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...3nm栅极全环(GAA)节点的订单。三星在3nm工艺中使用了全栅晶体管，可以间接改善芯片性能。韩国产业经济贸易研究院研究员KimYang-paeng表示：“如果三星此次成功赢得AMD4nm芯片订单，将打开‘大芯片’领域的交易之门……这将是三...……更多
2023-11-17 13:47:00新业,三星,新业务,工艺,三星,代工厂
...nm工艺的量产，并在2022年宣布业内率先量产3nm全环绕栅极晶体管工艺，但其第一代3nm工艺(SF3E)在良率和效率方面的表现一直未达预期。三星System LSI Division部门开发的Exynos 2500芯片，采用内部3nm工艺，其良品率同样令人失望。与此...……更多
2024-06-19 09:16:00高通,三星,订单,工艺,三星电子,三星
...，一直在为良品率发愁。三星3nm工艺首次引入了GAA全环绕晶体管，分为一代3GAE、二代3GAP两个版本。据悉，三星内部设定的量产良品率最低标准是70％，但是初代3GAE目前只能达到50-60％，仍旧无法投入大规模量产。
第二代3GAP更...……更多
2024-11-12 13:47:00二代,良品率,三星,一代,只有,三星
...，从5纳米以后其实就已经拉开差距了，三星的5纳米工艺晶体管密度只是比台积电的7纳米EUV稍高、却远落后于台积电的5纳米。台积电和三星为全球唯二量产3纳米工艺的芯片代工企业，从技术上来说，三星的3纳米工艺还稍微领先...……更多
2024-11-06 09:50:00太强,芯片,三星,中国,被迫,影响
...以来，三星和台积电逐渐拉开差距，三星的5纳米工艺在晶体管密度方面不如台积电的5纳米，生产的骁龙8G1芯片出现发热问题，随即高通抛弃了三星，将骁龙8G1芯片交给台积电以改良后的5纳米生产，性能更强而功耗大幅下降，从...……更多
2024-11-09 13:36:00芯片,中美,输家,三星,美国,中国
...与Exynos2400中使用的4nm工艺相比，3nm技术提供了更密集的晶体管布局。在更小的芯片空间内实现更大的处理能力。这不仅意味着潜在的性能提升。而且还降低了热效率，使处理器在运行过程中产生的热量更少。预计GalaxyS25系列将...……更多
2024-04-22 17:25:00二代,三星,处理器,工艺,处理,三星
...破将使得芯片制造商能够在同样大小的芯片上装载更多的晶体管，从而提升芯片的性能和功耗控制能力。
除了提升芯片性能外，2纳米工艺节点还具有其他潜在的优势。首先，这一节点将使得芯片的尺寸更小，从而可以在相同的...……更多
2024-06-13 17:58:00三星,功耗,节点,纳米,芯片,性能
...层叠叠，过程与NAND闪存类似，其中还会应用一些先进的晶体管制造技术。3DDRAM设计重点是解决缩放和多层堆叠的难题，另外还有电容器和晶体管缩小，以及单元间连接和通孔阵列，最后还有制定相应的工艺要求。通过垂直堆叠...……更多
2024-06-22 23:29:00三星,力士,混合,应用,技术,三星
...而2nm制程工艺将会基于更加先进的技术，包括GAAFET纳米片晶体管与背部供电，根据之前曝光的数据，能够比3nm提升10-15%的性能，而同等频率下功耗则降低25-30%。也就是说等到2025年，包括三星也台积电都将拥有量产2nm制程的能力...……更多
2024-02-05 21:00:00制程,三星,芯片,订单,更多,制程
...，目前全球还没有商业化的先例。三星也宣扬全环绕栅极晶体管（GAA）的架构，随着芯片变得越来越精细，甚至突破物理极限，GAA视为继续为AI制造更强大芯片的重要因素。台积电等竞争对手也在开发GAA芯片，但三星起步更早，...……更多
2024-06-13 18:48:00制程,三星,路线图,研发生产,纳米,芯片
...3nm制程工艺在性能上有着显著的提升。通过采用更先进的晶体管结构和优化设计，3nm芯片在逻辑运算、数据处理等方面展现出更高的效率。同时，在功耗方面，3nm制程工艺也取得了令人瞩目的成果。相比5nm工艺，新款芯片的功耗...……更多
2024-05-09 09:11:00制程,三星,功耗,下线,飞跃,芯片
...持续挑战更先进的芯片技术。GAA（Gate All Around，全环栅型晶体管技术）是当前一项核心科技。芯片里面的晶体管，可以拆解为三个模块：源极、栅极、漏极——电离子从源极出发、穿越栅极、进入漏极，构成一个完整回路。栅极...……更多
2023-12-22 11:43:00刻机,巨头,芯片,三大,客户,制程
...先进的芯片制造技术，采用了门全包裹（Gate-All-Around）的晶体管结构，相比传统的FinFET结构，可以实现更高的集成度和更低的功耗。而台积电方面，2023年虽然量产了3nm FinFET工艺，但是和三星的工艺优势方面还是稍微弱了一些。...……更多
2024-02-04 09:15:00良品率,三星,处理器,不用,处理,三星
...其中大多数。按照台积电方的说法，3nm工艺能够大幅提升晶体管密度约70%，性能的涨幅约在10%-15%之间，而能耗至少能够降低25-30%。此外呢，明年的iPhone15在硬件方面大升级主要在处理器上，其他规格大概率不会有太大的升级。所...……更多
2023-01-15 18:30:00中国制造,中国,苹果,升级,制造,苹果
...晶圆堆叠技术，其中每一片晶圆分别承载了光电二极管、晶体管以及模拟数字转换器等关键元件。相较于传统的双晶圆设计，三晶圆堆叠技术能显著提升传感器的图像捕捉效率，降低噪声，同时实现更高的像素密度，为iPhone 16系...……更多
2024-07-05 15:47:00内存,苹果,升级,晶圆,传感器,苹果
...SF3） 芯片的公司，三星也是采用新型全环绕栅极 （GAA） 晶体管架构的先驱。 ……更多
2023-12-16 09:16:00机台,消息,工艺,三星,工艺,宝山
...能。此外，SoC采用了三星8nm工艺制造，据称是市场上单位晶体管成本最低的制程节点之一。 ……更多
2024-05-11 12:07:00内存,内存,任天堂,英伟,标识符,支持
...越来越小，控制电流变得越来越困难，但GAA通过重新设计晶体管结构来提高能效，从而解决了这一问题。尽管有这些优势，但三星在争取各种客户供应晶圆方面基本上都不成功，因为它不断遇到产量问题。再加上高昂的生产成本...……更多
2024-05-02 02:11:00栅极,三星,芯片,技术,三星,纳米
... PowerVia 背面供电技术的芯片，通过优化供电提高性能和晶体管密度。同时 18A 也是英特尔首个采用 RibbonFET 全周栅极（GAA）晶体管的节点，在缩小面积的情况下，提供更高的晶体管密度和更快的晶体管开关速度。英特尔 18A 现已...……更多
2024-02-22 09:20:00代工,英特,英特尔,代工厂,路线图,节点
...制程节点。传统的芯片制造采用自下而上的方式，先制造晶体管再建立用于互连和供电的线路层。然而，随着工艺的进步，这种供电模式的线路层变得越来越混乱，并对设计和制造产生了干扰。为了解决这个问题，BSPDN技术将芯...……更多
2024-02-29 04:35:00三星电子,三星,供电,得了,结果,测试
...的3nm工艺。尽管三星投入巨大资源，引进了业界领先的GAA晶体管技术，试图在Exynos2500处理器上实现突破，但现实却给它泼了一盆冷水。据内部数据显示，该处理器的良品率竟不足20%，这无疑是给三星的雄心壮志泼了一盆冷水，...……更多
2024-07-05 09:09:00革新,三星,技术,三星,价格,处理器
...片都不相同，它需要在每平方毫米的面积上，植入3亿颗晶体管，相当于在一个指甲盖那么大的面积里，塞下近400亿颗晶体管。这个数量是现在主流5nm芯片的2倍左右。如此巨大的提升与恐怖的密度，需要将芯片制造技术从2D平面...……更多
2023-12-22 09:54:00制程,芯片,极限,升级,制程,芯片
...艺量产后仍然面临问题。据悉苹果新推出的M2 Pro处理器的晶体管数量较M1 Pro增加了20%，在性能方面将进一步提升，但是这种提升主要还是依靠芯片核心架构升级取得的，两款处理器都采用了台积电的5纳米工艺。台积电的3纳米工...……更多
2023-01-19 08:00:00纳米,苹果,先进,工艺,问题,纳米
...m GAA（SF3E）工艺，这标志着三星首次将创新的GAA架构用于晶体管技术。而第二代3nm工艺3GAP（SF3）将利用第二代MBCFET架构，在第一代3nm SF3E的基础上进行优化，预计将于2024年开始大规模生产。
但是当市场中传出这则消息之后，也...……更多
2023-12-02 09:08:00代工,高通,模式,高通,处理器,处理
...大芯片的美国初创公司Cerebras，Cerebras 的第二代AI芯片WSE-2晶体管数量达到2.6万亿个，AI内核数量也达到了85万个，多项指标打破世界纪录。△图源：Cerebras官网
另一家是Rain Neuromorphics，这是一家设计模仿大脑工作方式的芯片初创...……更多
2024-01-31 17:46:00英特,奥特,奥特曼,英特尔,三星,合作
...，采用台积电4NP工艺制程，配备192HBM3E内存，共有2080亿个晶体管，推理大语言模型性能比H100提升30倍，成本和能耗降低96%。SK海力士今日发布新闻稿宣布其最新的超高性能AI内存产品HBM3E已开始量产，并将从本月下旬起向客户供货...……更多
2024-03-20 03:27:00力士,力士,可处理,产品,进一,芯片
...最新的4纳米制程工艺。相比上代5纳米工艺，4纳米制程在晶体管密度和功耗控制方面都有明显优势，这为CPU主频的大幅提升奠定了基础。除了制程工艺的进步，高通还对CPU的架构设计进行了重新定义。新一代骁龙芯片将采用全新...……更多
2024-06-09 09:06:00高通,狂飙,霸主,旗舰,芯片,高通
4月7日消息，综合韩媒TheElec和ETNews报道，三星电子先进封装团队高管DaeWooKim在2024年度韩国微电子与封装学会年会上表示近日完成了采用16层混合键合HBM内存技术验证。DaeWooKim表示，三星电子成功制造了基于混合键合技术的16层堆...……更多
2024-04-08 12:02:00三星电子,三星,验证,内存,电子,三星电子
...的全新 S9 SiP 芯片所采用的双核中央处理器，具有56亿个晶体管，相比上一代增加了60%之多。而新的四核神经网络引擎，处理机器学习任务的速度最快达两倍。得益于领先的算力， Apple Watch Ultra 2支持了全天候的double-tap手势，当...……更多
2024-03-07 23:00:00三星,新机,苹果,梦想,智能,设备
10月12日消息，据三星官方博客消息，面向高性能计算（HPC）的HBM内存迎来新进展，将开发9.8Gbps的HBM3E产品，已开始向客户提供样品。此外，HBM4内存以2025年为目标正在开发中，为了适用于该产品，正在准备针对高温热特性优化...……更多
2023-10-12 20:22:00三星,速率,内存,三星,封装,技术
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