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通往万亿晶体管芯片,关键技术揭秘
...01)作者 | ZeR0编辑 | 漠影到2023年,在1颗芯上集成1万亿个晶体管。——这是英特尔最新公布的“小目标”。什么概念?英伟达今年推出的最新旗舰通用GPU H100,在814mm²核心面积上集成了800亿个晶体管;英特尔即将推出的数据中心...……更多
4nm分辨率!全新晶体管3D成像技术来袭:可轻松发现内部缺陷!
...辨率高达4nm,可以在不破坏芯片的前提下,提供芯片内部晶体管及布线的清晰的3D图像,以揭示芯片内部的设计/制造缺陷。Levi说,他们希望提供一种替代方案,以替代用于执行芯片质量控制和揭示芯片设计的耗时、破坏性的过...……更多
英特尔继续推进摩尔定律:芯片背面供电,突破互连瓶颈
...推进摩尔定律,在2030年前实现在单个封装内集成1万亿个晶体管。·包括PowerVia背面供电技术、用于先进封装的玻璃基板和Foveros Direct技术预计将在2030年前投产。12月9日,英特尔在IEDM 2023(2023 IEEE 国际电子器件会议)上展示了使...……更多
二维场效应晶体管的三维集成
在计算机芯片上的晶体管数量大约每18个月翻一番,这一产业发展的规律被称为摩尔定律。然而,随着近年来晶体管的尺寸趋近物理极限,摩尔定律的进一步发展对半导体工程师来说是一场噩梦,因为他们需要制造更小、更强大...……更多
普通芯片背后的惊天秘密!
...要了解普通芯片的基本结构。普通芯片由数以亿计的微小晶体管组成,每个晶体管都可以控制和传输电流。这些晶体管互相连接形成一个庞大的网络,使得芯片能够进行复杂的信息处理和存储。当电流通过晶体管时,它将被传输...……更多
突破性成果!我国科学家首创
...集成电路。受访者供图“将这些二维晶体用作集成电路中晶体管的材料时,可显著提高芯片集成度。在指甲盖大小的芯片上,晶体管密度可得到大幅提升,从而实现更强大的计算能力。”刘开辉说,此外,这类晶体还可用于红外...……更多
3nm的芯片战争,才刚刚开始
... A17 Pro。A17 Pro 采用了台积电最新的 3nm 工艺(N3B)制造,晶体管数量达到了惊人的 190 亿,这是全世界第一款采用台积电 3nm 工艺的手机芯片,也是 3nm 工艺第一次出现普通人就可以买到的大众消费品上。要知道,随着芯片尺寸越...……更多
AGI一日要闻:台积电预测2040年GPU芯片性能提升1000倍;Scale估值高达130亿美金
...积电董事长刘德音联合撰写题为《我们如何实现1万亿个晶体管GPU》的文章。刘德音在文中预测,半导体技术的突破给AI技术带来重要贡献。在未来10年,GPU集成的晶体管数将达到1万亿。而且,GPU能效性能每2年提高3倍,未来15年...……更多
摩尔定律再进化,2纳米之后芯片如何继续突破物理极限
...能每两年翻一番的经验法则——是否还能继续有效。随着晶体管尺寸的不断缩小,人们普遍担忧物理限制将会成为难以逾越的障碍,特别是短沟道效应、漏电流和隧道效应等问题日益突出。这些挑战不仅威胁到了摩尔定律的延续...……更多
英特尔在IEDM大会上展示新工艺,背面供电与堆叠晶体管纷纷亮相
...。英特尔正为其未来芯片寻找新的开发路线,包括3D堆叠晶体管以实现更高密度、扩展背面供电以及使用氮化稼来实现更高的传输功率等。总部位于圣克拉拉的芯片巨头将在本周于旧金山召开的第69届IEEE国际电子器件年会(IEDM)...……更多
魏大程团队设计了一种新型功能型光刻胶
...密度越来越高,硅基芯片集成器件的密度已经超过2亿个晶体管每平方毫米。目前,集成电路芯片主要采用单晶硅制造。与硅材料相比,有机半导体材料具有本征柔性、生物相容性、成本低廉等优势,在可穿戴电子设备、生物电...……更多
我国科学家开发出面向新型芯片的绝缘材料
作为组成芯片的基本元件,晶体管的尺寸随着芯片缩小不断接近物理极限,其中发挥着绝缘作用的栅介质材料十分关键。中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员狄增峰团队开发出面向二维集成电路的单晶氧化铝栅介质...……更多
台积电正式使用n3制程工艺
...10%到20%之间,相差巨大。其主要原因是三星的3nm环栅(GAA)晶体管工艺与台积电的FinFET工艺在结构上存在重大差异,三星本身采用的环栅(GAA)晶体管,可以更好地控制晶体管的电流。这是因为GAA晶体管具有垂直堆叠的nm片以覆盖通道...……更多
内存制造技术再创新,大厂新招数呼之欲出
...这里先简单介绍一下DRAM的基本结构。DRAM单元电路由一个晶体管和一个电容器组成,晶体管负责传输电流,使信息(位)能够被写入或读取,电容器则用于存储位。DRAM由被称为“位线(BL)”的导电材料组成,位线提供注入晶体管...……更多
英特尔重塑代工业务:按期推进4年5个节点计划、公布Intel 14A路线图、2030要成第二大代工厂
... PowerVia 背面供电技术的芯片,通过优化供电提高性能和晶体管密度。同时 18A 也是英特尔首个采用 RibbonFET 全周栅极(GAA)晶体管的节点,在缩小面积的情况下,提供更高的晶体管密度和更快的晶体管开关速度。英特尔 18A 现已...……更多
芯片的功耗问题不断提升
...芯片和系统设计,而且这些问题在不断扩大和增多。随着晶体管密度的提高,这些微小的数字开关产生的热量无法通过传统方式消除。尽管这个问题看似可以控制,但这产生了一连串需要整个行业共同解决的新问题,包括EDA公司...……更多
抢光刻机、截客户,三大芯片巨头缠斗2nm丨知料
...持续挑战更先进的芯片技术。GAA(Gate All Around,全环栅型晶体管技术)是当前一项核心科技。芯片里面的晶体管,可以拆解为三个模块:源极、栅极、漏极——电离子从源极出发、穿越栅极、进入漏极,构成一个完整回路。栅极...……更多
台积电:2030年量产1nm、可封装1万亿个晶体管
...出更先进的N2系列工艺。这一系列工艺将集成超过1000亿个晶体管,并通过CoWoS、InFO和SoIC等多种封装技术实现。此外,台积电还计划使用EUV光刻、金属氧化物ESL等新材料和新技术。更令人期待的是,台积电还规划了1.4nm级别的A14和...……更多
台积电推2nm,芯片制程极限升级,2nm或不再是我们理解的2nm了
...片都不相同,它需要在每平方毫米的面积上,植入3亿颗晶体管,相当于在一个指甲盖那么大的面积里,塞下近400亿颗晶体管。这个数量是现在主流5nm芯片的2倍左右。如此巨大的提升与恐怖的密度,需要将芯片制造技术从2D平面...……更多
台积电2nm芯片初始产能将花落谁家!曝苹果有望最先采用
...越小代表了越先进的制造工艺,可以使芯片上集成更多的晶体管,从而提高处理器的速度、实现更有效的功耗。之前从5纳米技术到3纳米技术的飞跃就使iPhone的GPU速度提高了20%、CPU速度提高了10%、iPhone的神经网络引擎速度提高了2...……更多
...过半导体制程与工艺、先进封装等技术共同延续单位面积晶体管倍增的增长曲线。首个EUV节点Intel 4将于2023年下半年按计划推出,比Intel 7每瓦性能将提高约20%;Intel 3预计将于2023年下半年投产,比Intel 4每瓦性能将提高约18%;Intel ...……更多
厚度仅为1纳米!我国科学家开发出“人造蓝宝石”,实现材料技术重大突破【附显示驱动芯片技术赛道观察图谱】
...源:氧化铝薄膜晶圆瞻观前沿作为组成芯片的基本元件,晶体管的尺寸随着芯片缩小不断接近物理极限,其中发挥着绝缘作用的栅介质材料十分关键。8月8日,中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员狄增峰团队开发出面...……更多
三星在积极研发更先进的芯片制程
...。据BusinessKorea报道,三星Foundry正致力于下一代环绕栅极晶体管(GAA)技术的研发,该技术将用于其2nm制程工艺,基于该技术的2nm半导体芯片计划于明年量产。此外,三星将在6月16日至20日于美国夏威夷举行的VLSI研讨会上展示用于2n...……更多
· 告别晶体管迎来忆容器 AI芯片可用电场而非电流执行计算
...费电子设备更容易获得先进的AI功能。不同于处理器中的晶体管,塞姆龙的芯片使用电场而不是电流。这些由传统半导体材料制成的忆容器可存储能量并控制电场,不仅提高了能源效率,还降低了制造成本,使消费电子产品更容...……更多
革命性突破?三星已量产3nm芯片,搭载新机也基本确认!
...星所采用的工艺相比传统的FinFET技术,GAA技术通过全新的晶体管设计,实现了更高的性能、更低的功耗和更小的尺寸。同时由于环绕栅极的存在,晶体管在开关过程中产生的热量也得以有效分散,从而降低了功耗。 而且GAA技术...……更多
推动后摩尔芯片元器件突破:清华学者多维度探索芯片基础问题,基于新材料研发全适配器件
...去半个多世纪,集成电路技术开创了摩尔时代,如今芯片晶体管密度已达到亿量级每平方毫米。我们在材料、工艺、器件、集成、架构、生态六大技术引擎驱动下,获得了摩尔浪潮。实际上,早在十几年前,人们已经意识到摩尔...……更多
...文转自:科技日报重新定义数据处理的能源效率具有千个晶体管的二维半导体问世【总编辑圈点】科技日报北京11月13日电 (记者张梦然)据最新一期《自然·电子学》报道,瑞士洛桑联邦理工学院研究人员提出了一种基于二硫...……更多
英特尔组装完成全球最先进的EUV光刻系统
...进的光学设计将图案投影到硅晶圆上,从而实现分辨率和晶体管尺寸上的进步。英特尔即将推出的14A工艺英特尔在2月份宣布将代工业务剥离为一个独立的实体,当时就详细介绍了即将推出的Intel 14制造工艺。英特尔TWINSCAN EXE: 5000...……更多
三星官宣2025年量产2nm芯片,2027年量产1.4nm
...仅体现在工艺节点的推进,更在于其对多桥-通道场效应晶体管(MBCFET)架构的深度优化。这种架构通过采用先进的外延技术和集成方案,相较于传统的FinFET结构,实现了11%至46%的晶体管性能跃升,同时降低了26%的性能波动和大约50%...……更多
姚姚是中国振华集团永光电子有限公司晶体管车间的一名压焊工。2018年,车间接到任务,根据产品的设计要求,需要压焊40根丝,而且在同一个电极处排丝布线必须要求在同一个高度,任何一根丝出错都将导致产品报废,加工...……更多
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