合键合技术
三星和SK海力士是存储器领域的领导者,位列DRAM行业前两名,都已投入到3DDRAM商业化进程中,希望借此改变存储器行业的游戏规则。排在第三的美光从2019年起就开始了3DDRAM的研究,获得的专利数量是三星和SK海力士的两到三倍...……更多
韩媒:三星电子和sk海力士已实现nand产线满负荷运行
...s援引业内人士的话称,韩国两大存储巨头三星电子和SK海力士目前的通用DRAM内存产能利用率维持在80~90%水平。韩媒宣称,这一情况同主要企业已实现生产正常化的NAND闪存产业形成鲜明对比:除铠侠外,三星电子和SK海力士也已...……更多
韩国、荷兰组建“芯片联盟”:阿斯麦与三星将共建芯片研究中心
...1万亿韩元(约合7.04亿欧元),在韩国建立研究中心,利用下一代极紫外(EUV)光刻机研究超精细芯片制造工艺。这一事件的背景是,尹锡悦从周一起对荷兰进行为期4天的国事访问。根据日程,当地时间周二,尹锡悦将与荷兰国王威...……更多
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快科技2月24日消息,小米汽车即将在2月27日晚7点举行小米SU7 Ultra的发布会,并宣布届时将关闭小订通道。雷军此前在微博表示
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2月24日消息,据媒体报道,一位陈姓老人称,他花费19300元购买了一台高电位治疗仪,销售称这台仪器可以缓解高血压、糖尿病
2025-02-24 21:03:00
时评 | 从演出经济看城市的“流量密码”
一场演唱会带火一座城,一场音乐节激活一片海……2月22日,除了连唱三天的“张学友60+”巡回演唱会外,汽水音乐海边派对也在海口同时上演
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这才是真正的生产力工具!OPPO Find N5远控Mac实测
移动办公早已不是什么新鲜事。随着移动办公的普及,全球近9亿人群正从传统办公模式逐步向移动化、智能化转型。尤其是2025年
2025-02-24 21:33:00
胎儿全身发白 竞因给妈妈“倒输血”:病例罕见
2月24日消息,据媒体报道,一位妈妈遭遇罕见的胎母输血综合征,腹中胎儿持续“倒输血”给母亲。孩子出生后,其皮肤非常白,可能有严重贫血
2025-02-24 21:33:00
为原生鸿蒙而生 华为首款新形态手机到底会是什么样
在春节前,华为常务董事、终端BG董事长、智能汽车解决方案BU董事长余承东向外界透露了一个重磅消息,他表示华为会在3月份发布一款打破常规
2025-02-24 21:33:00
深圳一企业员工如厕须带“离岗证”:每次不超过7分钟
2月24日消息,据媒体报道,有网友反映,他之前就职的深圳一家公司限制员工上厕所的时间和次数。该网友称,这家公司要求每个员工4小时只能去2次
2025-02-24 21:33:00
深圳机场加快拓展人工智能全场景应用
本文转自:人民网人民网深圳2月24日电 (王星)近日,深圳机场在深圳市国资委指导下,完成人工智能大模型“Deep Seek R1”本地化部署
2025-02-24 21:45:00
曝小米15 Ultra将于3月18日在印度发布,小米15首当其冲沦为百元机
之前,小米官方就已经对外预告过,小米15系列,其中涵盖了全新的小米15Ultra,将会在3月2日的MWC2025上进行全球范围的发布
2025-02-24 21:47:00
博主称iPhone 17和16几乎没有区别,iPhone 15沦为千元机改写历史
近日,有博主指出,单从外观以及材质这两方面来看的话,iPhone17和iPhone16之间好像并没有太大的差别,它们在工艺以及内部结构方面都颇为相似
2025-02-24 21:47:00
曝华为今年独占技术很多,Pura70现感人价花粉直呼亮瞎眼!
有一位数码博主发布文章透露了相关消息,称华为在今年所拥有的独占技术数量比较多,甚至比之前预期的还要更多一些。按照相关爆料信息来看
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博主:厂商想要学华为得花大成本,Mate60价比千元机遭疯抢!
每当华为推出新机的时候,总是能够为大家带来令人眼前一亮的新技术。就拿去年来说,Mate70系列搭载了业界首发的红枫原生影像技术
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卢伟冰爆料小米未来发布会直播,小米15沦为百元机米粉直呼不敢看
2月22日晚,小米集团合伙人、总裁,同时身兼手机部总裁以及小米品牌总经理的卢伟冰开启了一场直播,在直播过程中,透露了诸多关于即将举办的发布会里新品的相关消息
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三星S25 Edge真机视频泄露,S24低至千元网友直呼不敢看
近日,网络上的一段视频,让我们第一次得以看到三星S25Edge设备实际的表现情况,同时也知晓了关于这款手机的一些颇具价值的细节内容
2025-02-24 21:51:00