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三星预计2025-2026年量产第十代v-nand闪存
1月9日消息，据韩媒TheElec消息，三星将加速3DNAND堆叠进程，正在讨论将预计2025-2026年量产的第十代V-NAND的堆叠层数跳至430层级。
三星此前宣布到2030年开发出1000层V-NAND闪存，同时，下一代V-NAND路线图的轮廓也逐渐浮出水面。
据报道，三星计划2024年量产的第九代V-NAND将在280层3DNAND 范围内。对于定于2025-2026年量产的第十代V-NAND，三星正在讨论跳过300层直接进入430层。
据分析，具体工作正在按照到2030年发展1000层V-NAND的目标逐步推进。也有观察认为，三星会长李在镕强调的“超级差距战略”的执行速度正在加快。
此外，业内人士透露，三星已经为第九代、第十代等V-NAND单元的数量制定了大致的路线图，正在从多个角度开发产品。
，V-NAND是三星于2013年首发的闪存技术，通过在垂直堆叠的平面层的三维空间中钻孔来连接每一层。
2013年出现的第一代V-NAND是24层。此后又推出了第二代32层、第三代48层、第四代 64层、第五代92层、第六代128层、第七代176层。每一代都经历了大约1年到1年零6个月的量产。
三星于2022年11月宣布量产了第八代V-NAND，其堆叠层数为236层。据介绍，第八代V-NAND可提供1Tb(128GB)的方案，三星电子没有公开IC的大小和实际密度，不过他们称之为业界最高的比特密度。
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快照生成时间：2023-01-09 21:45:07
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