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SK海力士在研究低温蚀刻设备,下一代3D闪存可能在-70℃低温下生产
随着3D NAND的堆叠层数越来越多,厂家门也在着手研究新的生产技术以改进效率,SK海力士就在评估东京电子最新的低温蚀刻设备,该设备可以在-70℃的低温下运行,用来生成400层以上堆叠的新型3D NAND。低温蚀刻设备的钻孔速度...……更多
三星计划明年初量产超过300层的第九代V-NAND闪存
...NAND的有效层数将超过竞争对手,目前我们知道SK海力士的下一代3DNAND将具有321层,因此三星第九代V-NAND层数应该会更多。层数的增加将使三星提高其3DNAND设备的存储密度。该公司预计,未来的闪存类型不仅会提高存储密度,还会...……更多
铠侠提出为SK海力士生产NAND闪存
...即将敲定最终计划之际,遭到了铠侠重要的间接股东SK海力士的强烈反对,让西部数据选择中止谈判。随后西部数据宣布未来将分拆为两家独立上市公司,分别专注于机械硬盘和NAND闪存业务,预计在2024年下半年开始执行。据相...……更多
批准了!美国同意三星向其中国工厂提供设备【附NAND闪存芯片行业市场分析】
...,美国政府作出最终决定,将无限期豁免三星电子和SK海力士向其在华工厂提供半导体设备,无需其它许可。崔相穆透露,美方已将这一决定通知三星电子和SK海力士等相关企业,将自即日起生效。当前全球NAND市场规模主要集中...……更多
三星、海力士重回闪存战场,这下硬盘还会更便宜吗?
...,一则小道消息的传出引起了不少人的关注:“三星、海力士或将获得无限期的半导体设备出口资格”。这则消息传出后,仅过来几天时间,韩国当地媒体就报道相关企业已经获得授权,已被列入清单的设备可以无限制对华出口...……更多
受美国影响考虑卖掉大连工厂?韩国芯片巨头SK海力士否认
...1月23日,针对美国媒体相关报道,韩国存储芯片巨头SK海力士向观察者网回复表示。美媒彭博社稍早前发布长篇报道,暗示SK海力士受美国出口管制政策影响,或卖掉大连工厂。报道提到,SK海力士2020年以90亿美元的价格,从美国...……更多
三星最快本月实现第9代v-nand闪存量产
...9代V-NAND闪存的量产。三星高管Jung-BaeLee去年10月表示,其下一代NAND闪存将于“今年初”量产,拥有业界领先的堆叠层数。三星于2022年11月量产了236层第8代V-NAND,这意味着两代之间的间隔为一年半左右。▲三星第8代V-NAND闪存Hankyun...……更多
存储市场“供销两旺”原厂业绩好转,AI对存储应用市场提出要求
...)的DRAM产品将成为当下主流技术,在未来两年也将推出下一代技术。随着更多产品对存储的容量要求越来越大,我们预计今年QLC(四层式存储单元)的应用将开始加速,除了在传统的固态硬盘产品上,其他的应用领域也将开始...……更多
铠侠提出为 SK 海力士生产芯片,以恢复与西部数据的合并谈判
...存制造商铠侠(Kioxia)向其投资者、韩国竞争对手 SK 海力士(SK Hynix)提议,允许其在铠侠位于日本的工厂生产非易失性存储器。此举旨在让 SK 海力士改变其对铠侠与西部数据合并计划的反对态度,目前尚不清楚 SK 海力士是否...……更多
英伟达赚疯背后,三家存储芯片公司的一场「All in」丨焦点分析
...星方面消息显示,计划于2024年上半年量产具有8层堆栈的下一代HBM3e产品。根据计划,三星的HBM芯片产量将比去年增长2.5倍,明年将再次翻倍。为了补充粮草弹药,2023年第四季度,三星特意把持有的ASML股票变卖,用来投入全新的...……更多
三星将在明年量产300层NAND闪存芯片
...业最小的单元尺寸。这一计划也将使三星的进度超过SK海力士,SK海力士曾在不久前宣布计划在2025年开始量产321层NAND芯片。预计三星第9代NAND闪存芯片仍将采用双堆叠技术,其中包括在两个独立过程中创建NAND存储器,然后将它们...……更多
SK海力士全球首创321层闪存技术,三星计划超越300层
在最近的新闻发布会上,SK海力士公司向全球宣布了一项创新成果:成功研发出321层堆叠的NAND闪存。这是全球首次突破300层堆叠的大关,对于闪存技术的发展具有重大意义。然而,尽管这一成果在技术上具有突破性,但SK海力士...……更多
SK海力士推出Tube T31游戏闪存盘
1月21日消息,据媒体报道,SK海力士推出一款TubeT31闪存盘,适用于PlayStation5、Xbox、WindowPC和Mac。据了解,这款闪存盘配备DRAM缓存,采用10Gbps的USB-A3.2Gen2接口,拥有1000MB/s的顺序读写速度,是同类SSD中最高的性能水平。值得一提..……更多
SK海力士全新Tube T31游戏闪存盘亮相
...。近日,据多家媒体报道,存储技术领域的领军企业SK海力士推出了一款名为TubeT31的全新游戏闪存盘,旨在为PlayStation5、Xbox、WindowPC和Mac用户提供更加流畅、高效的游戏体验。TubeT31闪存盘作为SK海力士的最新力作,在设计和性能...……更多
三星研究将MUF应用到服务器DRAM
据TheElec报道,三星正在考虑在其下一代DRAM中使用应用模压填充(MUF)技术。三星最近对3D堆栈(3DS)内存进行了大规模的MRMUF工艺测试,结果显示与现有的TCNCF(热压非导电膜)相比,吞吐量有所提高,但物理特性却有所下降。...……更多
存储告别“白菜价”时代,国产品牌终究没能撼动三星?
...,一条是央视新闻报道,10月9日美国同意三星电子和SK海力士向其位于中国的工厂提供设备,无须其他许可。第二条消息则少有人关注:最近一个多月,三星电子、SK海力士宣布对DRAM和NAND闪存芯片涨价10%-20%。事实上,后者的重...……更多
SK 海力士宣布开发新一代移动端 NAND 闪存解决方案“ZUFS 4.0”
IT之家 5 月 9 日消息,SK 海力士公司今日宣布,公司开发出用于端侧(On-Device)AI 的移动端 NAND 闪存解决方案产品“ZUFS(Zoned UFS)4.0”。IT之家注:端侧(On-Device)AI 即指在设备本地运行的人工智能服务,而非依赖于云端服务器...……更多
突发!美国改口:不再限制
...,美国政府作出最终决定,将无限期豁免三星电子和SK海力士向其在华工厂提供半导体设备,无需其它许可。崔相穆透露,美方已将这一决定通知三星电子和SK海力士等相关企业,将自即日起生效。对此,三星电子回应第一财经...……更多
韩国、荷兰组建“芯片联盟”:阿斯麦与三星将共建芯片研究中心
...1万亿韩元(约合7.04亿欧元),在韩国建立研究中心,利用下一代极紫外(EUV)光刻机研究超精细芯片制造工艺。这一事件的背景是,尹锡悦从周一起对荷兰进行为期4天的国事访问。根据日程,当地时间周二,尹锡悦将与荷兰国王威...……更多
...旨在加速去库存,并稳定NAND闪存价格。此前,美光和SK海力士已经率先进行减产行动。三星的做法已经引起了连锁反应,企业固态硬盘(SSD)的价格已经上涨了5%至10%。预计到2023年底前,消费类SSD的价格还将上涨8%至13%。尽管如...……更多
韩国SK海力士强烈反对:美国西部数据、日本铠侠合并失败
...在十月底前达成合并协议,但是由于铠侠间接大股东SK海力士的反对,最终导致了该合并案的失败。10月26日,韩国存储芯片大厂SK海力士在2023财年第三季度财务会议上首次正式对外表示,反对铠侠与西部数据的合并案。SK海力士...……更多
sk海力士将与台积电建立ai半导体战略
...解,SK海力士这一战略的内容主要包括与台积电一同开发下一代HBM内存—— HBM4。根据IT之家早前报道,SK海力士计划于2026年前实现HBM4量产。在HBM4世代,HBM内存的逻辑芯片部分将交由逻辑代工厂生产,而非由内存芯片厂商自行生...……更多
半导体行业“风向标”加速回暖?供应链涨价、上游单季扭亏
...为事实性趋势,产业链公司也在陆续摆脱亏损泥淖。SK海力士已经率先实现季度扭亏。1月24日,SK海力士发布2023年第四季度财报显示,公司在此前连续四个季度亏损后,该财季迎来首次盈利至0.346万亿韩元,经营利润率至3.06%。(...……更多
读速7000MB/s、1GB独立缓存:SK海力士P41 M.2固态硬盘分享
...快品质又好的存储颗粒选什么牌子,很多人都会推荐SK海力士,市面许多内存品牌的电竞系列,也都以搭载SK海力士颗粒作为重要卖点。那么海力士的闪存如何呢?近期刚好入手了一款SK海力士M.2固态硬盘,型号P41,容量规格1TB,...……更多
英伟达与SK海力士对GPU进行重新设计
...U主要的显存供应商。目前SK海力士、三星和美光都在开发下一代HBM4,内存堆栈预计将采用2048位接口。据Joongang.co.kr报道,SK海力士正在招募CPU、GPU等逻辑半导体的设计人员,目标是将未来的HBM4以3D堆叠在逻辑核心上。这种方法有...……更多
存储芯片行业已达拐点!行业人士:明年厂商料继续压制产量
...5%,二季度的营业利润比一季度小幅提高了4.68%。”“SK海力士在季度报告中表示,动态随机存储器(DRAM)部门在今年前两个季度出现亏损后,第三季度恢复了盈利。”这两家韩国公司是全球最大的两家DRAM芯片制造商,美国的美...……更多
豁免后的三星,充当美国打手,升级236L技术打压中国存储芯片?
众所周知,前段时间美国正式“无限豁免”了三星、SK海力士这两家韩国。接下来这两家韩企在中国大陆境内的芯片扩产等,不受任何禁令的限制,也不需要许可证,就可以购买任何先进的设备,使用美国先进的技术等等。美国...……更多
三星预计 2024 年初开始量产下一代 NAND 内存
...前已经开始生产HBM3高性能内存芯片。此外,它还在开发下一代HBM3E。李政培说,三星希望为客户生产“定制”的HBM芯片。“我们正专注于恰当地应对与超级规模AI等新应用相关的要求”,“我们将继续推进内存芯片生产线,以克...……更多
...是通用型服务器领域。此外,报告中指出,在三星、SK海力士等存储大厂的持续减产的影响下,10月份前后DRAM和NAND原厂芯片价格都出现了一定程度的上升。目前合约价已陆续下跌,并且库存跌价损失也将有所改善,这使得营业利...……更多
三星第九代v-nand开始量产,提高50%位密度
...这就对更复杂的蚀刻技术提出了要求。第九代V-NAND配备了下一代NAND闪存接口“Toggle5.1”,可将数据输入/输出速度提高33%,最高可达每秒3.2千兆位(Gbps)。除了这个新接口,三星还计划通过扩大对PCIe5.0的支持来巩固其在高性能...……更多
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