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在今日的2023蔚来日上，蔚来首颗自研智驾芯片 —— 神玑NX9031正式发布。据介绍，神玑NX9031采用5nm 车规工艺打造，拥有500亿 + 晶体管，支持32核CPU。此外，神玑NX9031 可搭配天枢全域操作系统使用。 来源：金融界AI电报 ……更多
2023-12-23 22:04:00芯片,工艺,日上,晶体管,电报,金融界
金融界10月10日消息，赛微电子在互动平台表示，公司认为，在汽车智能化、电动化、网联化发展的背景下，燃油及新能源汽车的芯片搭载量正在快速增加，带来车载芯片（包括车载MEMS元器件）的长期需求增长。公司境内外MEMS...……更多
2023-10-10 23:35:00微电子,布局,芯片,业务,产业,汽车
在今日举办的2023蔚来日上，蔚来汽车CEO李斌表示，蔚来ET9 2025年一季度开启交付，今天开始接受预定，预售价格80万元。 来源：金融界AI电报 ……更多
2023-12-23 22:04:00李斌,预售,价格,日上,电报,金融界
...益落后的情况下确实有点慌了。Intel指出它的7纳米工艺的晶体管密度达到1.234亿晶体管每平方毫米，而台积电的3纳米工艺却是1.24亿晶体管每平方毫米，两者的晶体管数量差不多，但是在命名上却差距甚远。这已不是Intel第一次指...……更多
2024-06-24 09:18:00老底,无耻,跟着,工艺,数字,纳米
...片都不相同，它需要在每平方毫米的面积上，植入3亿颗晶体管，相当于在一个指甲盖那么大的面积里，塞下近400亿颗晶体管。这个数量是现在主流5nm芯片的2倍左右。如此巨大的提升与恐怖的密度，需要将芯片制造技术从2D平面...……更多
2023-12-22 09:54:00制程,芯片,极限,升级,制程,芯片
...能每两年翻一番的经验法则——是否还能继续有效。随着晶体管尺寸的不断缩小，人们普遍担忧物理限制将会成为难以逾越的障碍，特别是短沟道效应、漏电流和隧道效应等问题日益突出。这些挑战不仅威胁到了摩尔定律的延续...……更多
2024-08-07 09:43:00摩尔,定律,纳米,进化,芯片,物理
... A17 Pro。A17 Pro 采用了台积电最新的 3nm 工艺（N3B）制造，晶体管数量达到了惊人的 190 亿，这是全世界第一款采用台积电 3nm 工艺的手机芯片，也是 3nm 工艺第一次出现普通人就可以买到的大众消费品上。要知道，随着芯片尺寸越...……更多
2023-10-11 15:22:00芯片,战争,芯片,工艺,晶圆,三星
...越小代表了越先进的制造工艺，可以使芯片上集成更多的晶体管，从而提高处理器的速度、实现更有效的功耗。之前从5纳米技术到3纳米技术的飞跃就使iPhone的GPU速度提高了20%、CPU速度提高了10%、iPhone的神经网络引擎速度提高了2...……更多
2024-01-26 05:09:00最先,芯片,苹果,纳米,芯片,晶体
...块芯片最大的亮点——GAA工艺（Gate-All-Around，全环绕栅极晶体管）。要在指甲盖大小的芯片里塞下数百亿个晶体管，听上去就如同天方夜谭，但工程师们总能想出新办法。其中一种思路就是将晶体管像积木一样堆叠起来，那么就...……更多
2024-07-13 09:52:00三星,芯片,全球,三星,工艺,芯片
...01）作者 | ZeR0编辑 | 漠影到2023年，在1颗芯上集成1万亿个晶体管。——这是英特尔最新公布的“小目标”。什么概念？英伟达今年推出的最新旗舰通用GPU H100，在814mm²核心面积上集成了800亿个晶体管；英特尔即将推出的数据中心...……更多
2022-12-17 01:00晶体管,晶体,芯片,关键,技术
...程工艺，与前几代使用的FinFET的芯片不同，三星使用了GAA晶体管架构，能极大改善芯片的功率以及效率。与之前的5nm相比，新一代的3nm制程工艺降低了45%的功耗，并且性能提升23%的同时减少16%的面积。三星还宣称，第二代的3nmGAA...……更多
2023-03-16 10:46:00三代,三星,芯片,工艺,三星,工艺
...的营销工具。通常，较低的工艺制程数意味着使用较小的晶体管，从而导致较高的晶体管数量。这很重要，因为晶体管数量越多，芯片的功能和能效就越高。虽然台积电和三星今年都在量产3nm芯片，但只有三星在使用环栅(GAA)晶...……更多
2023-01-22 16:35:00良品率,三星,纳米,芯片,生产,三星
...片的所有关键指标中，没有一项是3nm。我们知道芯片是由晶体管组成，晶体管越多，芯片性能越强，因为一个晶体管就是一路电流，代表一个0与1的开关换算。而一个晶体管里面又含有三个部分，分别是源极（Source，电流入口）...……更多
2023-02-04 15:59:00摩尔,栅极,发展,定律,更快,工艺
...。英特尔正为其未来芯片寻找新的开发路线，包括3D堆叠晶体管以实现更高密度、扩展背面供电以及使用氮化稼来实现更高的传输功率等。总部位于圣克拉拉的芯片巨头将在本周于旧金山召开的第69届IEEE国际电子器件年会（IEDM）...……更多
2023-12-13 10:23:00英特,英特尔,晶体管,晶体,新工艺,供电
...沿选择电路及控制电路，包括：金属氧化物半导体场效应晶体管MOS管、第一电阻、第二电阻和第三电阻；第二电阻的第一端用于连接脉冲信号源；第二电阻的第二端通过第三电阻接地；第二电阻的第二端连接MOS管的栅极；MOS管的...……更多
2024-06-23 05:03:00上汽集团,脉冲,电路,控制,选择,信号
...出更先进的N2系列工艺。这一系列工艺将集成超过1000亿个晶体管，并通过CoWoS、InFO和SoIC等多种封装技术实现。此外，台积电还计划使用EUV光刻、金属氧化物ESL等新材料和新技术。更令人期待的是，台积电还规划了1.4nm级别的A14和...……更多
2023-12-28 18:02:00晶体管,晶体,封装,晶体管,晶体,工艺
...。据BusinessKorea报道，三星Foundry正致力于下一代环绕栅极晶体管(GAA)技术的研发，该技术将用于其2nm制程工艺，基于该技术的2nm半导体芯片计划于明年量产。此外，三星将在6月16日至20日于美国夏威夷举行的VLSI研讨会上展示用于2n...……更多
2024-05-01 10:05:00制程,三星,芯片,先进,三星,制程
...不过有两个重要的信息没透露，就是处理器的芯片尺寸和晶体管数量。实际上AMD会在评测指南上公布这些数据，但HardwareLuxx.de在会后的问答中拿到了答案。GraniteRidge的结构其实和上代锐龙7000Raphael没啥区别，甚至I/ODie根本没换，...……更多
2024-07-17 20:18:00晶体管,晶体,处理器,芯片,尺寸,数量
...尺寸不匹配，因此需要进行一些修改，最终大幅提高了其晶体管密度。第二代芯片第一代芯片5nmZen4CCD7nmZen3CCD尺寸36mm241mm266.3mm280.7mm2晶体管数约47亿47亿65.7亿41.5亿晶体管密度约1.306亿约1.146亿约9900万约5140万与之前一样，这颗……更多
2023-03-05 14:43:00二代,缓存,处理器,细节,处理,芯片
...这里先简单介绍一下DRAM的基本结构。DRAM单元电路由一个晶体管和一个电容器组成，晶体管负责传输电流，使信息（位）能够被写入或读取，电容器则用于存储位。DRAM由被称为“位线(BL)”的导电材料组成，位线提供注入晶体管...……更多
2024-06-29 10:05:00大厂,招数,内存,制造,技术,封装
...10%到20%之间，相差巨大。其主要原因是三星的3nm环栅(GAA)晶体管工艺与台积电的FinFET工艺在结构上存在重大差异，三星本身采用的环栅(GAA)晶体管，可以更好地控制晶体管的电流。这是因为GAA晶体管具有垂直堆叠的nm片以覆盖通道...……更多
2023-01-22 16:48:00制程,工艺,工艺,良品率,三星,晶体管
...了独特的外延和集成工艺。与现有的FinFET技术相比，SF2的晶体管性能显著提升，幅度高达11%至46%，同时可变性降低了26%，漏电现象减少了约50%。三星在半导体工艺领域一直致力于突破，并通过2nm等先进制程技术来巩固其市场地位...……更多
2024-05-01 14:00:00三星,芯片,先进,工艺,三星,工艺
...进的光学设计将图案投影到硅晶圆上，从而实现分辨率和晶体管尺寸上的进步。英特尔即将推出的14A工艺英特尔在2月份宣布将代工业务剥离为一个独立的实体，当时就详细介绍了即将推出的Intel 14制造工艺。英特尔TWINSCAN EXE: 5000...……更多
2024-04-23 10:24:00英特,光刻,英特尔,最先,全球,系统
...管Milind Shah的最新研究显示，2012年的28nm工艺节点之后，晶体管的平均成本已经不再下降，自然导致芯片的成本和价格居高不下。他指出，28nm及之前，晶体管平均成本在每一代新工艺上都会降低30％，但28nm之后，每一代都基本不...……更多
2024-02-05 11:00:00摩尔,越来,定律,芯片,越来越,秘密
...星所采用的工艺相比传统的FinFET技术，GAA技术通过全新的晶体管设计，实现了更高的性能、更低的功耗和更小的尺寸。同时由于环绕栅极的存在，晶体管在开关过程中产生的热量也得以有效分散，从而降低了功耗。
而且GAA技术...……更多
2024-05-09 10:29:00三星,革命性,新机,芯片,革命,突破
...新的TSMCFINFLEXTM架构。针对数字逻辑电路，N3实现了1.7倍的晶体管密度提升；而在模拟电路上达成的密度提升为1.1倍；SRAM单元的密度提升为1.2倍。台积电表示，其3nm制程技术性能、功耗及面积(PPA)及晶体管体技术为业界最先进半导...……更多
2023-02-27 16:03:00一代,芯片,苹果,工艺,制程,密度
... PowerVia 背面供电技术的芯片，通过优化供电提高性能和晶体管密度。同时 18A 也是英特尔首个采用 RibbonFET 全周栅极（GAA）晶体管的节点，在缩小面积的情况下，提供更高的晶体管密度和更快的晶体管开关速度。英特尔 18A 现已...……更多
2024-02-22 09:20:00代工,英特,英特尔,代工厂,路线图,节点
...持续挑战更先进的芯片技术。GAA（Gate All Around，全环栅型晶体管技术）是当前一项核心科技。芯片里面的晶体管，可以拆解为三个模块：源极、栅极、漏极——电离子从源极出发、穿越栅极、进入漏极，构成一个完整回路。栅极...……更多
2023-12-22 11:43:00刻机,巨头,芯片,三大,客户,制程
...仅体现在工艺节点的推进，更在于其对多桥-通道场效应晶体管(MBCFET)架构的深度优化。这种架构通过采用先进的外延技术和集成方案，相较于传统的FinFET结构，实现了11%至46%的晶体管性能跃升，同时降低了26%的性能波动和大约50%...……更多
2024-06-17 23:15:00三星,芯片,三星,技术,晶体管,节点
...5年赶超台积电（TSMC）的关键。其中RibbonFET是对GateAllAround晶体管的实现，将成为英特尔自2011年推出FinFET以来的首个全新晶体管架构。该技术加快了晶体管开关速度，同时实现与多鳍结构相同的驱动电流，但占用的空间更小。Power...……更多
2023-03-15 20:58:00英特,英特尔,制程,工艺,测试,英特
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