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IT之家 12 月 25 日消息，据 The Korea Biz Wire 报道，尽管三星电子拥有强大的晶圆代工业务，但韩国政府正考虑成立一家名为“韩国半导体制造公司”（KSMC）的政府资助的晶圆代工厂。该倡议由行业专家和学者提出，旨在解决韩国...……更多
2024-12-26 09:34:00晶圆,代工厂,代工,韩国,半导体,资助
...6400MHz1.4V2x32GBDR海力士6400MHz1.5V2x16GBSR海力士5600MHz1.4V4x16GBSR三星6200MHz1.4V2x16GBSR三星6400MHz1.4V2x16GBSR三星6400MHz1.4V2x32GBDR三星5400MHz1……更多
2024-02-11 22:15:00超频,大神,策略,超频,力士,丽影
5月10日消息，据韩媒TheElec报道，三星电子内部已对其HBM内存开发部门进行“双轨化”改造，以增强其在HBM业务上的竞争力。具体而言，由现有DRAM设计团队负责HBM3E内存的后续研发工作，而三月成立的 HBM产能质量提升团队则专注...……更多
2024-05-11 00:25:00三星,竞争力,独立,团队,内存,竞争
5月7日消息，据韩国科技媒体KEDGlobal报道，三星电子为了拿下英伟达下一代人工智能图形处理器(AIGPU)的高端内存(HBM)订单，组建了一支由约100名顶尖工程师组成的“精英团队”，他们一直致力于提高制造产量和质量，首要目标是...……更多
2024-05-08 01:07:00英伟,三星,高端,订单,内存,团队
...少存储芯片公司饱受“卖不出去”之苦。比如，芯片龙头三星去年的利润因此暴跌逾八成。而除了旧芯片卖不出以外，存储芯片市场也在发生天翻地覆的改变。因为AI时代的来临，为了配合算力要求极高的AI服务器，旧的储存芯...……更多
2024-01-10 00:50:00三星,全年,利润,三星,芯片,存储
三星电子今日宣布推出其最新的32GbDDR5DRAM，这款DRAM依旧采用了三星12纳米工艺技术，它不仅能提供业界最高的单颗DRAM芯片容量，还在相同封装尺寸下实现了双倍于16GbDDR5DRAM的容量。这一创新使得无需使用硅通孔（TSV）工艺即可...……更多
2023-09-01 15:34:00三星电子,三星,工艺技术,纳米,工艺,电子
...度。重点将是通用型服务器领域。此外，报告中指出，在三星、SK海力士等存储大厂的持续减产的影响下，10月份前后DRAM和NAND原厂芯片价格都出现了一定程度的上升。目前合约价已陆续下跌，并且库存跌价损失也将有所改善，这...……更多
2023-10-14 19:11:00三星,力士,芯片,价格,存储,大容
SK海力士在今年1月份宣布成功开发出全球当前速度最快的移动DRAMLPDDR5T。现在，楷登电子（Cadence）宣布与SK海力士9600MbpsLPDDR5T移动DRAM可实现互操作性。楷登电子表示，其经过硅验证的Cadence LPDDR5X存储器接口IP与SK海力士的LPDDR5T（...……更多
2023-04-22 20:27:00力士,验证,内存,力士,移动,速度
快科技1月15日消息，三星电子在HBM内存产品领域遭遇了难题，其HBM3E产品原定于2024年送样给NVIDIA认证，但至今仍未达到NVIDIA的标准。NVIDIA CEO黄仁勋曾表示，虽然知道韩国人对此不耐烦，但新设计需要时间，也已取得进展，有信...……更多
2025-01-15 19:55:00博通,老大难,三星,供货,老大,验证
...国将把高带宽内存（HBM）技术指定为国家战略技术，并向三星电子和SK海力士等开发该技术的企业提供税收优惠。报道称，这一决定是2023年底在国会通过的，税法修正案后的执行令草案的一部分。最主要的变化就是，扩大了有资...……更多
2024-01-26 20:13:00三星,韩国,税收,内存,战略,国家
...也遇到了瓶颈，在20nm节点之后发展速度已经慢下来了，三星在14nm节点就用上了EUV光刻工艺，寻求进一步微缩。然而EUV光刻成本高昂不说，也没法彻底改变内存芯片的技术难题，三星已经做到了12nm工艺，再往后的内存工艺很难说...……更多
2023-03-16 21:46:00内存,全新,内存,三星,技术,进一
...程度严重，加上SK海力士、美光等同行已相继宣布减产，三星也考虑采取行动，减少资本支出和产量，以应对存储器价格下跌造成的供应过剩。花旗最新报告指出，三星通过减少投资，调整芯片供应的可能性正在增加，原因是存...……更多
2023-02-11 21:43:00内存,价格,三星,价格,亏损,供应
10月12日消息，据三星官方博客消息，面向高性能计算（HPC）的HBM内存迎来新进展，将开发9.8Gbps的HBM3E产品，已开始向客户提供样品。此外，HBM4内存以2025年为目标正在开发中，为了适用于该产品，正在准备针对高温热特性优化...……更多
2023-10-12 20:22:00三星,速率,内存,三星,封装,技术
今天，SK海力士宣布，成功开发出了现阶段全球最快的移动DRAM（内存）：“LPDDR5T”（LowPowerDoubleDataRate5Turbo），并已经向客户提供了样品。与此前推出的LPDDR5X相比，LPDDR5T的运行速度快13%，高达9.6Gbps，这也是它名字中“Turbo”的...……更多
2023-01-26 11:01:00力士,内存,移动,全球,力士,样品
...产品。市场调研机构TrendForce预测，随着SK海力士、美光、三星这三大HBM厂商持续扩大产能，预计2025年全球HBM产能将同比大涨117%。华福证券6月一篇研报指出，根据测算，HBM需求量在2024年和2025年将翻倍增长，2025年需求量有望达到...……更多
2024-10-25 11:07:00隐秘,赢家,战争,环氧树脂,环氧,力士
...物料（BoM）分析，谷歌Pixel7Pro中超过一半的成本都进入了三星的口袋。三星显示供应的屏幕在Pixel7Pro物料成本上占比在20%左右。市场调查机构CounterpointResearch表示，谷歌生产一台128GB的Pixel7Pro成本大约需要413美元（当前约2804元人...……更多
2023-02-08 13:04:00物料,成本,三星,摄像头,摄像,成本
...供应链管理，英伟达正规划加入更多的HBM供应商。其中，三星的HBM3（24GB）预期于今年12月在NVIDIA完成验证。之前英伟达的HBM由SK海力士独家供应，如今三星、美光都将加入。这也意味着，三家存储龙头都将为英伟达供应HBM。而HBM...……更多
2023-11-27 20:27:00英伟,巨头,供货,集体,内存,存储
在加州圣何塞举办的年度存储技术大会上，三星披露了下一代HBM3E的情况，相比现有HBM3在容量、频率、带宽方面都有了巨大的提升。三星HBM3E内存采用基于EUV极紫外光刻工艺的第四代10nm级工艺制造，确切地说是14nm。单Die容量可...……更多
2023-10-22 22:21:00三星,下一代,带宽,内存,三星,圣何塞
...内存条，首先看颗粒。DDR5内存颗粒，大部分是海力士、三星和镁光生产，且由于挑选的标准不同，品质各有不同。光威龙武DDR5680016GX2内存条采用海力士精挑细选的A-die颗粒，并保留了原厂原字。如此高品质的内存颗粒，使得这...……更多
2023-12-11 14:34:00光威,龙武,内存条,性价比,内存,内存条
快科技2月12日消息，据韩国媒体报道，三星电子正在重新调整其第六代1cnm DRAM的设计，以提升良品率，确保其HBM4内存的量产。三星的1cnm DRAM自开发以来一直面临良品率问题，2024年末的试产并未达到预期效果，大规模生产准备阶...……更多
2025-02-12 11:19:00三星,调整,设计,良品率,三星,内存
...近10nm。这是美光内存第一次用上EUV极紫外光刻工艺，而三星、SK海力士早就用了，不过美光这次同时还引入了下一代HKMG金属栅极技术，预计全新的BEOL后端工序。不过美光没有透露使用了多少EUV光刻层，猜测目前只是在关键层上...……更多
2025-02-26 18:05:00内存,升级,工艺,内存,工艺,光刻
...2、HBM2E、HBM3和HBM3e。目前在HBM3研发最前沿的是SK海力士和三星两家公司，英伟达的H100/H800、AMD的MI300系列AI加速卡均采用HBM3。SK海力士和三星预计将在2024年第一季度提供HBM3e样品。另一方面，美国内存公司美光正在绕过HBM3，直接...……更多
2023-10-13 02:47:00需求,增长,咨询,三星,芯片,需求
10月18日消息，根据韩国媒体今天的报道，三星已经确认将其第5带HBM3E产品命名为“Shinebolt”。随着三星加快对HBM3E的开发和营销，其有望追上SK海力士在该领域的步伐。HBM属于垂直连接多个DRAM，与DRAM相比显著提升数据处理速度...……更多
2023-10-18 20:59:00三星,样品,内存,电影,三星,开发
...M内存芯片的销售收入环比暴跌了29.8%。其中内存芯片一哥三星收入环比大幅下滑34.2%，SK海力士下滑了25.3%、美光下滑了26.3%。分析师认为，随着需求减退，DRAM市场已经开始真正陷入低迷，明年DRAM出货将迎来首次同比下滑。低迷...……更多
2022-12-30 21:23:00内存条,内存,价格,三星,内存,芯片
三星表示，它已经通过启动12纳米工艺的16GbDDR5DRAM的大规模生产重申了其在DRAM领域的领导地位。这家韩国电子巨头声称，与上一代产品相比，这种新工艺生产的内存IC可降低约四分之一的功耗，并将提高五分之一的晶圆生产力。...……更多
2023-05-20 06:56:00大规,三星,纳米,大规模,生产,三星
...主的存储芯片市场处于熊市周期，价格不断下滑，以致于三星今年Q1季度利润暴跌96%，然而这样的日子不会持续很久，三大存储芯片巨头表示最坏的日子过去了。三星本月初公布的Q1季度财报显示，第一季度营业利润同比暴跌96%...……更多
2023-05-01 20:24:00很快,内存,日子,芯片,三星,存储
三星电子正在积极推进第五代HBM3e内存技术的研发和测试工作。HBM（HighBandwidthMemory）是一种特殊类型的内存技术，它通过垂直堆叠多个DRAM芯片，以实现更高的数据处理速度和更大的容量。目前，HBM技术已经在高性能计算、服务...……更多
2023-10-22 21:51:00三星,内存,技术,速度,内存,传输
...据DigiTimes报道，英特尔即将推出的LunarLakeMX平台，将采用三星的LPDDR5X内存芯片。英特尔计划2024年底或者2025年年初推出新一代LunarLakeMX芯片，对标苹果的M系列AppleSilicon芯片。LunarLake系列芯片将会直接封装内存，意味着用户无法更..……更多
2024-01-28 04:13:00英特,英特尔,平台,英特,英特尔,三星
5月30日消息，随着DRAM小型化的不断推进，SK海力士、三星电子等公司正在致力于新材料的开发和应用。据TheElec，SKHynix计划在第6代（1c工艺，约10nm）DRAM的生产中使用Inpria下一代金属氧化物光刻胶（MOR），这是MOR首次应用于DRAM量...……更多
2024-05-30 08:30:00新材,三星电子,三星,力士,新材料,致力于
...媒体25日报道，尽管相关行业发展前景不甚明朗，但韩国三星电子公司计划在明年扩大其最大半导体工厂的产能。《韩国经济新闻》援引行业内部匿名消息来源报道，三星电子计划扩大其位于韩国平泽市的P3工厂产能。这座工厂...……更多
2022-12-27 10:32:00韩国三星电子,三星,韩国,芯片,电子,三星电子
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