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...上来看，以上工艺节点有相似之处，包括采用了GAA架构的晶体管、高性能金属-绝缘体-金属（SHPMIM）电容器等等。其中A16还将结合台积电的超级电轨（SuperPowerRail）架构，也就是背部供电技术，这可以在正面释放出更多的布局空...……更多
2024-11-25 10:42:00准备,工艺,制程,技术,工艺,晶体管
... A17 Pro。A17 Pro 采用了台积电最新的 3nm 工艺（N3B）制造，晶体管数量达到了惊人的 190 亿，这是全世界第一款采用台积电 3nm 工艺的手机芯片，也是 3nm 工艺第一次出现普通人就可以买到的大众消费品上。要知道，随着芯片尺寸越...……更多
2023-10-11 15:22:00芯片,战争,芯片,工艺,晶圆,三星
...01）作者 | ZeR0编辑 | 漠影到2023年，在1颗芯上集成1万亿个晶体管。——这是英特尔最新公布的“小目标”。什么概念？英伟达今年推出的最新旗舰通用GPU H100，在814mm²核心面积上集成了800亿个晶体管；英特尔即将推出的数据中心...……更多
2022-12-17 01:00晶体管,晶体,芯片,关键,技术
...10%到20%之间，相差巨大。其主要原因是三星的3nm环栅(GAA)晶体管工艺与台积电的FinFET工艺在结构上存在重大差异，三星本身采用的环栅(GAA)晶体管，可以更好地控制晶体管的电流。这是因为GAA晶体管具有垂直堆叠的nm片以覆盖通道...……更多
2023-01-22 16:48:00制程,工艺,工艺,良品率,三星,晶体管
...片都不相同，它需要在每平方毫米的面积上，植入3亿颗晶体管，相当于在一个指甲盖那么大的面积里，塞下近400亿颗晶体管。这个数量是现在主流5nm芯片的2倍左右。如此巨大的提升与恐怖的密度，需要将芯片制造技术从2D平面...……更多
2023-12-22 09:54:00制程,芯片,极限,升级,制程,芯片
...片的所有关键指标中，没有一项是3nm。我们知道芯片是由晶体管组成，晶体管越多，芯片性能越强，因为一个晶体管就是一路电流，代表一个0与1的开关换算。而一个晶体管里面又含有三个部分，分别是源极（Source，电流入口）...……更多
2023-02-04 15:59:00摩尔,栅极,发展,定律,更快,工艺
...。据BusinessKorea报道，三星Foundry正致力于下一代环绕栅极晶体管(GAA)技术的研发，该技术将用于其2nm制程工艺，基于该技术的2nm半导体芯片计划于明年量产。此外，三星将在6月16日至20日于美国夏威夷举行的VLSI研讨会上展示用于2n...……更多
2024-05-01 10:05:00制程,三星,芯片,先进,三星,制程
...持续挑战更先进的芯片技术。GAA（Gate All Around，全环栅型晶体管技术）是当前一项核心科技。芯片里面的晶体管，可以拆解为三个模块：源极、栅极、漏极——电离子从源极出发、穿越栅极、进入漏极，构成一个完整回路。栅极...……更多
2023-12-22 11:43:00刻机,巨头,芯片,三大,客户,制程
...该工艺将依赖于第二代或第三代Gate-all-around FETs（GAAFET）晶体管技术。此外，也不清楚台积电是否会在A14工艺上启用High-NA EUV光刻机，但这种新设备的引入可能会为芯片设计人员和制造商带来一些新的挑战。与三星的技术路线图...……更多
2023-12-15 10:02:00工艺,工艺,技术,三星,晶体管,制程
...导率和性能。现代芯片可以在极小的空间内塞下数十亿个晶体管，从而处理更多的数据。美国国防部微电子工程负责人谢诺伊博士 (Dr. Dev Shenoy) 表示，五角大楼预计将在 2025 年完成使用英特尔 18A 制程芯片的原型生产。RAMP-C 项目...……更多
2024-04-23 17:00:00美国国防部,英特,国防部,英特尔,美国,芯片
...越小代表了越先进的制造工艺，可以使芯片上集成更多的晶体管，从而提高处理器的速度、实现更有效的功耗。之前从5纳米技术到3纳米技术的飞跃就使iPhone的GPU速度提高了20%、CPU速度提高了10%、iPhone的神经网络引擎速度提高了2...……更多
2024-01-26 05:09:00最先,芯片,苹果,纳米,芯片,晶体
... 2024 下半年量产第二代 3nm 工艺 SF3。而在更传统的 FinFET 晶体管部分，三星电子计划于 2025 年推出 SF4U 制程。这一节点将通过光学收缩进一步提升在 PPA 指标方面的竞争力。三星电子 Foundry 业务部负责人崔时荣还表示：我们还计...……更多
2024-06-13 13:33:00三星电子,三星,封装,光学,领域,工艺
...软更新推出。值得一提的是，这将是最后一个采用 FinFET 晶体管的节点。你可能想知道英特尔如何在六个月内量产两个节点。但其实按照报道，英特尔的4nm（intel 4)和 3nm(intel 3)工艺由两个独立的团队同时开发。这本质上是Tick Tock ...……更多
2023-01-20 06:00:00英特,英特尔,战局,英特,英特尔,三星
...tel首个采用EUV生产的制程节点，对比前代在性能、能效、晶体管密度方面均实现了显著提升。Intel4工艺首发用于代号MeteorLake的酷睿Ultra处理器，将在12月14日正式发布，面向主流和轻薄笔记本。目前，Intel正在稳步推进“四年五个...……更多
2023-10-12 19:54:00宣大,光刻,规模,第一次,工艺,制程
...了独特的外延和集成工艺。与现有的FinFET技术相比，SF2的晶体管性能显著提升，幅度高达11%至46%，同时可变性降低了26%，漏电现象减少了约50%。三星在半导体工艺领域一直致力于突破，并通过2nm等先进制程技术来巩固其市场地位...……更多
2024-05-01 14:00:00三星,芯片,先进,工艺,三星,工艺
...术的出现是行业首个高密度3Dchiplet堆迭技术，这项技术让晶体管的凸点间距最小可达6um，位居晶圆代工厂的首位，看起来它能够有效地提升晶体管的密度，从而能够在有限的面积中安放更多的晶体管数量。当然既然苹果M5处理器...……更多
2024-07-13 18:41:00处理器,苹果,工艺,处理,苹果,处理器
...过半导体制程与工艺、先进封装等技术共同延续单位面积晶体管倍增的增长曲线。首个EUV节点Intel 4将于2023年下半年按计划推出，比Intel 7每瓦性能将提高约20%；Intel 3预计将于2023年下半年投产，比Intel 4每瓦性能将提高约18%；Intel ...……更多
2023-11-06 14:43:00晶体管,晶体,半导体,业内,目标,英特
...能每两年翻一番的经验法则——是否还能继续有效。随着晶体管尺寸的不断缩小，人们普遍担忧物理限制将会成为难以逾越的障碍，特别是短沟道效应、漏电流和隧道效应等问题日益突出。这些挑战不仅威胁到了摩尔定律的延续...……更多
2024-08-07 09:43:00摩尔,定律,纳米,进化,芯片,物理
... PowerVia 背面供电技术的芯片，通过优化供电提高性能和晶体管密度。同时 18A 也是英特尔首个采用 RibbonFET 全周栅极（GAA）晶体管的节点，在缩小面积的情况下，提供更高的晶体管密度和更快的晶体管开关速度。英特尔 18A 现已...……更多
2024-02-22 09:20:00代工,英特,英特尔,代工厂,路线图,节点
...而2nm制程工艺将会基于更加先进的技术，包括GAAFET纳米片晶体管与背部供电，根据之前曝光的数据，能够比3nm提升10-15%的性能，而同等频率下功耗则降低25-30%。也就是说等到2025年，包括三星也台积电都将拥有量产2nm制程的能力...……更多
2024-02-05 21:00:00制程,三星,芯片,订单,更多,制程
...的营销工具。通常，较低的工艺制程数意味着使用较小的晶体管，从而导致较高的晶体管数量。这很重要，因为晶体管数量越多，芯片的功能和能效就越高。虽然台积电和三星今年都在量产3nm芯片，但只有三星在使用环栅(GAA)晶...……更多
2023-01-22 16:35:00良品率,三星,纳米,芯片,生产,三星
...代工费用报价，要比台积电7nm工艺便宜四成。虽然前者的晶体管密度不及台积电7nm工艺，但由于功耗设计优秀，在实际应用中并没有逊色于后者。除了代工价格一路水涨船高外，台积电的产能分配问题也一直被业界所诟病。此前...……更多
2024-06-25 09:23:00三星,自己人,三星,芯片,高通,架构
...3nm制程工艺在性能上有着显著的提升。通过采用更先进的晶体管结构和优化设计，3nm芯片在逻辑运算、数据处理等方面展现出更高的效率。同时，在功耗方面，3nm制程工艺也取得了令人瞩目的成果。相比5nm工艺，新款芯片的功耗...……更多
2024-05-09 09:11:00制程,三星,功耗,下线,飞跃,芯片
...工艺采用了业界领先的极紫外光刻技术，能够实现更高的晶体管密度和更低的功耗。这一工艺的优化也为微软的定制芯片提供了强大的性能支持。据了解，微软的定制芯片将用于增强其AI服务，包括去年11月公布的AzureMaiaAI加速器...……更多
2024-02-23 10:26:00英特,英特尔,微软,芯片,领域,合作
... 16 埃，因此命名为「A16」。「A16」将结合创新的纳米片晶体管，以及全新的背面电源解决方案。这个背面电源将从芯片背面为芯片供电，为芯片正面数据互联流出更多空间，同时背面的电源更大，功耗会进一步降低。背后电源...……更多
2024-04-28 09:30:00芯片,工艺,芯片,英特,英特尔,工艺
...块芯片最大的亮点——GAA工艺（Gate-All-Around，全环绕栅极晶体管）。要在指甲盖大小的芯片里塞下数百亿个晶体管，听上去就如同天方夜谭，但工程师们总能想出新办法。其中一种思路就是将晶体管像积木一样堆叠起来，那么就...……更多
2024-07-13 09:52:00三星,芯片,全球,三星,工艺,芯片
...。英特尔正为其未来芯片寻找新的开发路线，包括3D堆叠晶体管以实现更高密度、扩展背面供电以及使用氮化稼来实现更高的传输功率等。总部位于圣克拉拉的芯片巨头将在本周于旧金山召开的第69届IEEE国际电子器件年会（IEDM）...……更多
2023-12-13 10:23:00英特,英特尔,晶体管,晶体,新工艺,供电
...这里先简单介绍一下DRAM的基本结构。DRAM单元电路由一个晶体管和一个电容器组成，晶体管负责传输电流，使信息（位）能够被写入或读取，电容器则用于存储位。DRAM由被称为“位线(BL)”的导电材料组成，位线提供注入晶体管...……更多
2024-06-29 10:05:00大厂,招数,内存,制造,技术,封装
...律”，其预测了在可预见的未来，可以放置在硅芯片上的晶体管数量将定期翻倍，从而以指数方式提高计算机的数据处理能力。但随着技术发展，半导体制造工艺面临越来越多的物理限制，晶圆代工制程不断缩小，摩尔定律已然...……更多
2024-09-09 14:36:00融资,芯片,国产,战略,设备,技术
...制程有什么优势呢？可以在同一面积的硅片上集成更多的晶体管和其他电子元件，从而实现更复杂的功能和更高的计算能力。更小的晶体管尺寸意味着更快的开关速度，因此可以提高芯片的运算速度和整体性能。另外，缩小晶体...……更多
2024-02-08 21:44:00前瞻,手机,技术,指纹,豪威,超声
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