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4月16日消息，三星计划在本月晚些时候开始量产第九代V-NAND闪存，可用的堆叠层数达290层，相比现在的236层只增加不到23％。这一代新闪存将采用新的堆叠架构，底部是CMOS层加逻辑电路，上边是145层闪存阵列，再上边又是145层...……更多
2024-04-16 10:16:00九代,三星,闪存,架构,闪存,三星
三星今天宣布正式开始量产第九代V-NAND闪存，首批开始量产的是容量为1Tb的TLC闪存，新一代闪存的量产会进一步增强三星在闪存市场的竞争力，巩固其领导地位。三星电子内存业务部闪存产品与技术负责人SungHoiHur表示：“我们...……更多
2024-04-24 18:48:00九代,三星,闪存,九代,三星,闪存
...信息。该公司证实，其正在按计划生产拥有超过300层的第九代V-NAND闪存，并表示这将是业内层数最多的3DNAND。“第九代V-NAND基于双层结构，层数达到业界最高水平，明年初将开始量产。”三星电子总裁兼存储器事业部负责人李政...……更多
2023-10-19 20:39:00九代,三星,闪存,三星,九代,拥有超过
4月23日消息，三星半导体今日宣布，其第九代V-NAND1TbTLC产品开始量产，比三星上一代产品提高约50%的位密度（bitdensity），通过通道孔蚀刻技术（channelholeetching）提高生产效率。凭借当前三星最小的单元尺寸和最薄的叠层厚度，...……更多
2024-04-23 11:09:00九代,三星,密度,三星,九代,单元
...轮廓也逐渐浮出水面。据报道，三星计划2024年量产的第九代V-NAND将在280层3DNAND 范围内。对于定于2025-2026年量产的第十代V-NAND，三星正在讨论跳过300层直接进入430层。据分析，具体工作正在按照到2030年发展1000层V-NAND的目标逐步...……更多
2023-01-09 20:05:00十代,三星,闪存,三星,十代,九代
...业务负责人LeeJung-Bae发表文章，称三星已生产出基于其第九代V-NAND闪存产品的运行芯片，希望明年初可以实现量产。同时三星还正在开发行业内领先的11纳米级DRAM芯片。该负责人还表示，对于DRAM三星正在研发3D堆叠结构和新材料...……更多
2023-10-17 20:23:00三星,闪存,芯片,三星,芯片,双堆
...2025年上半年才会开始量产这种新型的闪存。与此同时，三星在近期的一次公告中披露，他们的第9代V-NAND闪存研发进展顺利。据悉，三星的第9代V-NAND闪存将基于双堆栈架构，可达到业界最高的堆叠层数。原本公司规划的层数约为...……更多
2023-10-22 21:52:00三星,力士,闪存,全球,技术,闪存
...业务主管李政培（LeeJung-Bae）称，三星已生产出基于其第九代V-NAND闪存产品的产品，希望明年初可以实现量产。此外，该公司还正在开发行业内领先的11nm级DRAM芯片。他表示，三星正在为DRAM开发3D堆叠结构和新材料；对于NAND闪存...……更多
2023-10-17 21:02:00三星,下一代,内存,三星,芯片,三星电子
...是支撑这一价值的重要基石。近日，存储行业的领军企业三星再次站在了技术革新的前沿，宣布推出全新的280层QLC闪存，将M.2SSD的容量推向了新的高度——惊人的16TB！QLC，即四层单元闪存，是近年来闪存领域的一项重要技术突...……更多
2024-01-31 10:52:00三星,重磅,闪存,闪存,存储,三星
...前段时间，一则小道消息的传出引起了不少人的关注：“三星、海力士或将获得无限期的半导体设备出口资格”。这则消息传出后，仅过来几天时间，韩国当地媒体就报道相关企业已经获得授权，已被列入清单的设备可以无限制...……更多
2023-10-18 10:06:00三星,力士,闪存,战场,硬盘,闪存
4月12日消息，据韩媒Hankyung报道，三星最快于本月晚些时候实现第9代V-NAND闪存的量产。三星高管Jung-BaeLee去年10月表示，其下一代NAND闪存将于“今年初”量产，拥有业界领先的堆叠层数。三星于2022年11月量产了236层第8代V-NAND，...……更多
2024-04-13 11:21:00三星,闪存,闪存,三星,堆栈,进一
据多位半导体产业人士透露，三星将对其NAND闪存芯片的价格进行大幅调整。从今年第四季度开始，三星计划将闪存芯片的报价提高10-20％。令人惊讶的是，明年第一季度和第二季度，价格还将分别再上涨20％。按照这一涨幅，预...……更多
2023-11-03 21:16:00三星,闪存,涨幅,季度,高达,三星
据韩国出版物《Hankyung》报道，三星准备在下个月推出第9代V-NAND（3DNAND闪存），预计将提供290层结构，比该公司于2022年首次推出的236层第八代V-NAND有进一步的提高。据报道，三星是通过改进闪存层堆叠技术实现290层垂直堆叠密...……更多
2024-04-16 10:06:00三星,闪存,准备,闪存,三星,晶圆
三星去年底推出了新一代旗舰级SSD硬盘990Pro系列，没上PCIe5.0，但性能也是PCIe4.0的天花板，顺序读取高达7450MB/s，写入速度为6900MB/s。售价当然不会低，国内主要提供1TB、2TB两种配置，售价分别为1099元和2299元，这个价格比其他家...……更多
2023-01-26 14:05:00三星,闪存,寿命,事故,三星,闪存
据11月11日报道，为应对存储产品价格上涨的市场需求，三星电子计划进一步减少其NAND闪存产品的生产。此举预计将在未来一年内导致行业影响不断扩大。三星电子已经从今年9月份开始，将NAND闪存产品产量削减至总产能的50%，...……更多
2023-11-11 21:03:00三星,闪存,厂商,生产,产品,三星
3月11日消息，据韩媒TheElec报道，三星电子已将西安工厂的闪存开工率至70%。西安工厂是三星电子唯一处于韩国境外的存储半导体生产基地，月产能为20万片300mm晶圆，占三星整体NAND产量的40%。目前三星正将西安工厂的工艺升级...……更多
2024-03-12 01:50:00三星电子,开工率,三星,西安,闪存,工厂
...的记者会上表示，美国政府作出最终决定，将无限期豁免三星电子和SK海力士向其在华工厂提供半导体设备，无需其它许可。崔相穆透露，美方已将这一决定通知三星电子和SK海力士等相关企业，将自即日起生效。当前全球NAND市...……更多
2023-10-10 17:47:00三星,美国,闪存,市场分析,芯片,工厂
近日，三星EVOSSD已在乌克兰官网上架，并公布了其所有相关信息。虽然三星官网未提及价格，但德国亚马逊上已出现1TB和2TB版本的售价分别为114.90欧元（约900元人民币）和189.90欧元（约1487元人民币），而这个价格是否为实际售...……更多
2024-01-08 19:04:00三星,闪存,三星,速度可达,德国,固态
三星暂停NAND闪存报价出货 存储芯片Q4合约价报价优于预期 【三星暂停NAND闪存报价出货 存储芯片Q4合约价报价优于预期】《科创板日报》29日讯，存储芯片大厂减产保价策略奏效，Q4合约价报价优于市场预期，DDR5上涨15～20％，DD...……更多
2023-11-29 12:36:00报价,三星,闪存,合约,芯片,存储
据供应链消息，三星电子计划与大客户进行谈判，将NAND闪存的价格重新调整至合理水平（至少上涨20%）。由于一年多的供过于求，闪存价格已经持平于成本。目前，临时交易价格仍在上涨，并且部分品类的价格已超过2022年1月...……更多
2024-03-17 03:33:00三星,闪存,调整,价格,存储,价格
...闪存作为两大存储器产品之一，正在经历新一轮的变化。三星在去年进行了多次减产，不过随着市场回暖，已开始大幅度提高产能利用率，同时抬升价格，继续主导市场。其位于西安的工厂的开工率已从去年下半年最低的20-30%提...……更多
2024-03-18 00:30:00闪存,迹象,格局,市场,闪存,三星
三星电子最新推出一款轻型移动固态硬盘T5EVO，容量高达8TB，适合大容量数据存储需求。T5EVO整体采用黑色设计，并配备一个钛灰色环扣，外观高级时尚。这款硬盘采用金属环设计，可以轻松地固定在包或行李上，同时金属机身...……更多
2023-11-15 20:08:00三星,闪存,移动,硬盘,三星电子,三星
据报道，业内人士透露，虽然市场需求低迷，但三星12月上半月依旧选择上调NAND闪存价格。其中，3DNAND闪存价格涨幅高达10%。 ……更多
2022-12-20 14:57三星,闪存,选择,价格
据韩媒BusinessKorea近日报道，三星计划自今年四季度起调涨其NANDFlash产品的合约价格，涨幅预计超过10%。此举预计最快将在本月新的合约中采用新价格。三星一直奉行减产战略，以降低供应量并提高产品价格来寻求反转，期望明...……更多
2023-10-11 09:22:00三星电子,三星,闪存,消息,价格,电子
...国外媒体报道，业务涵盖消费电子及面板、存储芯片等的三星电子，多项业务在全球的份额高于其他厂商，在DRAM和NAND闪存方面的份额，就明显高于其他厂商。而在最新的报道中，外媒还披露，在DRAM市场，三星电子的份额已连续...……更多
2023-01-30 16:46:00三星,厂商,全球,三星电子,三星,份额
...CNMO科技消息】近日，作为全球在闪存芯片领域领导者的三星半导体，在官方平台发布了备受瞩目的新品路线图，预示着新的UFS 4.0和UFS 5.0的即将推出。该路线图揭示了有关该公司计划开始改进UFS接口速度以及UFS 5.0发布时间表的...……更多
2024-03-22 11:00:00三星,将于,三星,速度,闪存,市场
...日消息，据国内媒体报道称，为了让存储价格继续上涨，三星会进一步减产，这势必会对行业带来更大的影响。报道中提到，三星电子计划到明年上半年为止，将NAND生产量削减规模扩大40%-50%，此举推高了NAND价格。从今年9月起...……更多
2023-11-11 21:16:00三星,产量,存储,三星,价格,闪存
...512Gb现货价单月调涨约2成，站上2.6美元。从今年9月起，三星已将NANDFlash快闪存储的减产幅度扩大到总产能的50%，主要集中在128层堆叠以下的产品上，目的是要加速去库存，同时稳定NANDFlash快闪存储的价格。在这之前，美光和SK海...……更多
2023-11-29 21:33:00晶圆,大厂,闪存,供货,国产,存储
...择保持低库存、缓提货的策略。不过第三季度的转折在于三星积极减产，让买方的采购态度趋向积极。三星从2023年第二季度起就加入了减产的行列，而且在第三季度扩大了减产的幅度，这也是为其涨价做准备。在2023年第三季度...……更多
2023-12-07 04:02:00闪存,年第,报告,增长,三星,年第
...来，每平方毫米的单位容量大约为22.9Gb，对比美光232层、三星290层的TLC分别高出57％、35％。性能方面，接口传输速度达3600MT/s，而三星只有3200MT/s，美光更是2400MT/s。铠侠还宣称，容量、性能提升的同时，新闪存的的写入能效也...……更多
2024-07-04 13:46:00闪存,闪存,容量,三星,方文,性能
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