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三星电子和台积电可能都遇到了3纳米半导体的生产问题,不过这一问题目前尚未有报告。据韩国媒体ChosunBiz援引消息人士的话报道,这两家半导体巨头在3纳米半导体良品率问题上可能都难以超过60%,而这一水平还不足以吸引硬...……更多
三星电子本月首次启动4纳米工艺mpw服务
三星电子本月首次启动4纳米工艺的多项目晶圆(MPW)服务,证明了良率的稳定化成果。自2019年启动MPW5纳米工艺四年以来,三星在这条路上实现了更精细、更先进工艺的生产。▲图源:三星电子业内人士14日表示,三星电子计划本...……更多
消息称三星4nm工艺产能大幅提升 谷歌、AMD纷纷下单
...近 5 纳米的水准,下一代 4 纳米制程将提供更高的良率。三星电子去年推出了 4 纳米芯片技术,但由于良率不高,导致部分客户转投台积电,包括高通公司,IT之家注意到,三星电子也不得不在其 Galaxy S22 手机中使用骁龙 8 芯片...……更多
三星芯片跟随美国,失去中国市场,成为中美芯片竞争的输家
...务,存储芯片如今已是三星的最大利润来源,今年二季度三星电子的利润增长近10倍,其中主要原因就是存储芯片价格上涨,为三星带来了丰厚的回报。不过中国也已发展起自己的存储芯片,据悉近期中国的存储芯片企业再次突...……更多
现代汽车将采用 5 纳米工艺开发自家的车用半导体
...于去年6月成立了一个半导体开发实验室,并聘请了曾在三星电子的系统LSI部门从事车载芯片ExynosAuto开发工作的工程师KimJong-sun。现代汽车正计划为其半导体相关业务选择一家半导体设计公司,预计代工厂将是三星电子或台积电...……更多
三星表示,将成功实现2纳米节点,或提升芯片性能和功耗
...三星表示,他们已经成功将其工艺节点减小到了惊人的2纳米,这一突破有望为未来的芯片技术开辟全新的可能性。据三星表示,实现2纳米工艺节点的关键在于克服了多项技术难题,包括材料选择、光刻技术以及电子束曝光技术...……更多
三星开发首款5纳米emram车用存储
...于AEC-Q100Grade1的FinFET工艺的14nm工艺。IT之家从报道中获悉三星电子公布了路线图,计划在2024年量产14nm工艺eMRAM,并计划在2026年量产8nm、2027年量产5nm。与14纳米工艺相比,三星8纳米eMRAM具有将密度提高30%、速度提高33%的潜力。三...……更多
三星3nm良率翻至3倍!仍落后于台积电
2024-03-25 16:28:31 作者:姚立伟三星电子的3纳米Gate-All-Around(GAA)工艺的良率已经实现了显著的提升,从先前的10%至20%上升至30%至60%之间。然而,这仍然落后于竞争对手台积电。台积电计划在今年内将3纳米晶圆的产量扩大到每月...……更多
三星电子正在积极推进其2纳米工艺的研发,希望在先进制造领域挑战行业巨头台积电。据内部消息,三星的半导体代工部门正在快速推进其2纳米生产计划,并整合资源加速技术研发。业内人士甚至猜测三星可能会跳过3纳米工...……更多
三星发布先进芯片工艺路线图:新版2纳米制程2027年量产,研发生产时间缩短20%
6月13日,三星电子在“2024年三星代工论坛”上,发布未来多项芯片技术的进展,并表示其代工业务计划为客户提供一站式服务,整合其全球排名第一的存储芯片、代工和芯片封装服务,以更快地生产人工智能芯片,以利用人工...……更多
上半年三星或实现第三代4nm芯片量产,全面改进工艺
...艺将使芯片的功耗降低50%,性能提升30%并减少35%的面积。三星电子表示,其GAA晶体管芯片将会应用于高性能、低功耗的计算领域,并计划拓展到移动处理器。三星电子的3nm芯片采用GAA架构通过降低电源电压和增强驱动电流的能力...……更多
三星启动12纳米16gbddr5dram大规模生产
...][经销商][产品售价][#zolsplit_ecb电商推广区域分隔符结束#]三星电子DRAM产品与技术执行副总裁JooyoungLee在讨论这一制造里程碑时说:\"利用差异化的工艺技术,三星行业领先的12纳米级DDR5DRAM具有出色的性能和电源效率\"。然而,PC...……更多
本文转自:中国电子报台积电转产 28纳米前景受质疑?陈炳欣最近台积电传出将调整高雄厂28纳米工艺晶圆生产线的投资计划,引起业界广泛关注。该消息也在台积电日前举办的法说会上得到证实。台积电总裁魏哲家表示,高雄...……更多
...文转自:科技日报科技日报首尔6月16日电 (记者薛严)三星电子日前在美国硅谷举行“2024年三星代工论坛”,表示2027年将引入尖端晶圆代工技术,推出两种新工艺节点,形成包括人工智能半导体研发、代工生产、组装在内的全...……更多
三星12纳米ddr5dram2023年量产
三星电子与AdvancedMicroDevices(AMD)合作开发了业界首款12纳米级DDR5动态随机存取存储器(DRAM)。这种新型DRAM将于2023年开始量产,预计将以其卓越的性能和更高的能效提升下一代计算、数据中心和人工智能(AI)应用的能力。三星12纳米DD...……更多
三星痛失谷歌高通订单!只因3nm良率太低
快科技6月18日消息,据韩国媒体报道,三星电子因3纳米工艺的量产良率和能效问题,失去了谷歌和高通两大客户的青睐。这两家公司已将订单转交给了台积电,后者目前已聚集了大部分3nm工艺订单。三星电子虽然在3年前宣布启...……更多
消息称AMD或将部分4纳米CPU芯片订单从台积电转移至三星
驱动中国2023年5月2日消息,近日,据外媒报道,AMD 已与三星电子签署协议,计划从台积电转移部分 4nm 处理器业务到三星。值得一提的是,之前还有消息称三星已经开始量产第三代 4nm 制程,提高良率和能效,客户可能包括谷歌...……更多
韩国顺从导致光刻机蒙尘,日本却大赚特赚,反省后计划卖给中国
...台积电比肩的芯片制造企业。 三星已量产全球最先进的3纳米工艺,率先引入GAA工艺,比台积电仍然采用FinFET工艺的3纳米还要先进,随着全球的芯片制造工艺转向5纳米及以下工艺,三星闲置了大量的DUV光刻机,这些DUV光刻机比...……更多
​三星多款Galaxy A系列新机即将发布,芯片工艺新进展
...片技术方案的更多信息。来自IT之家的一份报道中提到:三星电子已经决定将“第二代 3 纳米”工艺更名为“2 纳米”,而该工艺计划将于今年年底前量产。去年年底就有更名的相关消息,而现在基本已经得到确认。另外,三星...……更多
三星电子试生产第二代3nm级工艺sf3
1月21日消息,Chosun援引业内人士消息称,三星电子代工厂已开始针对其第二代3nm级工艺SF3进行试生产。据报道,该公司计划在未来六个月内将良率提高至60%以上。消息人士称,三星正在测试SF3节点上制造的芯片的性能和可靠性...……更多
抢光刻机、截客户,三大芯片巨头缠斗2nm丨知料
...10台2nm设备,但当中的6台已经被手快的英特尔提前锁定。问题是,各家的2nm制程量产时间基本锁定在2025年,如果消息成真,意味着ASML能匀给台积电和三星的光刻机数量已经不多。 焦虑的三星,直接请出了韩国总统出手。12月初...……更多
三星称其 3nm 良率可达 60~70%
IT之家5月2日消息,三星电子正为3nm芯片订单与台积电展开激烈的竞争和碰撞,SF3是首个采用GAA-FET技术的3纳米节点,三星已经为目前各大无晶圆厂半导体设计公司送样,以此彰显对性能验证的信心,试图重新俘获客户的青睐。...……更多
被人笑话的三星3nm,搞出全球首颗GAA芯片
豪赌GAA,风险很大。就在几天前,三星电子创造了半导体史上一个“不光彩”的记录——有韩媒爆料称,三星自家的Exynos 2500 芯片目前良率略低于 20%,而在试生产该处理器时,最后统计出的良率竟然为0%。紧接着,知名分析师...……更多
三星将推出第二代3nm工艺Exynos2500处理器
...三星Exynos2500的核心潜力在于其采用新的制程工艺。预计三星电子将利用三星代工厂开发的第二代3nm(纳米)制造技术。这一尖端工艺比之前在Exynos2400中使用的4nm工艺有显著优势,预计甚至会超过台积电的第一代3nm工艺,据传即将...……更多
3nm的芯片战争,才刚刚开始
...达到 99%,但在先进制程上,由于工艺难度和前期的大量问题,良率就可能非常低。但按照惯例,代工厂并不负责承担不良芯片的制造成本,这部分费用还是由芯片设计客户承担,比如苹果、英伟达。当然,「50%的良率」未必可...……更多
车规芯片和消费电子芯片的区别
...无法修复。所以消费电子除了追求性能外,还要兼顾功耗问题,不然很容易出现机身烫手、待机时间减少、使用体验下降等问题。随着芯片性能的日益强悍,芯片价格不断上涨,在手机总成本中占据了越来越大的份额。以高通骁...……更多
为什么苹果、三星都热衷于涨价?
...未来是否会上调iPhone的售价,库克对外表示,“涨价没有问题”,因为“用户愿意为更好的功能、更佳的体验而支付更高的费用。iPhone已经成为人们生活中‘不可或缺的一部分’”。不过在市场层面,考虑到消费者热情不再,苹...……更多
三星量产12nm DDR5内存:功耗骤降23%、量产率提高 20%
三星电子官方宣布,他们已经开始量产采用12nm级工艺的DDR5 DRAM内存芯片。这种新内存具有每颗16Gb(2GB)的容量,最高速度可达7.2Gbps(等效频率7200MHz),相当于每秒能处理两部30GB的超高清电影。相较于上一代产品,12nm DDR5内存的功...……更多
三星将在明年量产300层NAND闪存芯片
10月17日消息,今天,三星电子内存业务负责人LeeJung-Bae发表文章,称三星已生产出基于其第九代V-NAND闪存产品的运行芯片,希望明年初可以实现量产。同时三星还正在开发行业内领先的11纳米级DRAM芯片。该负责人还表示,对于DR...……更多
三星电子将美国泰勒新晶圆厂的量产时间推迟至2025年
12 月 26 日消息,据 Businesskorea 报道,三星电子将位于美国得克萨斯州泰勒的新半导体工厂的量产启动时间推迟到了 2025 年,而最初目标是明年开始量产。推迟的原因据推测与美国政府补贴和各种许可证复杂性问题有关,经济复...……更多
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