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...》报道，瑞士洛桑联邦理工学院研究人员提出了一种基于二硫化钼的内存处理器，专用于数据处理中的基本运算之一：向量矩阵乘法。这种操作在数字信号处理和人工智能模型的实现中无处不在，其效率的提高可为整个信息通信...……更多
2023-11-14 01:26:00二维,晶体管,晶体,半导体,二硫化钼,晶体管
...。研究人员利用每一层都包含超过10000个由单原子厚度的二硫化钼（MoS2）薄片制成的晶体管，并在将MoS2薄膜转移到晶圆之前分别生长了这些薄膜，这一过程不需要高温，为摩尔定律的发展提供了新的思路。图1. 用二维材料制备...……更多
2024-01-17 10:42:00二维,三维,晶体管,晶体,效应,摩尔
...材料是过渡金属二硫化物（TMDs）、如二硫化钨（WuS2）、二硫化钼（MoS2）等。，它们具有优异的电子性质，可用于制作超薄的导电沟道和栅极结构。下面就是英特尔使用二维半导体材料缩小晶体管结构的例子。随着摩尔定律逐渐...……更多
2024-08-07 09:43:00摩尔,定律,纳米,进化,芯片,物理
...半金属与二维半导体界面的轨道杂化，将单层二维半导体二硫化钼（MoS2）的接触电阻降低至42欧姆微米，超越了以化学键结合的硅基晶体管接触电阻，并接近理论量子极限。该成果突破了二维半导体应用于高性能集成电路的关键...……更多
2023-01-16 07:15:00二维,欧姆,半导体,科学家,难题,接触
...统，并在单晶蓝宝石衬底上外延生长了8英寸高定向单层二硫化钼晶圆。相关成果发表于《先进材料》。以单层二硫化钼为代表的二维半导体具有极限物理厚度、原子级平整表面及优异的电学性能，被认为是后摩尔时代突破亚纳...……更多
2024-05-17 07:10:00晶圆,二硫化钼,单层,外延,研究人员,突破
...后摩尔时代”集成电路性能。作为一种二维半导体材料，二硫化钼凭借多种优点成为解决硅基器件微缩瓶颈、以及构筑集成度更高、速度更快、功耗更低的下一代新型芯片的理想材料。为了实现二维半导体全部潜力及其在高性能...……更多
2024-04-08 10:17:00亚纳,二硫化钼,单晶,薄膜,科学家,芯片
...从什么路径走，电流强度、电压的压降如何。右边图中的二硫化钼（MoS2），即是一种过渡金属硫化物，可以形成薄片状的结构。在探索能效存储新可能方面，英特尔在去年IEDM期间发表了在300mm硅制程上制造硅基氮化镓的晶体管...……更多
2022-12-17 01:00晶体管,晶体,芯片,关键,技术
...所以缺陷更加不会聚集，也不会产生铁电疲劳。基于双层二硫化钼滑移铁电材料制备的场效应晶体管器件。中国科学院宁波材料所供图以双层二硫化钼二维材料为代表，该研究团队通过化学气相输送(CVT)法制备了双层二硫化钼铁...……更多
2024-06-07 17:03:00铁电,科研机构,中国,疲劳,科研,机构
...们得到了高迁移率、高开态电流和开关比、低回滞的 p 型晶体管，推动了二维半导体电子器件的应用发展。这种不破坏沟道材料的简单掺杂方法，通过范德瓦尔斯界面耦合的方式，来调控二维半导体沟道的载流子极性。利用这一...……更多
2024-05-31 14:21:00二维,范式,维度,晶体管,量子,攻关
...降随着电子设备不断小型化和性能要求的提升，芯片中的晶体管数量持续增加，尺寸也日益缩小。然而，当传统的介质材料厚度减小到纳米级别时，其绝缘性能会显著下降，导致电流泄漏。这不仅增加了芯片的能耗，还导致发热...……更多
2024-08-08 09:27:00蓝宝,能效,蓝宝石,厚度,上海,介质
...ley）说起。这位科学家在贝尔实验室与其他人共同发明了晶体管，并获得诺贝尔物理学奖。威廉·肖克利，图片来源：维基百科为了赚更多钱，肖克利在1955年创办了自己的实验室——肖克利半导体实验室。实验室坐落于美国加州...……更多
2023-04-23 09:49:00一句话,年前,手机,摩尔,晶体管,晶体
本文转自：科技日报芯片上“长”出原子级薄晶体管可大幅提高集成电路密度科技日报北京5月3日电 （记者张佳欣）美国麻省理工学院一个跨学科团队开发出一种低温生长工艺，可直接在硅芯片上有效且高效地“生长”二维（2D...……更多
2023-05-04 02:05:00晶体管,晶体,原子,芯片,材料,芯片
作为组成芯片的基本元件，晶体管的尺寸随着芯片缩小不断接近物理极限，其中发挥着绝缘作用的栅介质材料十分关键。中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员狄增峰团队开发出面向二维集成电路的单晶氧化铝栅介质...……更多
2024-08-08 09:26:00绝缘材料,绝缘,科学家,芯片,我国,科学
...并演示了所生长的石墨烯纳米带可用于构建高性能场效应晶体管器件。论文共同第一作者为上海交通大学物理与天文学院吕博赛、陈佳俊、娄硕、沈沛约、谢京旭，武汉大学王森和韩国蔚山国立科学技术学院的邱璐和伊扎克-米...……更多
2024-04-06 21:12:00上海交大,石墨,交大,超高,上海,纳米
...要了解普通芯片的基本结构。普通芯片由数以亿计的微小晶体管组成，每个晶体管都可以控制和传输电流。这些晶体管互相连接形成一个庞大的网络，使得芯片能够进行复杂的信息处理和存储。当电流通过晶体管时，它将被传输...……更多
2024-01-30 11:13:00芯片,背后,秘密,芯片,晶圆,晶体管
...积电董事长刘德音联合撰写题为《我们如何实现1万亿个晶体管GPU》的文章。刘德音在文中预测，半导体技术的突破给AI技术带来重要贡献。在未来10年，GPU集成的晶体管数将达到1万亿。而且，GPU能效性能每2年提高3倍，未来15年...……更多
2024-03-31 04:00:00估值,美金,要闻,芯片,高达,性能
...，以及硅晶体二极管的优异表现，坚定了默文・凯利发展晶体管技术的决心。他暗下决定，要带领贝尔实验室，allin半导体。1945年7月，二战临近结束。为了适应战后研究方向的调整，贝尔实验室进行了各个研究部门的改组。当...……更多
2023-02-02 15:38:00晶体管,晶体,肖克利,肖克,晶体,贝尔实验室
...进展。通过设计-工艺协同优化（DTCO），开发出空气隔墙晶体管结构，大幅降低寄生电容，在国际上首次实现了GHz频率的二维半导体环形振荡器电路，比原有记录提升200倍，并预测了二维半导体应用于1nm节点集成电路的潜力与技...……更多
2023-11-05 01:06:00二维,集成电路,半导体,电路,团队,国际
...过半导体制程与工艺、先进封装等技术共同延续单位面积晶体管倍增的增长曲线。首个EUV节点Intel 4将于2023年下半年按计划推出，比Intel 7每瓦性能将提高约20%；Intel 3预计将于2023年下半年投产，比Intel 4每瓦性能将提高约18%；Intel ...……更多
2023-11-06 14:43:00晶体管,晶体,半导体,业内,目标,英特
...达、医疗设备、计算机等领域。而最近，一项名为“铁电晶体管”的发明更是引起了广泛的关注，被认为具有革命性的作用，可以节约能源并为太空探测提供新的解决方案。本文将从铁电晶体材料的基本特性、应用前景以及对科...……更多
2024-07-31 09:50:00铁电,晶体管,革命性,美国,晶体,革命
...些突破旨在推进摩尔定律，并展现出该公司在全环绕栅极晶体管领域的领先地位。首先，Intel展示了一种称为3D堆叠CMOS晶体管的新型技术。这种晶体管结合了垂直堆叠互补场效应晶体管(CFET)和直接背面触点(direct backside contact)，并...……更多
2023-12-11 16:02:00氮化镓,晶体管,晶体,全新,晶体管,晶体
...电压或电流控制另一个端口电压或电流的半导体器件——晶体管。将晶体管与电阻、电容以及其他无源器件的元件相互连接，就形成了一个集成电路。而芯片的本质是在半导体衬底上（也称作“晶圆”）制作能实现一系列特定功...……更多
2023-11-23 11:58:00半导体,下一代,芯片,必然,方向,材料
...出更先进的N2系列工艺。这一系列工艺将集成超过1000亿个晶体管，并通过CoWoS、InFO和SoIC等多种封装技术实现。此外，台积电还计划使用EUV光刻、金属氧化物ESL等新材料和新技术。更令人期待的是，台积电还规划了1.4nm级别的A14和...……更多
2023-12-28 18:02:00晶体管,晶体,封装,晶体管,晶体,工艺
...工业硅片上长出“完美”二维超薄材料可用于制造下一代晶体管和电子薄膜科技日报北京1月18日电 （实习记者张佳欣）据发表在最新一期《自然》杂志上的论文，美国麻省理工学院工程师开发出一种“非外延单晶生长”方法，...……更多
2023-01-19 04:06:00二维,长出,硅片,超薄,材料,工业
...和氮离子注入技术，首次研制出了氧化镓垂直槽栅场效应晶体管。相关研究成果日前分别在线发表于《应用物理通信》《IEEE电子设备通信》上。作为新一代功率半导体材料，氧化镓的p型掺杂目前尚未解决，氧化镓场效应晶体管...……更多
2023-02-27 01:15:00晶体管,晶体,氧化,科研,结构,人员
本文转自：科技日报固态热晶体管超高速精确控制热量开辟计算机芯片热管理新领域固态热晶体管通过电场控制热运动。图片来源：胡永杰实验室/加州大学洛杉矶分校科技日报讯 （记者张梦然）美国加州大学洛杉矶分校研究人...……更多
2023-11-06 03:06:00固态热晶体管超高速精确控制热量
...的六方碳化硅（4H-SiC），有望制备出更高性能的碳化硅基晶体管。这是国际首次获得可量产、可商业化的晶圆级立方碳化硅单晶生长技术。近期，陈小龙获评2023年中国科学院年度创新人物。“另辟蹊径”获取新突破作为第三代...……更多
2024-02-05 07:21:00碳化硅,余年,国产,碳化硅,晶体,小龙
...推进摩尔定律，在2030年前实现在单个封装内集成1万亿个晶体管。·包括PowerVia背面供电技术、用于先进封装的玻璃基板和Foveros Direct技术预计将在2030年前投产。12月9日，英特尔在IEDM 2023（2023 IEEE 国际电子器件会议）上展示了使...……更多
2023-12-11 09:31:00英特,摩尔,英特尔,定律,瓶颈,供电
...最新发展，其中之一便是英特尔未来将采用的堆叠式CFET晶体管架构。作为现阶段半导体制造技术的龙头，台积电（TSMC）也在2023欧洲技术研讨会活动中，介绍了其未来的GAAFET及CFET晶体管技术。据AnanadTech报道，台积电透露其CFET晶...……更多
2023-05-28 12:40:00晶体管,晶体,实验室,实验,技术,晶体管
...。英特尔正为其未来芯片寻找新的开发路线，包括3D堆叠晶体管以实现更高密度、扩展背面供电以及使用氮化稼来实现更高的传输功率等。总部位于圣克拉拉的芯片巨头将在本周于旧金山召开的第69届IEEE国际电子器件年会（IEDM）...……更多
2023-12-13 10:23:00英特,英特尔,晶体管,晶体,新工艺,供电
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