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三星计划量产第九代v-nand闪存,将采用新的堆叠架构
4月16日消息,三星计划在本月晚些时候开始量产第九代V-NAND闪存,可用的堆叠层数达290层,相比现在的236层只增加不到23%。这一代新闪存将采用新的堆叠架构,底部是CMOS层加逻辑电路,上边是145层闪存阵列,再上边又是145层...……更多
三星宣布投产第九代V-NAND闪存
三星今天宣布正式开始量产第九代V-NAND闪存,首批开始量产的是容量为1Tb的TLC闪存,新一代闪存的量产会进一步增强三星在闪存市场的竞争力,巩固其领导地位。三星电子内存业务部闪存产品与技术负责人SungHoiHur表示:“我们...……更多
三星计划明年初量产超过300层的第九代V-NAND闪存
...信息。该公司证实,其正在按计划生产拥有超过300层的第九代V-NAND闪存,并表示这将是业内层数最多的3DNAND。“第九代V-NAND基于双层结构,层数达到业界最高水平,明年初将开始量产。”三星电子总裁兼存储器事业部负责人李政...……更多
三星第九代v-nand开始量产,提高50%位密度
4月23日消息,三星半导体今日宣布,其第九代V-NAND1TbTLC产品开始量产,比三星上一代产品提高约50%的位密度(bitdensity),通过通道孔蚀刻技术(channelholeetching)提高生产效率。凭借当前三星最小的单元尺寸和最薄的叠层厚度,...……更多
三星正在为未来的 16TB SSD 存储和 PCIe 5.0 性能准备 400 层 V-NAND
...如果一切按计划进行,量产将于明年年底开始。三星的第九代280层V-NAND闪存最近才开始量产,首批商用产品预计将于明年上架。 不过,据《韩国经济日报》报道,该公司已经为其第 10 代 400 层 V-NAND 技术设定了雄心勃勃的目标。...……更多
三星预计2025-2026年量产第十代v-nand闪存
...轮廓也逐渐浮出水面。据报道,三星计划2024年量产的第九代V-NAND将在280层3DNAND 范围内。对于定于2025-2026年量产的第十代V-NAND,三星正在讨论跳过300层直接进入430层。据分析,具体工作正在按照到2030年发展1000层V-NAND的目标逐步...……更多
三星将在明年量产300层NAND闪存芯片
...业务负责人LeeJung-Bae发表文章,称三星已生产出基于其第九代V-NAND闪存产品的运行芯片,希望明年初可以实现量产。同时三星还正在开发行业内领先的11纳米级DRAM芯片。该负责人还表示,对于DRAM三星正在研发3D堆叠结构和新材料...……更多
SK海力士全球首创321层闪存技术,三星计划超越300层
...2025年上半年才会开始量产这种新型的闪存。与此同时,三星在近期的一次公告中披露,他们的第9代V-NAND闪存研发进展顺利。据悉,三星的第9代V-NAND闪存将基于双堆栈架构,可达到业界最高的堆叠层数。原本公司规划的层数约为...……更多
三星宣布第9代V-NAND QLC启动量产
今年4月,三星正式开始量产第9代V-NAND闪存,首批提供的是容量为1Tb的TLC闪存,进一步增强了自身在闪存市场的竞争力。现在三星宣布启动新款第9代V-NAND闪存的量产工作,属于其首款1Tb的QLC(四层单元)闪存,进一步巩固了三...……更多
三星预计 2024 年初开始量产下一代 NAND 内存
...业务主管李政培(LeeJung-Bae)称,三星已生产出基于其第九代V-NAND闪存产品的产品,希望明年初可以实现量产。此外,该公司还正在开发行业内领先的11nm级DRAM芯片。他表示,三星正在为DRAM开发3D堆叠结构和新材料;对于NAND闪存...……更多
昂贵的复仇:存储的新战争
...断了全球的存储市场。然而,经过数十年的漫长拉锯,以三星为首的韩国企业几度击溃日企,彻底坐稳了“存储之王”的宝座。从商业角度看,存储是半导体产业的支柱之一,主要产品包括内存、硬盘、闪存等等。2021年,存储...……更多
存储芯片底部复苏!业界首款LPDDR闪存速度提高20倍,受益上市公司梳理
...NOR闪存的8倍,实时应用的随机读取交易速度提高了20倍。三星电子首席研究员吴基锡5月17日表示,主要用于智能手机和平板电脑的LPDDR在其他应用程序上的搭载比例正在增加。LPDDR应用领域正在扩大,特别是车辆领域的LPDDR搭载率...……更多
三星USB 3.2闪存盘上手:性能超400MB/s
三星作为存储行业的翘楚,不论是品牌影响力还是闪存技术积累,都位于整个行业的头部,为了更好地满足当下快节奏、数字化时代的全面到来,三星存储也推出了新款的USB闪存盘,拥有小巧的身材、强大的性能和海量的存储...……更多
三星重磅发布280层QLC闪存
...是支撑这一价值的重要基石。近日,存储行业的领军企业三星再次站在了技术革新的前沿,宣布推出全新的280层QLC闪存,将M.2SSD的容量推向了新的高度——惊人的16TB!QLC,即四层单元闪存,是近年来闪存领域的一项重要技术突...……更多
三星、海力士重回闪存战场,这下硬盘还会更便宜吗?
...前段时间,一则小道消息的传出引起了不少人的关注:“三星、海力士或将获得无限期的半导体设备出口资格”。这则消息传出后,仅过来几天时间,韩国当地媒体就报道相关企业已经获得授权,已被列入清单的设备可以无限制...……更多
三星最快本月实现第9代v-nand闪存量产
4月12日消息,据韩媒Hankyung报道,三星最快于本月晚些时候实现第9代V-NAND闪存的量产。三星高管Jung-BaeLee去年10月表示,其下一代NAND闪存将于“今年初”量产,拥有业界领先的堆叠层数。三星于2022年11月量产了236层第8代V-NAND,...……更多
三星闪存涨价潮来袭!季度涨幅高达20%,一年后或将贵70%
据多位半导体产业人士透露,三星将对其NAND闪存芯片的价格进行大幅调整。从今年第四季度开始,三星计划将闪存芯片的报价提高10-20%。令人惊讶的是,明年第一季度和第二季度,价格还将分别再上涨20%。按照这一涨幅,预...……更多
三星开始削减NAND闪存的产量:大概减少5%
此前三星发出了2023年第一季度的“盈利指引”,显示经营持续恶化,收入同比下跌19%,利润同比下跌95.8%,这是自2008年金融风暴以来最差的业绩表现。其中存储器部门业绩恶化是导致2023年第一季度营收减少的主要原因,为此三...……更多
三星准备推出第9代v-nand闪存
据韩国出版物《Hankyung》报道,三星准备在下个月推出第9代V-NAND(3DNAND闪存),预计将提供290层结构,比该公司于2022年首次推出的236层第八代V-NAND有进一步的提高。据报道,三星是通过改进闪存层堆叠技术实现290层垂直堆叠密...……更多
突破性进展!三星400层NAND闪存开发完成:最快2025年二季度末量产
快科技12月9日消息,据媒体报道,三星已成功开发出突破性的400层堆叠NAND Flash闪存技术,并已开始将该技术转移到大规模生产线。这一进展有望超越前不久已宣布量产321层NAND Flash的SK海力士。三星计划在2025年国际固态电路会议...……更多
三星type-c闪存盘512gb京东双十一促销
...三端通吃,还要有较高的性价比?相信没有什么比512GB的三星Type-C闪存盘更合适的了。闪存盘就是大家熟悉的U盘,主打的就是一个身形小巧便携,三星Type-C更是只有拇指的一半大小,极光蓝和秘境灰配色颜值在线,靠近接口的位...……更多
三星990pro出现“寿命门”事故:tlc闪存惹的祸?
三星去年底推出了新一代旗舰级SSD硬盘990Pro系列,没上PCIe5.0,但性能也是PCIe4.0的天花板,顺序读取高达7450MB/s,写入速度为6900MB/s。售价当然不会低,国内主要提供1TB、2TB两种配置,售价分别为1099元和2299元,这个价格比其他家...……更多
据11月11日报道,为应对存储产品价格上涨的市场需求,三星电子计划进一步减少其NAND闪存产品的生产。此举预计将在未来一年内导致行业影响不断扩大。三星电子已经从今年9月份开始,将NAND闪存产品产量削减至总产能的50%,...……更多
三星电子已将西安工厂的闪存开工率至 70%
3月11日消息,据韩媒TheElec报道,三星电子已将西安工厂的闪存开工率至70%。西安工厂是三星电子唯一处于韩国境外的存储半导体生产基地,月产能为20万片300mm晶圆,占三星整体NAND产量的40%。目前三星正将西安工厂的工艺升级...……更多
SSD白菜价且买且珍惜 三星闪存即将涨价:国产已率先行动
...菜价是不可能长期持续的,国产闪存已经率先涨价,现在三星也开始了。来自供应链的消息称,包括三星电子、SK海力士在内的NAND闪存芯片制造商正在考虑提高报价。具体涨价多少还不确定,但是三星是全球第一大闪存供应商,...……更多
批准了!美国同意三星向其中国工厂提供设备【附NAND闪存芯片行业市场分析】
...的记者会上表示,美国政府作出最终决定,将无限期豁免三星电子和SK海力士向其在华工厂提供半导体设备,无需其它许可。崔相穆透露,美方已将这一决定通知三星电子和SK海力士等相关企业,将自即日起生效。当前全球NAND市...……更多
三星990 EVO SSD偷跑:采用V-NAND TLC闪存
近日,三星EVOSSD已在乌克兰官网上架,并公布了其所有相关信息。虽然三星官网未提及价格,但德国亚马逊上已出现1TB和2TB版本的售价分别为114.90欧元(约900元人民币)和189.90欧元(约1487元人民币),而这个价格是否为实际售...……更多
三星暂停NAND闪存报价出货 存储芯片Q4合约价报价优于预期 【三星暂停NAND闪存报价出货 存储芯片Q4合约价报价优于预期】《科创板日报》29日讯,存储芯片大厂减产保价策略奏效,Q4合约价报价优于市场预期,DDR5上涨15~20%,DD...……更多
1TB硬盘只要200元三星等带头减产闪存国产存储公司回应
...了,只是这样的价格也让存储芯片厂商撑不住,闪存一哥三星之前都不打算减产,但在Q1季度运营利润暴跌96%之后也加入减产行列。在三星之前,SK海力士、美光、铠侠、西数等公司都已经决定削减产能,最近闪存市场的风向已...……更多
1899元 三星990 EVO Plus SSD 4TB上市:第8代V-NAND TLC闪存
快科技11月5日消息,三星推出了新款990 EVO Plus SSD 4TB版本,支持PCIe 4.0/5.0和最新的NAND闪存技术,首发1899元。新款SSD采用M.2 2280规格,重量约为9g,采用了PCIe 4.0 x4/PCIe 5.0 x2接口,支持NVMe 2.0协议,搭载了三星5……更多
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