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NAND闪存市场呈现复苏迹象,未来格局或生变
...于出现了复苏的迹象。从市场动态和需求变化来看,NAND闪存作为两大存储器产品之一,正在经历新一轮的变化。三星在去年进行了多次减产,不过随着市场回暖,已开始大幅度提高产能利用率,同时抬升价格,继续主导市场。...……更多
三星闪存涨价潮来袭!季度涨幅高达20%,一年后或将贵70%
据多位半导体产业人士透露,三星将对其NAND闪存芯片的价格进行大幅调整。从今年第四季度开始,三星计划将闪存芯片的报价提高10-20%。令人惊讶的是,明年第一季度和第二季度,价格还将分别再上涨20%。按照这一涨幅,预...……更多
三星、海力士重回闪存战场,这下硬盘还会更便宜吗?
...生产事故”而被网友们所熟知。甚至一度还传出或将限制闪存芯片出口的消息,不过后来因为影响实在太大,甚至会对全球的消费电子市场造成巨大冲击而作罢。后来的故事不少人估计都知道,国产闪存颗粒如今已经成为国内市...……更多
三星重磅发布280层QLC闪存
...三星再次站在了技术革新的前沿,宣布推出全新的280层QLC闪存,将M.2SSD的容量推向了新的高度——惊人的16TB!QLC,即四层单元闪存,是近年来闪存领域的一项重要技术突破。与传统的TLC(三层单元)闪存相比,QLC通过在每个存...……更多
SK海力士全球首创321层闪存技术,三星计划超越300层
...向全球宣布了一项创新成果:成功研发出321层堆叠的NAND闪存。这是全球首次突破300层堆叠的大关,对于闪存技术的发展具有重大意义。然而,尽管这一成果在技术上具有突破性,但SK海力士表示,要到2025年上半年才会开始量产...……更多
批准了!美国同意三星向其中国工厂提供设备【附NAND闪存芯片行业市场分析】
...份额达79%,其中得益于智能手机的需求,中国地区对NAND闪存的市场销售额占比全球最大,根据Yole的数据,2022年中国地区NAND闪存市场销售额占全球33%。三星在一份声明中表示,“通过与相关政府的密切协调,与我们在中国的半...……更多
三星宣布投产第九代V-NAND闪存
三星今天宣布正式开始量产第九代V-NAND闪存,首批开始量产的是容量为1Tb的TLC闪存,新一代闪存的量产会进一步增强三星在闪存市场的竞争力,巩固其领导地位。三星电子内存业务部闪存产品与技术负责人SungHoiHur表示:“我们...……更多
NAND闪存芯片价格持续上涨 全行业减产初见成效?
【CNMO新闻】11月30日,CNMO注意到,业内消息人士称,NAND闪存现货价格持续上涨,而DRAM定价趋势则不太稳定。随着旺季接近尾声,11月存储现货价格增长放缓。由于芯片厂商持续减产,上游NAND供应依然紧张,存储模组厂商无法在...……更多
...品价格上涨的市场需求,三星电子计划进一步减少其NAND闪存产品的生产。此举预计将在未来一年内导致行业影响不断扩大。三星电子已经从今年9月份开始,将NAND闪存产品产量削减至总产能的50%,主要集中在128层堆叠以下的产品...……更多
三星将在明年量产300层NAND闪存芯片
...人LeeJung-Bae发表文章,称三星已生产出基于其第九代V-NAND闪存产品的运行芯片,希望明年初可以实现量产。同时三星还正在开发行业内领先的11纳米级DRAM芯片。该负责人还表示,对于DRAM三星正在研发3D堆叠结构和新材料;对于NAND...……更多
消息称三星电子计划从下月起大幅提高 NAND 闪存价格
据韩媒BusinessKorea近日报道,三星计划自今年四季度起调涨其NANDFlash产品的合约价格,涨幅预计超过10%。此举预计最快将在本月新的合约中采用新价格。三星一直奉行减产战略,以降低供应量并提高产品价格来寻求反转,期望明...……更多
三星暂停NAND闪存报价出货 存储芯片Q4合约价报价优于预期 【三星暂停NAND闪存报价出货 存储芯片Q4合约价报价优于预期】《科创板日报》29日讯,存储芯片大厂减产保价策略奏效,Q4合约价报价优于市场预期,DDR5上涨15~20%,DD...……更多
三星nand闪存价格重新调整至少上涨20%
据供应链消息,三星电子计划与大客户进行谈判,将NAND闪存的价格重新调整至合理水平(至少上涨20%)。由于一年多的供过于求,闪存价格已经持平于成本。目前,临时交易价格仍在上涨,并且部分品类的价格已超过2022年1月...……更多
三星最快本月实现第9代v-nand闪存量产
...韩媒Hankyung报道,三星最快于本月晚些时候实现第9代V-NAND闪存的量产。三星高管Jung-BaeLee去年10月表示,其下一代NAND闪存将于“今年初”量产,拥有业界领先的堆叠层数。三星于2022年11月量产了236层第8代V-NAND,这意味着两代之间...……更多
三星UFS 5.0将于2027年发布 新UFS 4.0有望在S25上搭载
【CNMO科技消息】近日,作为全球在闪存芯片领域领导者的三星半导体,在官方平台发布了备受瞩目的新品路线图,预示着新的UFS 4.0和UFS 5.0的即将推出。该路线图揭示了有关该公司计划开始改进UFS接口速度以及UFS 5.0发布时间表...……更多
trendforce发布2023年第三季度nand闪存报告
TrendForce发布了2023年第三季度NAND闪存市场的报告,显示产业收入环比增长2.9%,营收约为92.29亿美元,另外位元出货量也有环比3%的增长。TrendForce表示,买方认为终端需求仍然较低,担忧市场旺季不旺,因此选择保持低库存、缓...……更多
倒逼国产全面涨价!存储大厂们拖延供货 加快闪存晶圆涨价
...29日消息,据国内媒体报道称,目前原厂对四季度Flash(闪存)供应主打“拖延战术”,说到底就是加速闪存晶圆全面调涨。报道中提到,模组厂曾在9月试图敲定数百万颗订单,但原厂迟迟不愿放货,就算愿意给货,数量及价格...……更多
存储告别“白菜价”时代,国产品牌终究没能撼动三星?
...注:最近一个多月,三星电子、SK海力士宣布对DRAM和NAND闪存芯片涨价10%-20%。事实上,后者的重要程度可能并不弱于前者。原因在于,过去一年多无论是DRAM还是NAND,无论是三星电子还是SK海力士,都经历了一轮史无前例的暴跌。...……更多
三星准备推出第9代v-nand闪存
...《Hankyung》报道,三星准备在下个月推出第9代V-NAND(3DNAND闪存),预计将提供290层结构,比该公司于2022年首次推出的236层第八代V-NAND有进一步的提高。据报道,三星是通过改进闪存层堆叠技术实现290层垂直堆叠密度的,这种技...……更多
三星计划量产第九代v-nand闪存,将采用新的堆叠架构
...16日消息,三星计划在本月晚些时候开始量产第九代V-NAND闪存,可用的堆叠层数达290层,相比现在的236层只增加不到23%。这一代新闪存将采用新的堆叠架构,底部是CMOS层加逻辑电路,上边是145层闪存阵列,再上边又是145层闪存...……更多
三星电子已将西安工厂的闪存开工率至 70%
...月11日消息,据韩媒TheElec报道,三星电子已将西安工厂的闪存开工率至70%。西安工厂是三星电子唯一处于韩国境外的存储半导体生产基地,月产能为20万片300mm晶圆,占三星整体NAND产量的40%。目前三星正将西安工厂的工艺升级至2...……更多
余震恰逢原厂缺货期,固态硬盘或迎新一轮涨价
...械硬盘(HDD)和固态硬盘(SSD)都出现了供应短缺。而且闪存产品的需求也超出了预期,因此本季度将继续调整闪存和硬盘产品的价格,其中一些变动将立即生效。希捷:机械硬盘大厂希捷科技近日也向客户发出涨价函,宣布将...……更多
三星计划明年初量产超过300层的第九代V-NAND闪存
10月19日消息,三星是全球最大的NAND闪存供应商,对其V-NAND(即三星称之为的3DNAND)的发展有着宏大的计划,本周三星分享了一些相关信息。该公司证实,其正在按计划生产拥有超过300层的第九代V-NAND闪存,并表示这将是业内层...……更多
三星990 EVO SSD偷跑:采用V-NAND TLC闪存
...固态硬盘采用PCIe4.0x4或5.0x2标准、M.22280外形,基于V-NANDTLC闪存,顺序读写速度可达5000/4200MB/s,随机读写速度可达700k/800kIOPS,并支持AES-256位加密。值得一提的是,尽管Pro型号配备了DDR4RAM缓存,但Evo型号似乎并未配备缓存……更多
三星预计2025-2026年量产第十代v-nand闪存
...层数跳至430层级。三星此前宣布到2030年开发出1000层V-NAND闪存,同时,下一代V-NAND路线图的轮廓也逐渐浮出水面。据报道,三星计划2024年量产的第九代V-NAND将在280层3DNAND 范围内。对于定于2025-2026年量产的第十代V-NAND,三星正在...……更多
国产存储芯片突破,LPDDR5内存发布,但落后三星还有4年
...比超过三分之一。存储芯片有很多种,比如DRAM内存、NAND闪存、Flash闪存等,但其中DRAM+NAND占了95%以上的份额,是数量、份额最高的两大类型。过去这几年,中国从国外进口的芯片中,存储芯片占比超过三分之一。 而在2017年之...……更多
...ce集邦咨询在今日的最新研报中称,AI浪潮对DRAM内存和NAND闪存市场带来明显影响,推动该机构调升本季度两类存储产品的合约价涨幅。具体而言,TrendForce原先预估2024年二季度DRAM内存合约价上涨3~8%,现估计为13~18%;而在NAND闪存...……更多
...。因此,使用该硬盘进行大文件传输变得更加方便快捷。闪存方面,T5EVO采用了176层3DV-NAND技术,并运行在QLC模式下。此外,该硬盘配备了三星自家的S4LR069Metis主控和8GB缓存。在安全性能方面,T5EVO搭载了热防护技术和硬件数据加...……更多
三星第九代v-nand开始量产,提高50%位密度
...杂的蚀刻技术提出了要求。第九代V-NAND配备了下一代NAND闪存接口“Toggle5.1”,可将数据输入/输出速度提高33%,最高可达每秒3.2千兆位(Gbps)。除了这个新接口,三星还计划通过扩大对PCIe5.0的支持来巩固其在高性能固态硬盘市...……更多
存储芯片利好密集催化!龙头8天6板,A股上市公司闪存产品产能、市场地位一览
...质量发展行动计划》,推动先进存储创新发展,实现存储闪存化升级。此外,美国已决定三星电子和SK海力士可以向其中国工厂供应芯片设备。存储芯片迎来新一轮利好消息密集催化。东海证券方霁10月10日研报中表示,1Tb/512Gb Fl...……更多
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