- 我的订阅
- 科技
我们正处于一个信息大暴发的时代，每天都能产生数以百万计的新闻资讯！
虽然有大数据推荐，但面对海量数据，通过我们的调研发现，在一个小时的时间里，您通常无法真正有效地获取您感兴趣的资讯！
头条新闻资讯订阅，旨在帮助您收集感兴趣的资讯内容，并且在第一时间通知到您。可以有效节约您获取资讯的时间，避免错过一些关键信息。
研报：ai浪潮对dram内存和nand闪存市场影响明显
5月7日消息，TrendForce集邦咨询在今日的最新研报中称，AI浪潮对DRAM内存和NAND闪存市场带来明显影响，推动该机构调升本季度两类存储产品的合约价涨幅。
具体而言，TrendForce原先预估2024年二季度DRAM内存合约价上涨3~8%，现估计为13~18%；
而在NAND闪存方面，原预估上涨13~18%，新预估为15~20%，仅eMMC/UFS涨幅较低，为10%。
TrendForce表示，该机构原预计在连续两三个季度的涨价后，DRAM内存、NAND闪存需求方接受大幅涨价的意愿不强。
但来到四月下旬，存储业者完成台湾地区地震后首轮合约价议价，涨幅相较预期扩大。究其原因，除买方意欲支撑手中库存价格外，影响更大的是 AI热潮对存储业供需双方带来了心理上的转变。
在DRAM市场方面，存储原厂担忧HBM内存产能的放量将进一步排挤传统内存的供给：
据早前报道，美光表示HBM3E内存的晶圆量消耗3倍于传统DDR5内存；研报中称，到2024年底三星电子1αnm制程整体DRAM产能的约六成将由HBM3e内存占用。
需求方在评估后，转而考虑在二季度提前为DRAM内存进行备货，应对三季度起HBM内存产量提升带来的供应紧张局势。
而在NAND闪存产品上，节能成为AI推理服务器的优先考量，北美云服务业者扩大对QLC企业级固态硬盘的采用。闪存产品库存加速下降，在此背景下部分供应方出现了惜售心态。
不过研报中也提到，受限于消费级产品需求复苏情况尚不明朗，存储原厂对非HBM内存产能的资本支出仍趋于保守，尤其是仍处于损益平衡点的DRAM闪存。
以上内容为资讯信息快照，由td.fyun.cc爬虫进行采集并收录，本站未对信息做任何修改，信息内容不代表本站立场。
快照生成时间：2024-05-08 05:45:10
本站信息快照查询为非营利公共服务，如有侵权请联系我们进行删除。
信息原文地址：
