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...在三星的规划中，HBM4将有两个发展方向，使用更先进的晶体管工艺和更高级的封装技术。工艺方面，三星计划在HBM上放弃传统的平面晶体管，改用FinFET立体晶体管，从而降低所需的驱动电流，改善能效。FinFET立体晶体管技术是In...……更多
2023-10-22 22:20:00三星,内存,工艺,学习,晶体管,三星
...024的幻灯片上展示了两项3DDRAM内存新技术，包括垂直通道晶体管（VerticalChannelTransistor）和堆叠DRAM（StackedDRAM）。相较于传统的晶体管结构，垂直通道晶体管将沟道方向从水平变为垂直，可大幅减少器件面积占用，但提升了对刻...……更多
2024-04-02 02:48:00三星,业界,时代,内存,晶体管,三星
...这里先简单介绍一下DRAM的基本结构。DRAM单元电路由一个晶体管和一个电容器组成，晶体管负责传输电流，使信息（位）能够被写入或读取，电容器则用于存储位。DRAM由被称为“位线(BL)”的导电材料组成，位线提供注入晶体管...……更多
2024-06-29 10:05:00大厂,招数,内存,制造,技术,封装
...，但是三星的2nm工艺得到了客户的认可，后者对他们的GAA晶体管技术很满意，几乎所有大公司都在与三星合作。但是三星5年赶超台积电的目标没有得到所有人的认可，台湾智库的研究员、总监刘佩真就不看好三星，他认为三星...……更多
2023-05-06 10:49:00弯道,三星,工艺,专家,三星,客户
...布了B200和GB200系列芯片。据黄仁勋介绍，B200拥有2080亿个晶体管，采用台积电4NP工艺制程，可以支持多达10万亿个参数的AI大模型，还通过单个GPU提供20petaflops的AI性能。 ……更多
2024-03-26 02:35:00三星电子,英伟,三星,供货,内存,电子
...。在进一步的细节中，它解释说，这些集成电路中使用的晶体管栅极材料具有更高的电容，使其状态更容易被准确区分。此外，三星在降低工作电压和减少噪音方面的努力也有助于提供这种优化的解决方案。这些仍然是16Gb的IC，...……更多
2023-05-20 06:56:00大规,三星,纳米,大规模,生产,三星
...星Exynos2500芯片会采用新的“闸门全包”（Gate-All-Around）晶体管结构，相较于台积电采用的FinFET结构3nm制程工艺，可以实现更高的整合度和更低的功耗。
只不过并不会过多地使用Cortex-X5架构，而是1+3+2+4设计，据说是为了让功耗...……更多
2024-04-04 15:05:00三星,芯片,再次,三星,芯片,处理
...工艺的先进变体，并强调了称为全方位栅极（GAA）的先进晶体管设计对芯片行业未来的重要性。三星最新活动的核心是该公司的两种新的半导体制造工艺。这些是三星SF2Z和三星SF4U工艺。其中，SF2Z是前沿节点，是三星2纳米工艺...……更多
2024-06-20 13:13:00三星,芯片,解决方案,方案,这是,制造
...神)可能象征着三星处理器性能的新时代。2nm工艺有望在晶体管密度上取得重大进展，与当前一代芯片相比，可能会提高效率和性能。Exynos2600将与苹果的A系列、M系列、AI芯片展开竞争。三星电子Exynos2600将成为GalaxyS26系列在全球...……更多
2024-05-27 12:56:00三星,芯片,正在,开发,三星,芯片
...量产了SF3E（3nmGAA），引入全新的GAA（Gate-All-Around）架构晶体管技术。根据之前公布的计划，三星今年将带来名为SF3（3GAP）的第二代3nm工艺技术，使用“第二代多桥-通道场效应晶体管（MBCFET）”，在原有的SF3E基础上做进一步的...……更多
2024-02-20 10:06:00三星,日本,先机,芯片,订单,工艺
...RTX408012GB版完全一致，配备7680个CUDA核心和12GBGDDR6X内存。晶体管数量达到358亿个，比起RTX3090Ti的280亿个还要多出近80亿个，但是比起RTX4080的459亿个晶体管还是差出不少。所以RTX4080移动版更像是RTX4070Ti在笔记本上的换壳版本，显……更多
2023-02-14 15:42:00真香,落后,桌面,性能,移动,英伟
...程工艺，与前几代使用的FinFET的芯片不同，三星使用了GAA晶体管架构，能极大改善芯片的功率以及效率。与之前的5nm相比，新一代的3nm制程工艺降低了45%的功耗，并且性能提升23%的同时减少16%的面积。三星还宣称，第二代的3nmGAA...……更多
2023-03-16 10:46:00三代,三星,芯片,工艺,三星,工艺
...产。三星的3nm工艺很激进，相比台积电2nm工艺才会转向GAA晶体管的保守，三星在第一代3nm工艺上就使用了GAA晶体管技术，而且是MBCFET多桥通道场效应晶体管，被称为SF3E，也就是3GAE工艺。这次宣布的是SF3工艺，也就是之前的3GAP高...……更多
2023-05-10 15:43:00二代,三星,功耗,工艺,工艺,三星
...3nm工艺，而Exynos2500将是其首款3nm的SoC，或许希望通过GAA晶体管技术提升性能和改善能耗表现。高通同期将带来第四代骁龙8平台，引入自研的定制Oryon内核，预计会对三星造成不小的压力。 ……更多
2023-11-02 10:57:00三星,架构,三星,高通,内核,性能
...的营销工具。通常，较低的工艺制程数意味着使用较小的晶体管，从而导致较高的晶体管数量。这很重要，因为晶体管数量越多，芯片的功能和能效就越高。虽然台积电和三星今年都在量产3nm芯片，但只有三星在使用环栅(GAA)晶...……更多
2023-01-22 16:35:00良品率,三星,纳米,芯片,生产,三星
...全球唯一一家提供采用下一代全新GAA（Gate-All-Around）架构晶体管技术，提供3nm工艺代工服务的代工企业。这也是三星首次实现GAA“多桥-通道场效应晶体管（MBCFET）”应用，打破了FinFET原有的性能限制，通过降低工作电压水平来...……更多
2023-05-05 00:58:00良品率,三星,工艺,三星,良品率,工艺
...。据BusinessKorea报道，三星Foundry正致力于下一代环绕栅极晶体管(GAA)技术的研发，该技术将用于其2nm制程工艺，基于该技术的2nm半导体芯片计划于明年量产。此外，三星将在6月16日至20日于美国夏威夷举行的VLSI研讨会上展示用于2n...……更多
2024-05-01 10:05:00制程,三星,芯片,先进,三星,制程
...了独特的外延和集成工艺。与现有的FinFET技术相比，SF2的晶体管性能显著提升，幅度高达11%至46%，同时可变性降低了26%，漏电现象减少了约50%。三星在半导体工艺领域一直致力于突破，并通过2nm等先进制程技术来巩固其市场地位...……更多
2024-05-01 14:00:00三星,芯片,先进,工艺,三星,工艺
...。除了工艺节点的推进外，三星还对其多桥-通道场效应晶体管（MBCFET）架构进行了深度优化。这种新型晶体管通过采用先进的外延技术和集成方案，在性能方面取得了11%至46%的飞跃，并降低了约50%的漏电流。与此同时，三星与Ar...……更多
2024-06-13 17:59:00三星,纳米,工艺,电商,三星,分隔符
...1.4nm）工艺，通过增加纳米片数量进一步改善工艺。每个晶体管增加纳米片数量，可以增强驱动电流，从而提高性能，更多的纳米片允许更多的电流流过晶体管，从而增强其开关能力和运行速度。此外，更多的纳米片可以更好地...……更多
2023-11-01 13:46:00三星,纳米,数量,工艺,纳米,工艺
...较。性能的提高和功率的节省是在可能的高应力条件下对晶体管源极和漏极进行全面重新评估和设计的结果，进一步的晶体管级设计-技术共同优化，以及重新设计中间线（MOL）电路。由于这种新的MOL，SF4X拥有验证的60mV的CPU最低...……更多
2023-05-17 10:18:00三星,新工艺,高性能,三星,性能,技术
...10%到20%之间，相差巨大。其主要原因是三星的3nm环栅(GAA)晶体管工艺与台积电的FinFET工艺在结构上存在重大差异，三星本身采用的环栅(GAA)晶体管，可以更好地控制晶体管的电流。这是因为GAA晶体管具有垂直堆叠的nm片以覆盖通道...……更多
2023-01-22 16:48:00制程,工艺,工艺,良品率,三星,晶体管
...上，三星率先引入了全新的下一代GAA（Gate-All-Around）架构晶体管技术，与以往使用的FinFET晶体管技术有着较大的区别，也使得良品率问题进一步放大。据Notebookcheck报道，三星目前3nm工艺的良品率在“50%附近”徘徊，在良品率方...……更多
2024-03-10 18:24:00良品率,三星,工艺,问题,良品率,三星
...星所采用的工艺相比传统的FinFET技术，GAA技术通过全新的晶体管设计，实现了更高的性能、更低的功耗和更小的尺寸。同时由于环绕栅极的存在，晶体管在开关过程中产生的热量也得以有效分散，从而降低了功耗。
而且GAA技术...……更多
2024-05-09 10:29:00三星,革命性,新机,芯片,革命,突破
...城工厂开始生产3nm芯片，采用全新GAA（Gate-All-Around）架构晶体管技术。不过在量产以后，三星的3nmGAA工艺的良品率一直都不是那么理想。近日有网友透露，三星初期3nm工艺的良品率最初徘徊在10%至20%之间，经过多方努力后，最近...……更多
2024-03-24 17:44:00良品率,三星,工艺,良品率,三星,工艺
...介绍，SF3节点可以在同一单元内实现不同的环绕栅（GAA）晶体管纳米片通道宽度，从而提供更高的设计灵活性。这也能够为芯片带来更低的功耗和更高的性能，并通过优化设计来增加晶体管密度。IT之家通过TrendForce数据获悉，台...……更多
2024-01-22 12:22:00三星电子,二代,三星,工艺,电子,三星
...仅体现在工艺节点的推进，更在于其对多桥-通道场效应晶体管(MBCFET)架构的深度优化。这种架构通过采用先进的外延技术和集成方案，相较于传统的FinFET结构，实现了11%至46%的晶体管性能跃升，同时降低了26%的性能波动和大约50%...……更多
2024-06-17 23:15:00三星,芯片,三星,技术,晶体管,节点
...代工费用报价，要比台积电7nm工艺便宜四成。虽然前者的晶体管密度不及台积电7nm工艺，但由于功耗设计优秀，在实际应用中并没有逊色于后者。除了代工价格一路水涨船高外，台积电的产能分配问题也一直被业界所诟病。此前...……更多
2024-06-25 09:23:00三星,自己人,三星,芯片,高通,架构
...的更高电压，其主要特点包括：通过先进的SD应力工程、晶体管级DTCO（T-DTCO）和MOL方案，在降低23%功率情况下，实现10%性能提升。提供新的HPC选项，包括ULVT、高速SRAM和高Vdd操作保证与新开发的MOL方案。得益于新的MOL方案，CPU最...……更多
2023-05-19 00:05:00工艺,三星,应用开发,工艺技术,专为,旗下
...潜力。三星表示通过采用深沟槽隔离(DTI)技术，缩小每个晶体管之间的距离，最大限度地发挥功率半导体的性能。三星代工厂将使用120V（当前为70V）的更大电压应用于更广泛的应用，并准备好在2025年之前提供实现120V至130nmBCD工...……更多
2023-10-20 14:38:00三星,纳米,存储,开发,三星,工艺
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