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普通芯片背后的惊天秘密!
...要了解普通芯片的基本结构。普通芯片由数以亿计的微小晶体管组成,每个晶体管都可以控制和传输电流。这些晶体管互相连接形成一个庞大的网络,使得芯片能够进行复杂的信息处理和存储。当电流通过晶体管时,它将被传输...……更多
摩尔定律已死在28nm!芯片越来越贵的秘密找到了
...管Milind Shah的最新研究显示,2012年的28nm工艺节点之后,晶体管的平均成本已经不再下降,自然导致芯片的成本和价格居高不下。他指出,28nm及之前,晶体管平均成本在每一代新工艺上都会降低30%,但28nm之后,每一代都基本不...……更多
三星3纳米芯片生产良品率达80%
...的营销工具。通常,较低的工艺制程数意味着使用较小的晶体管,从而导致较高的晶体管数量。这很重要,因为晶体管数量越多,芯片的功能和能效就越高。虽然台积电和三星今年都在量产3nm芯片,但只有三星在使用环栅(GAA)晶...……更多
ASML揭秘全球第一台高NA EUV光刻机:分辨率直达8nm
...下为芯智讯对该文章的翻译:目前芯片制造商依然是依靠晶体管微缩来推动微芯片技术的进步。虽然,这并不是改进芯片的唯一方法,例如,新颖的架构、先进封装等也可以提高性能。但摩尔定律本质上成为普遍法则是有原因的...……更多
抢光刻机、截客户,三大芯片巨头缠斗2nm丨知料
...持续挑战更先进的芯片技术。GAA(Gate All Around,全环栅型晶体管技术)是当前一项核心科技。芯片里面的晶体管,可以拆解为三个模块:源极、栅极、漏极——电离子从源极出发、穿越栅极、进入漏极,构成一个完整回路。栅极...……更多
英特尔在IEDM大会上展示新工艺,背面供电与堆叠晶体管纷纷亮相
...。英特尔正为其未来芯片寻找新的开发路线,包括3D堆叠晶体管以实现更高密度、扩展背面供电以及使用氮化稼来实现更高的传输功率等。总部位于圣克拉拉的芯片巨头将在本周于旧金山召开的第69届IEEE国际电子器件年会(IEDM)...……更多
3nm的芯片战争,才刚刚开始
... A17 Pro。A17 Pro 采用了台积电最新的 3nm 工艺(N3B)制造,晶体管数量达到了惊人的 190 亿,这是全世界第一款采用台积电 3nm 工艺的手机芯片,也是 3nm 工艺第一次出现普通人就可以买到的大众消费品上。要知道,随着芯片尺寸越...……更多
台积电推2nm,芯片制程极限升级,2nm或不再是我们理解的2nm了
...片都不相同,它需要在每平方毫米的面积上,植入3亿颗晶体管,相当于在一个指甲盖那么大的面积里,塞下近400亿颗晶体管。这个数量是现在主流5nm芯片的2倍左右。如此巨大的提升与恐怖的密度,需要将芯片制造技术从2D平面...……更多
英特尔组装完成全球最先进的EUV光刻系统
...进的光学设计将图案投影到硅晶圆上,从而实现分辨率和晶体管尺寸上的进步。英特尔即将推出的14A工艺英特尔在2月份宣布将代工业务剥离为一个独立的实体,当时就详细介绍了即将推出的Intel 14制造工艺。英特尔TWINSCAN EXE: 5000...……更多
高通等侧目!苹果3nm的M3系列设计和流片成本曝光
...苹果目前已经发布的三款M3系列处理器当时,M3拥有250亿晶体管,8核CPU(4个P核+4个E核),10核GPU,主要针对入门级和主流台式机、笔记本电脑和高端平板电脑。M3Pro拥有370亿晶体管,12核CPU(6个P核+6个E核),18核GPU,适用于主...……更多
台积电公布 1.6nm 芯片工艺,iPhone 19 或首发
... 16 埃,因此命名为「A16」。「A16」将结合创新的纳米片晶体管,以及全新的背面电源解决方案。这个背面电源将从芯片背面为芯片供电,为芯片正面数据互联流出更多空间,同时背面的电源更大,功耗会进一步降低。背后电源...……更多
固态硬盘的原厂颗粒有多重要
...NAND生产的要求也更高。由于NAND芯片是通过对内部的浮栅晶体管进行充电和放电操作来进行数据擦除及写入,TLC有4种电压变化,而QLC有16种电压变化,因此存储数据的速度也会慢一些。同时,晶体管能充放电的次数是有限的,它...……更多
科学家制备2英寸二硫化钼单晶薄膜,推动亚纳米芯片走向实际应用
当前,为了解决芯片微缩瓶颈、以及推进晶体管尺度的进一步微缩,必须寻找全新的沟道材料,从而开发新的器件功能和器件架构。2017 年,作为下一代晶体管沟道材料,二维半导体被纳入国际半导体器件与系统路线图(IRDS,In...……更多
中国使用22nm造出256核心芯片!目标1600核心
...用台积电16nm工艺制造,拥有46225平方毫米面积、1.2万亿个晶体管、40万个AI核心、18GBSRAM缓存、9PB/s内存带宽、100Pb/s互连带宽,功耗也高达15千瓦。价格据说在几百万美元级别。 ……更多
制造光刻机 40 年,一本新书重新发现了 ASML 成功的秘密
...帮助 ASML 在财务困难的早期解了燃眉之急。1990 年代末,晶体管架构继续迭代,但光刻机的光源波长卡在 193 纳米,没法刻出更精细的电路。当时业界的主流方案是想办法将光源波长缩短至 157 纳米。尼康和 SVG 都为此投入巨资。2...……更多
...过半导体制程与工艺、先进封装等技术共同延续单位面积晶体管倍增的增长曲线。首个EUV节点Intel 4将于2023年下半年按计划推出,比Intel 7每瓦性能将提高约20%;Intel 3预计将于2023年下半年投产,比Intel 4每瓦性能将提高约18%;Intel ...……更多
ic是集成电路,微芯片或微电子电路
...上制造了数千或数百万个微型电阻器,电容器,二极管和晶体管。IC可以用作放大器、振荡器、定时器、计数器、逻辑门、计算机存储器、微控制器或微处理器。什么是集成电路?IC是所有现代电子设备的基本组成部分。顾名思...……更多
三星发布先进芯片工艺路线图:新版2纳米制程2027年量产,研发生产时间缩短20%
...,目前全球还没有商业化的先例。三星也宣扬全环绕栅极晶体管(GAA)的架构,随着芯片变得越来越精细,甚至突破物理极限,GAA视为继续为AI制造更强大芯片的重要因素。台积电等竞争对手也在开发GAA芯片,但三星起步更早,...……更多
【迄今最快AI芯片拥有4万亿个晶体管 将用于构建大型人工智能超级计算机】财联社3月18日电,据美国趣味科学网站14日报道,美国芯片初创企业Cerebras Systems推出了全新的5纳米级“晶圆级引擎3”(WSE-3)芯片。该公司官网称,这...……更多
中国科学院推出“zhejiang”“大芯片”设计系统
...绍,这颗“大芯片”将基于22nm工艺制造,由超过1万亿个晶体管组成,占据数千平方毫米的总面积,采用小芯片封装或计算和存储块的晶圆级集成。对于这颗芯片,它不同核心之间可通过网络芯片(Netwokr-on-Chip)、同步多处理器...……更多
二维场效应晶体管的三维集成
在计算机芯片上的晶体管数量大约每18个月翻一番,这一产业发展的规律被称为摩尔定律。然而,随着近年来晶体管的尺寸趋近物理极限,摩尔定律的进一步发展对半导体工程师来说是一场噩梦,因为他们需要制造更小、更强大...……更多
下一代芯片用什么半导体材料?专家:未来方向必然是宽禁带半导体
...电压或电流控制另一个端口电压或电流的半导体器件——晶体管。将晶体管与电阻、电容以及其他无源器件的元件相互连接,就形成了一个集成电路。而芯片的本质是在半导体衬底上(也称作“晶圆”)制作能实现一系列特定功...……更多
​光刻机之战
...些数字都要经过芯片,而芯片是由几百万个甚至几十亿个晶体管组成的网络,每个晶体管都是一个电子开关,通过电流开(1)或关(0)来处理和存储这两个数字。用手机点外卖、发朋友圈、打游戏,本质上是手机里的芯片,还...……更多
台积电2nm芯片初始产能将花落谁家!曝苹果有望最先采用
...越小代表了越先进的制造工艺,可以使芯片上集成更多的晶体管,从而提高处理器的速度、实现更有效的功耗。之前从5纳米技术到3纳米技术的飞跃就使iPhone的GPU速度提高了20%、CPU速度提高了10%、iPhone的神经网络引擎速度提高了2...……更多
...文转自:科技日报重新定义数据处理的能源效率具有千个晶体管的二维半导体问世【总编辑圈点】科技日报北京11月13日电 (记者张梦然)据最新一期《自然·电子学》报道,瑞士洛桑联邦理工学院研究人员提出了一种基于二硫...……更多
三星官宣2025年量产2nm芯片,2027年量产1.4nm
...仅体现在工艺节点的推进,更在于其对多桥-通道场效应晶体管(MBCFET)架构的深度优化。这种架构通过采用先进的外延技术和集成方案,相较于传统的FinFET结构,实现了11%至46%的晶体管性能跃升,同时降低了26%的性能波动和大约50%...……更多
英特尔3nm,加入战局
...软更新推出。值得一提的是,这将是最后一个采用 FinFET 晶体管的节点。你可能想知道英特尔如何在六个月内量产两个节点。但其实按照报道,英特尔的4nm(intel 4)和 3nm(intel 3)工艺由两个独立的团队同时开发。这本质上是Tick Tock ...……更多
骁龙8 Gen5处理器不用抽奖了,只因三星3nm良品率过低!
...先进的芯片制造技术,采用了门全包裹(Gate-All-Around)的晶体管结构,相比传统的FinFET结构,可以实现更高的集成度和更低的功耗。而台积电方面,2023年虽然量产了3nm FinFET工艺,但是和三星的工艺优势方面还是稍微弱了一些。...……更多
英特尔18A工艺客户敲定:开发Arm架构64核心处理器
...制程工艺,但是英特尔却表示自家的制程功能在性能以及晶体管密度上相当于友商的1.8nm的工艺,因此过去英特尔对于制程工艺的描述并不能很好地阐述其性能表现,而采用新的制程表述说明之后,对于对外宣传就有很大的好处...……更多
英特尔继续推进摩尔定律:芯片背面供电,突破互连瓶颈
...推进摩尔定律,在2030年前实现在单个封装内集成1万亿个晶体管。·包括PowerVia背面供电技术、用于先进封装的玻璃基板和Foveros Direct技术预计将在2030年前投产。12月9日,英特尔在IEDM 2023(2023 IEEE 国际电子器件会议)上展示了使...……更多
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2024-07-09 13:42:00
性能魔王!红米这 2599 Ultra 新机又要杀疯
前情回顾:上个星期...果子就这次 “ 中端机大战 ” 中即将发布的 8 Gen3 新机全部汇总了下。而最后一台,只剩下红米的 K70 至尊版了
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人工智能时代已来?世界人工智能大会先给你降降温
打卡世界人工智能大会,听起来像是开启了剥离日常的、前卫的一天。实际上,它的开始就有些打破想象:在烈日炎炎下,蜂拥的人群需要在前两道临时设立的关卡处
2024-07-09 13:50:00
独家!欣旺达:全固态电池成本可降至2元/Wh
中国日报7月3日电(记者 程钰)随着中国政府和企业在全固态电池领域加大投入,这项颠覆性技术的研发和产业化进程明显提速。国内头部电池企业欣旺达在接受中国日报独家专访时表示
2024-07-09 13:51:00
到底是“摇钱树”还是“烫手山芋”?中国发现价值万亿能源,可用3900年
2023年,中国科学家扔出了一个震撼弹:干热岩能源储量巨大,足够支撑人类使用近3900年!这消息一出,网友们炸开了锅,纷纷表示
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科大讯飞:烈火烹油还是自焚前夜?“讯飞星火”大模型背后的悲歌
当晨曦的第一缕光线透过科研室的窗户,映照在那一张张专注的面孔上,我们知道,新的一天,对于科大讯飞来说,又是充满挑战与希望的开端
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算力风暴背后:液冷数据中心破局“不可能三角”
液冷不再是选择题作者/ IT时报记者 郝俊慧编辑/ 钱立富 孙妍AI风暴席卷全球时,“能源阴影”始终如影随形。“真正的电力短缺局面即将到来
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7月8日消息,今天,Redmi宣布,小米与华星联合打造的C8+发光材料正式下线,发光效率达到行业更强水平,像素寿命更有超乎想象的大突破
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redmik80系列外观设计和核心性能大幅提升
早前有媒体在IMEI数据库中发现了RedmiK80和K80Pro这两款型号手机,而近日爆料指RedmiK80系列将在外观设计和核心性能方面带来大幅提升
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AI基金群在沪启动,推动AI产业高质量发展
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