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...过半导体制程与工艺、先进封装等技术共同延续单位面积晶体管倍增的增长曲线。首个EUV节点Intel 4将于2023年下半年按计划推出,比Intel 7每瓦性能将提高约20%;Intel 3预计将于2023年下半年投产,比Intel 4每瓦性能将提高约18%;Intel ...……更多
英特尔重塑代工业务:按期推进4年5个节点计划、公布Intel 14A路线图、2030要成第二大代工厂
... PowerVia 背面供电技术的芯片,通过优化供电提高性能和晶体管密度。同时 18A 也是英特尔首个采用 RibbonFET 全周栅极(GAA)晶体管的节点,在缩小面积的情况下,提供更高的晶体管密度和更快的晶体管开关速度。英特尔 18A 现已...……更多
英特尔在IEDM大会上展示新工艺,背面供电与堆叠晶体管纷纷亮相
...。英特尔正为其未来芯片寻找新的开发路线,包括3D堆叠晶体管以实现更高密度、扩展背面供电以及使用氮化稼来实现更高的传输功率等。总部位于圣克拉拉的芯片巨头将在本周于旧金山召开的第69届IEEE国际电子器件年会(IEDM)...……更多
英特尔继续推进摩尔定律:芯片背面供电,突破互连瓶颈
...推进摩尔定律,在2030年前实现在单个封装内集成1万亿个晶体管。·包括PowerVia背面供电技术、用于先进封装的玻璃基板和Foveros Direct技术预计将在2030年前投产。12月9日,英特尔在IEDM 2023(2023 IEEE 国际电子器件会议)上展示了使...……更多
台积电:2030年量产1nm、可封装1万亿个晶体管
...出更先进的N2系列工艺。这一系列工艺将集成超过1000亿个晶体管,并通过CoWoS、InFO和SoIC等多种封装技术实现。此外,台积电还计划使用EUV光刻、金属氧化物ESL等新材料和新技术。更令人期待的是,台积电还规划了1.4nm级别的A14和...……更多
英特尔组装完成全球最先进的EUV光刻系统
...进的光学设计将图案投影到硅晶圆上,从而实现分辨率和晶体管尺寸上的进步。英特尔即将推出的14A工艺英特尔在2月份宣布将代工业务剥离为一个独立的实体,当时就详细介绍了即将推出的Intel 14制造工艺。英特尔TWINSCAN EXE: 5000...……更多
英特尔Intel 4 制程节点已大规模量产,性能大增
...不断推进半导体技术的创新和发展,以求在性能、能效和晶体管密度等方面实现显著提升。而Intel4作为英特尔首个采用EUV技术生产的制程节点,无疑是这一努力的重要体现。极紫外光刻技术是一种先进的半导体制造技术,可以用...……更多
抢光刻机、截客户,三大芯片巨头缠斗2nm丨知料
...持续挑战更先进的芯片技术。GAA(Gate All Around,全环栅型晶体管技术)是当前一项核心科技。芯片里面的晶体管,可以拆解为三个模块:源极、栅极、漏极——电离子从源极出发、穿越栅极、进入漏极,构成一个完整回路。栅极...……更多
英特尔与联华电子合作开发12nm工艺平台
...,这项长期协议将英特尔在美国的大规模制造能力和FinFET晶体管设计经验,与联华电子在成熟制程节点上丰富的晶圆代工经验结合在一起,比如为客户提供工艺设计套件(PDK),以实现扩展的工艺组合。同时新平台还为全球客户...……更多
英特尔3nm,加入战局
...软更新推出。值得一提的是,这将是最后一个采用 FinFET 晶体管的节点。你可能想知道英特尔如何在六个月内量产两个节点。但其实按照报道,英特尔的4nm(intel 4)和 3nm(intel 3)工艺由两个独立的团队同时开发。这本质上是Tick Tock ...……更多
二维场效应晶体管的三维集成
在计算机芯片上的晶体管数量大约每18个月翻一番,这一产业发展的规律被称为摩尔定律。然而,随着近年来晶体管的尺寸趋近物理极限,摩尔定律的进一步发展对半导体工程师来说是一场噩梦,因为他们需要制造更小、更强大...……更多
3nm的芯片战争,才刚刚开始
... A17 Pro。A17 Pro 采用了台积电最新的 3nm 工艺(N3B)制造,晶体管数量达到了惊人的 190 亿,这是全世界第一款采用台积电 3nm 工艺的手机芯片,也是 3nm 工艺第一次出现普通人就可以买到的大众消费品上。要知道,随着芯片尺寸越...……更多
...是M3芯片攻势凶猛,从M3到M3 Max,性能层层递进。首先从晶体管、架构和性能看。根据苹果的介绍,M3拥有250亿个晶体管,比M2多50亿个,采用了下一代架构的10核GPU,能使得图形性能比M1快65%,同时拥有的8核CPU,让CPU性能比M1快35%...……更多
英特尔实现3D先进封装技术的大规模量产
...快、成本更低的路径,以实现在单个封装中集成一万亿个晶体管,并在2030年后继续推进摩尔定律。英特尔的3D先进封装技术Foveros是业界领先的解决方案,在处理器的制造过程中,能够以垂直而非水平方式堆叠计算模块。此外,Fo...……更多
OpenAI加速造芯:奥特曼赴韩与三星SK谈合作,此前已会见英特尔、台积电|最前线
...大芯片的美国初创公司Cerebras,Cerebras 的第二代AI芯片WSE-2晶体管数量达到2.6万亿个,AI内核数量也达到了85万个,多项指标打破世界纪录。△图源:Cerebras官网 另一家是Rain Neuromorphics,这是一家设计模仿大脑工作方式的芯片初创...……更多
20余年坚守创新  他为国产碳化硅“开路”
...的六方碳化硅(4H-SiC),有望制备出更高性能的碳化硅基晶体管。这是国际首次获得可量产、可商业化的晶圆级立方碳化硅单晶生长技术。近期,陈小龙获评2023年中国科学院年度创新人物。“另辟蹊径”获取新突破作为第三代...……更多
...文转自:科技日报重新定义数据处理的能源效率具有千个晶体管的二维半导体问世【总编辑圈点】科技日报北京11月13日电 (记者张梦然)据最新一期《自然·电子学》报道,瑞士洛桑联邦理工学院研究人员提出了一种基于二硫...……更多
与英特尔越走越远 苹果发布自研芯片M2 Pro/Max
...介绍,M2Pro/Max芯片均采用5nm制程,其中,前者集成400亿只晶体管,比M1 Pro芯片增加近20%;后者集成670亿只晶体管,是M2芯片的3倍以上。自从苹果开启M系列自研处理器之路后,它与英特尔的距离似乎越来越远了,并且随着苹果推...……更多
华理团队研发通用晶体生长技术,《自然-通讯》发表其成果
...同步调控晶体的成核和生长过程,攻关钙钛矿晶片与薄膜晶体管的直接耦联工艺,开发动态高分辨成像技术,为钙钛矿晶片的辐射探测应用落地铺平道路。研究团队在工作中。 华东理工大学供图 ……更多
​光刻机之战
...些数字都要经过芯片,而芯片是由几百万个甚至几十亿个晶体管组成的网络,每个晶体管都是一个电子开关,通过电流开(1)或关(0)来处理和存储这两个数字。用手机点外卖、发朋友圈、打游戏,本质上是手机里的芯片,还...……更多
台积电或2030年才采用High-NA EUV光刻机
...有所提高,可以实现更高分辨率的图案化,以实现更小的晶体管特征。英特尔打算在Intel18A制程节点引入High-NAEUV光刻技术,这意味着大概在2026年至2027年之间开始启用新设备。事实上,台积电(TSMC)和三星都已表示会采购High-NAEU...……更多
科技“魔法”登上知名期刊
...同步调控晶体的成核和生长过程,攻关钙钛矿晶片与薄膜晶体管的直接耦联工艺,开发动态高分辨成像技术,为钙钛矿晶片的辐射探测应用落地铺平道路。 该研究工作以华东理工大学为唯一通讯单位。华理材料科学与工程学院...……更多
最前线|CPU AI性能提升10倍!英特尔推第四代至强可扩展处理器,以及超1000亿晶体管GPU
...nte Vecchio”),采用3D封装的Chiplet技术,集成超过1000亿个晶体管,其中集成的47块裸片来自不同的代工厂,涵盖5种以上的差异化工艺节点,异构集成技术大幅提升,能够为物理、金融服务、生命科学等领域的工作负载带来更高的...……更多
Intel展示全新3D晶体管:氮化镓都用上了!
...些突破旨在推进摩尔定律,并展现出该公司在全环绕栅极晶体管领域的领先地位。首先,Intel展示了一种称为3D堆叠CMOS晶体管的新型技术。这种晶体管结合了垂直堆叠互补场效应晶体管(CFET)和直接背面触点(direct backside contact),并...……更多
AGI一日要闻:台积电预测2040年GPU芯片性能提升1000倍;Scale估值高达130亿美金
...积电董事长刘德音联合撰写题为《我们如何实现1万亿个晶体管GPU》的文章。刘德音在文中预测,半导体技术的突破给AI技术带来重要贡献。在未来10年,GPU集成的晶体管数将达到1万亿。而且,GPU能效性能每2年提高3倍,未来15年...……更多
三星电子在背面供电网络测试中取得了令人满意的结果
...制程节点。传统的芯片制造采用自下而上的方式,先制造晶体管再建立用于互连和供电的线路层。然而,随着工艺的进步,这种供电模式的线路层变得越来越混乱,并对设计和制造产生了干扰。为了解决这个问题,BSPDN技术将芯...……更多
固态热晶体管超高速精确控制热量
本文转自:科技日报固态热晶体管超高速精确控制热量开辟计算机芯片热管理新领域固态热晶体管通过电场控制热运动。图片来源:胡永杰实验室/加州大学洛杉矶分校科技日报讯 (记者张梦然)美国加州大学洛杉矶分校研究人...……更多
...直接使用大语言模型进行理解和交互。英特尔展示下一代晶体管微缩技术突破36氪获悉,近日,英特尔在IEDM 2023(2023 IEEE 国际电子器件会议)上展示了使用背面电源触点将晶体管缩小到1纳米及以上范围的关键技术。随着背面供...……更多
...接触电阻降低至42欧姆微米,超越了以化学键结合的硅基晶体管接触电阻,并接近理论量子极限。该成果突破了二维半导体应用于高性能集成电路的关键瓶颈之一。1月12日,研究论文发表于《自然》。金属-半导体欧姆接触是实现...……更多
科学家设计新型纳米结构,有望打造基于纳米天线的光学纳米晶体管
...20-200nm 级别,未来有望用于创建基于纳米天线的光学纳米晶体管、存储器和可编程逻辑器件等。据了解,作为一种强大的工具,电场一直被纳米芯片所用,并促进了光电纳米探测器件的发展。尽管通过外部电路针对微纳结构施加...……更多
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快科技7月27日消息,在NIO IN 2024 蔚来创新科技日上,蔚来发布中国首个智能驾驶世界模型 NWM(NIO World Model)
2024-07-27 16:59:00
充电功率45W?三星这顶配旗舰是疯了吗
最近有曝料三星 Galaxy S25 Ultra 手机国行版完成备案的消息,而且部分配置也一并曝光了。Galaxy S25 Ultra 首发搭载高通骁龙 8 Gen4
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蔚来李斌:全新NIO Phone零系统广告、零商业预装
快科技7月27日消息,“NIO IN 2024蔚来创新科技日”于今日下午在上海举行,科技日上,蔚来发布二代全新NIO Phone手机
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