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...024的幻灯片上展示了两项3DDRAM内存新技术，包括垂直通道晶体管（VerticalChannelTransistor）和堆叠DRAM（StackedDRAM）。相较于传统的晶体管结构，垂直通道晶体管将沟道方向从水平变为垂直，可大幅减少器件面积占用，但提升了对刻...……更多
2024-04-02 02:48:00三星,业界,时代,内存,晶体管,三星
...布了B200和GB200系列芯片。据黄仁勋介绍，B200拥有2080亿个晶体管，采用台积电4NP工艺制程，可以支持多达10万亿个参数的AI大模型，还通过单个GPU提供20petaflops的AI性能。 ……更多
2024-03-26 02:35:00三星电子,英伟,三星,供货,内存,电子
...在三星的规划中，HBM4将有两个发展方向，使用更先进的晶体管工艺和更高级的封装技术。工艺方面，三星计划在HBM上放弃传统的平面晶体管，改用FinFET立体晶体管，从而降低所需的驱动电流，改善能效。FinFET立体晶体管技术是In...……更多
2023-10-22 22:20:00三星,内存,工艺,学习,晶体管,三星
...其中大多数。按照台积电方的说法，3nm工艺能够大幅提升晶体管密度约70%，性能的涨幅约在10%-15%之间，而能耗至少能够降低25-30%。此外呢，明年的iPhone15在硬件方面大升级主要在处理器上，其他规格大概率不会有太大的升级。所...……更多
2023-01-15 18:30:00中国制造,中国,苹果,升级,制造,苹果
...量产了SF3E（3nmGAA），引入全新的GAA（Gate-All-Around）架构晶体管技术。根据之前公布的计划，三星今年将带来名为SF3（3GAP）的第二代3nm工艺技术，使用“第二代多桥-通道场效应晶体管（MBCFET）”，在原有的SF3E基础上做进一步的...……更多
2024-02-20 10:06:00三星,日本,先机,芯片,订单,工艺
...潜力。三星表示通过采用深沟槽隔离(DTI)技术，缩小每个晶体管之间的距离，最大限度地发挥功率半导体的性能。三星代工厂将使用120V（当前为70V）的更大电压应用于更广泛的应用，并准备好在2025年之前提供实现120V至130nmBCD工...……更多
2023-10-20 14:38:00三星,纳米,存储,开发,三星,工艺
...3nm工艺，而Exynos2500将是其首款3nm的SoC，或许希望通过GAA晶体管技术提升性能和改善能耗表现。高通同期将带来第四代骁龙8平台，引入自研的定制Oryon内核，预计会对三星造成不小的压力。 ……更多
2023-11-02 10:57:00三星,架构,三星,高通,内核,性能
... A17 Pro。A17 Pro 采用了台积电最新的 3nm 工艺（N3B）制造，晶体管数量达到了惊人的 190 亿，这是全世界第一款采用台积电 3nm 工艺的手机芯片，也是 3nm 工艺第一次出现普通人就可以买到的大众消费品上。要知道，随着芯片尺寸越...……更多
2023-10-11 15:22:00芯片,战争,芯片,工艺,晶圆,三星
...而2nm制程工艺将会基于更加先进的技术，包括GAAFET纳米片晶体管与背部供电，根据之前曝光的数据，能够比3nm提升10-15%的性能，而同等频率下功耗则降低25-30%。也就是说等到2025年，包括三星也台积电都将拥有量产2nm制程的能力...……更多
2024-02-05 21:00:00制程,三星,芯片,订单,更多,制程
...，同时更准确的还原了物体本身的颜色。索尼ExmorT：双层晶体管像素结构（DLT）索尼开发了创新性的双层晶体管像素结构，将光电二极管和像素晶体管分离到不同的基片层上进行堆栈。这种结构使得饱和信号量大幅提升，扩大了...……更多
2024-04-10 17:03:00豪威,索尼,之路,三星,影像,趋势
... PowerVia 背面供电技术的芯片，通过优化供电提高性能和晶体管密度。同时 18A 也是英特尔首个采用 RibbonFET 全周栅极（GAA）晶体管的节点，在缩小面积的情况下，提供更高的晶体管密度和更快的晶体管开关速度。英特尔 18A 现已...……更多
2024-02-22 09:20:00代工,英特,英特尔,代工厂,路线图,节点
...大芯片的美国初创公司Cerebras，Cerebras 的第二代AI芯片WSE-2晶体管数量达到2.6万亿个，AI内核数量也达到了85万个，多项指标打破世界纪录。△图源：Cerebras官网
另一家是Rain Neuromorphics，这是一家设计模仿大脑工作方式的芯片初创...……更多
2024-01-31 17:46:00英特,奥特,奥特曼,英特尔,三星,合作
...星Exynos2500芯片会采用新的“闸门全包”（Gate-All-Around）晶体管结构，相较于台积电采用的FinFET结构3nm制程工艺，可以实现更高的整合度和更低的功耗。
只不过并不会过多地使用Cortex-X5架构，而是1+3+2+4设计，据说是为了让功耗...……更多
2024-04-04 15:05:00三星,芯片,再次,三星,芯片,处理
三星在最新的储存技术日活动中向公众展示了多项新产品，其中包括一款名为“Shinebolt”的下一代HBM3EDRAM，这款产品可以满足下一代AI数据中心应用的需求。三星表示，“Shinebolt”HBM3EDRAM每个引脚速度可达9.8Gbps，其传输速率可...……更多
2023-10-21 20:51:00三星,带宽,内存,高速,三星,产品
...艺量产后仍然面临问题。据悉苹果新推出的M2 Pro处理器的晶体管数量较M1 Pro增加了20%，在性能方面将进一步提升，但是这种提升主要还是依靠芯片核心架构升级取得的，两款处理器都采用了台积电的5纳米工艺。台积电的3纳米工...……更多
2023-01-19 08:00:00纳米,苹果,先进,工艺,问题,纳米
...持续挑战更先进的芯片技术。GAA（Gate All Around，全环栅型晶体管技术）是当前一项核心科技。芯片里面的晶体管，可以拆解为三个模块：源极、栅极、漏极——电离子从源极出发、穿越栅极、进入漏极，构成一个完整回路。栅极...……更多
2023-12-22 11:43:00刻机,巨头,芯片,三大,客户,制程
...，采用台积电4NP工艺制程，配备192HBM3E内存，共有2080亿个晶体管，推理大语言模型性能比H100提升30倍，成本和能耗降低96%。SK海力士今日发布新闻稿宣布其最新的超高性能AI内存产品HBM3E已开始量产，并将从本月下旬起向客户供货...……更多
2024-03-20 03:27:00力士,力士,可处理,产品,进一,芯片
...。据BusinessKorea报道，三星Foundry正致力于下一代环绕栅极晶体管(GAA)技术的研发，该技术将用于其2nm制程工艺，基于该技术的2nm半导体芯片计划于明年量产。此外，三星将在6月16日至20日于美国夏威夷举行的VLSI研讨会上展示用于2n...……更多
2024-05-01 10:05:00制程,三星,芯片,先进,三星,制程
...软更新推出。值得一提的是，这将是最后一个采用 FinFET 晶体管的节点。你可能想知道英特尔如何在六个月内量产两个节点。但其实按照报道，英特尔的4nm（intel 4)和 3nm(intel 3)工艺由两个独立的团队同时开发。这本质上是Tick Tock ...……更多
2023-01-20 06:00:00英特,英特尔,战局,英特,英特尔,三星
...了40%，这让行业内的厂商日子苦不堪言。作为内存一哥的三星，受到的冲击也是最大的，该公司预计在6日发布2022年Q4季度财报，利润预计会腰斩还多。来自21位金融分析师给出了预期，Q4季度三星的运营利润约为59万亿韩元，约...……更多
2023-01-05 23:51:00三星,年来,内存,日子,价格,内存
...Xperia 1 VI预计会继续使用上代产品主打的全新 Exmor T 双层晶体管像素堆栈式影像传感器，配合索尼多帧合成降噪处理，可以实现超清晰的暗光拍摄。该传感器第一层为光电二极管，第二层为像素晶体管，两相配合可以捕捉更多光...……更多
2024-04-22 10:49:00暗光,索尼,三星,新机,拍摄,索尼
1月28日消息，三星电子称其已经在美国硅谷开设了一个新的R&D研究实验室，专注于下一代3DDRAM芯片的开发。该实验室位于硅谷DeviceSolutionsAmerica（DSA）运营之下，负责监督三星在美国的半导体生产，并致力于开发新一代的DRAM...……更多
2024-01-28 20:23:00三星电子,三星,实验室,实验,研究,电子
...了独特的外延和集成工艺。与现有的FinFET技术相比，SF2的晶体管性能显著提升，幅度高达11%至46%，同时可变性降低了26%，漏电现象减少了约50%。三星在半导体工艺领域一直致力于突破，并通过2nm等先进制程技术来巩固其市场地位...……更多
2024-05-01 14:00:00三星,芯片,先进,工艺,三星,工艺
...界和企业界公认的集成电路设计领域最高级别会议，届时三星将展示其GDDR7技术，主题是“具有PAM3优化TRX均衡和ZQ校准的16Gb37Gb/sGDDR7DRAM”。GDDR7将采用PAM3编码，介于PAM4和NRZ之间，相比NRZ实现了更高的周期数据传输速率，同时降...……更多
2024-01-29 11:47:00三星,技术,三星,功耗,技术,内存
...1.4nm）工艺，通过增加纳米片数量进一步改善工艺。每个晶体管增加纳米片数量，可以增强驱动电流，从而提高性能，更多的纳米片允许更多的电流流过晶体管，从而增强其开关能力和运行速度。此外，更多的纳米片可以更好地...……更多
2023-11-01 13:46:00三星,纳米,数量,工艺,纳米,工艺
...上，三星率先引入了全新的下一代GAA（Gate-All-Around）架构晶体管技术，与以往使用的FinFET晶体管技术有着较大的区别，也使得良品率问题进一步放大。据Notebookcheck报道，三星目前3nm工艺的良品率在“50%附近”徘徊，在良品率方...……更多
2024-03-10 18:24:00良品率,三星,工艺,问题,良品率,三星
...介绍，SF3节点可以在同一单元内实现不同的环绕栅（GAA）晶体管纳米片通道宽度，从而提供更高的设计灵活性。这也能够为芯片带来更低的功耗和更高的性能，并通过优化设计来增加晶体管密度。IT之家通过TrendForce数据获悉，台...……更多
2024-01-22 12:22:00三星电子,二代,三星,工艺,电子,三星
...城工厂开始生产3nm芯片，采用全新GAA（Gate-All-Around）架构晶体管技术。不过在量产以后，三星的3nmGAA工艺的良品率一直都不是那么理想。近日有网友透露，三星初期3nm工艺的良品率最初徘徊在10%至20%之间，经过多方努力后，最近...……更多
2024-03-24 17:44:00良品率,三星,工艺,良品率,三星,工艺
三星今天宣布正式开始量产第九代V-NAND闪存，首批开始量产的是容量为1Tb的TLC闪存，新一代闪存的量产会进一步增强三星在闪存市场的竞争力，巩固其领导地位。三星电子内存业务部闪存产品与技术负责人SungHoiHur表示：“我们...……更多
2024-04-24 18:48:00九代,三星,闪存,九代,三星,闪存
...性不言而喻。美国作为半导体的发源地，早在集成电路和晶体管的发明之初就掌握了大量的芯片技术专利，因此多年来一直在全球芯片产业链中占据主导地位。
然而，2019年美国对华为的制裁引发了人们对于芯片产业的关注。这...……更多
2024-02-06 15:46:00库克,三星,芯片,全球,公司,英伟
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快科技8月6日消息，华为星跃鼠标GT今日正式发布，首发599元。据悉，华为星跃鼠标GT采用了NearLink星闪连接技术
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快科技8月6日消息，在“鸿蒙智行享界S9及华为全场景新品发布会”上，余承东介绍称，享界S9的风阻为全球量产豪华车最低，仅为0
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快科技8月6日消息，华为在今天发布会上还公布了灵犀指向遥控套装，可以让老款智慧屏也支持灵犀指向遥控，售价1499元，目前已经开售
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在8月6日的鸿蒙智行享界S9和华为全场景新品发布会上，华为发布新款MatePad Air 。新一代华为MatePad Air以其多彩轻薄的外观设计吸引了大众的眼球
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《黑暗之魂3》中的防火女因为优雅的外型吸引了不少粉丝。最近来自俄罗斯的小姐姐Lady Melamori也带来全新版本的防火女COS
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快科技8月6日消息，在鸿蒙智行享界S9和华为全场景新品发布会上，华为推出了全新的毕昇激光打印机X1系列。这款多功能打印机集打印
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快科技8月6日消息，在华为享界S9的发布会上，余承东表示，作为鸿蒙智行首款旗舰级豪华轿车。得益于ONEBOX设计，享界S9的车身尺寸达到了C+级水平
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快科技8月6日消息，长城汽车董事长魏建军在访谈节目中，表达了对当下汽车销量榜的看法。魏建军表示，长城并不怕排名，但需要的是一致环境下的排名
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快科技8月6日消息，据“国资小新”官微发文，由航空工业 西飞民机自主研制的“新舟”60遥感飞机在滦河流域联合开展遥感试验
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大众网记者 毕筱涵 刘宇昕 青岛报道青岛，向海而生，因海而兴，众多海洋企业在这座沿海城市里扎根繁茂。它们中的大部分主要从事工程装备生产或工业配套生产
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据业内知名数码博主“数码闲聊站”的独家揭秘，华为集创新与奢华于一身的华为新品，已悄然步入量产的加速车道，预示着科技与美学的全新融合即将揭开神秘面纱
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