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...024的幻灯片上展示了两项3DDRAM内存新技术，包括垂直通道晶体管（VerticalChannelTransistor）和堆叠DRAM（StackedDRAM）。相较于传统的晶体管结构，垂直通道晶体管将沟道方向从水平变为垂直，可大幅减少器件面积占用，但提升了对刻...……更多
2024-04-02 02:48:00三星,业界,时代,内存,晶体管,三星
...布了B200和GB200系列芯片。据黄仁勋介绍，B200拥有2080亿个晶体管，采用台积电4NP工艺制程，可以支持多达10万亿个参数的AI大模型，还通过单个GPU提供20petaflops的AI性能。 ……更多
2024-03-26 02:35:00三星电子,英伟,三星,供货,内存,电子
...在三星的规划中，HBM4将有两个发展方向，使用更先进的晶体管工艺和更高级的封装技术。工艺方面，三星计划在HBM上放弃传统的平面晶体管，改用FinFET立体晶体管，从而降低所需的驱动电流，改善能效。FinFET立体晶体管技术是In...……更多
2023-10-22 22:20:00三星,内存,工艺,学习,晶体管,三星
...其中大多数。按照台积电方的说法，3nm工艺能够大幅提升晶体管密度约70%，性能的涨幅约在10%-15%之间，而能耗至少能够降低25-30%。此外呢，明年的iPhone15在硬件方面大升级主要在处理器上，其他规格大概率不会有太大的升级。所...……更多
2023-01-15 18:30:00中国制造,中国,苹果,升级,制造,苹果
...量产了SF3E（3nmGAA），引入全新的GAA（Gate-All-Around）架构晶体管技术。根据之前公布的计划，三星今年将带来名为SF3（3GAP）的第二代3nm工艺技术，使用“第二代多桥-通道场效应晶体管（MBCFET）”，在原有的SF3E基础上做进一步的...……更多
2024-02-20 10:06:00三星,日本,先机,芯片,订单,工艺
...潜力。三星表示通过采用深沟槽隔离(DTI)技术，缩小每个晶体管之间的距离，最大限度地发挥功率半导体的性能。三星代工厂将使用120V（当前为70V）的更大电压应用于更广泛的应用，并准备好在2025年之前提供实现120V至130nmBCD工...……更多
2023-10-20 14:38:00三星,纳米,存储,开发,三星,工艺
...3nm工艺，而Exynos2500将是其首款3nm的SoC，或许希望通过GAA晶体管技术提升性能和改善能耗表现。高通同期将带来第四代骁龙8平台，引入自研的定制Oryon内核，预计会对三星造成不小的压力。 ……更多
2023-11-02 10:57:00三星,架构,三星,高通,内核,性能
... A17 Pro。A17 Pro 采用了台积电最新的 3nm 工艺（N3B）制造，晶体管数量达到了惊人的 190 亿，这是全世界第一款采用台积电 3nm 工艺的手机芯片，也是 3nm 工艺第一次出现普通人就可以买到的大众消费品上。要知道，随着芯片尺寸越...……更多
2023-10-11 15:22:00芯片,战争,芯片,工艺,晶圆,三星
...而2nm制程工艺将会基于更加先进的技术，包括GAAFET纳米片晶体管与背部供电，根据之前曝光的数据，能够比3nm提升10-15%的性能，而同等频率下功耗则降低25-30%。也就是说等到2025年，包括三星也台积电都将拥有量产2nm制程的能力...……更多
2024-02-05 21:00:00制程,三星,芯片,订单,更多,制程
...，同时更准确的还原了物体本身的颜色。索尼ExmorT：双层晶体管像素结构（DLT）索尼开发了创新性的双层晶体管像素结构，将光电二极管和像素晶体管分离到不同的基片层上进行堆栈。这种结构使得饱和信号量大幅提升，扩大了...……更多
2024-04-10 17:03:00豪威,索尼,之路,三星,影像,趋势
... PowerVia 背面供电技术的芯片，通过优化供电提高性能和晶体管密度。同时 18A 也是英特尔首个采用 RibbonFET 全周栅极（GAA）晶体管的节点，在缩小面积的情况下，提供更高的晶体管密度和更快的晶体管开关速度。英特尔 18A 现已...……更多
2024-02-22 09:20:00代工,英特,英特尔,代工厂,路线图,节点
...大芯片的美国初创公司Cerebras，Cerebras 的第二代AI芯片WSE-2晶体管数量达到2.6万亿个，AI内核数量也达到了85万个，多项指标打破世界纪录。△图源：Cerebras官网
另一家是Rain Neuromorphics，这是一家设计模仿大脑工作方式的芯片初创...……更多
2024-01-31 17:46:00英特,奥特,奥特曼,英特尔,三星,合作
...星Exynos2500芯片会采用新的“闸门全包”（Gate-All-Around）晶体管结构，相较于台积电采用的FinFET结构3nm制程工艺，可以实现更高的整合度和更低的功耗。
只不过并不会过多地使用Cortex-X5架构，而是1+3+2+4设计，据说是为了让功耗...……更多
2024-04-04 15:05:00三星,芯片,再次,三星,芯片,处理
三星在最新的储存技术日活动中向公众展示了多项新产品，其中包括一款名为“Shinebolt”的下一代HBM3EDRAM，这款产品可以满足下一代AI数据中心应用的需求。三星表示，“Shinebolt”HBM3EDRAM每个引脚速度可达9.8Gbps，其传输速率可...……更多
2023-10-21 20:51:00三星,带宽,内存,高速,三星,产品
...艺量产后仍然面临问题。据悉苹果新推出的M2 Pro处理器的晶体管数量较M1 Pro增加了20%，在性能方面将进一步提升，但是这种提升主要还是依靠芯片核心架构升级取得的，两款处理器都采用了台积电的5纳米工艺。台积电的3纳米工...……更多
2023-01-19 08:00:00纳米,苹果,先进,工艺,问题,纳米
...持续挑战更先进的芯片技术。GAA（Gate All Around，全环栅型晶体管技术）是当前一项核心科技。芯片里面的晶体管，可以拆解为三个模块：源极、栅极、漏极——电离子从源极出发、穿越栅极、进入漏极，构成一个完整回路。栅极...……更多
2023-12-22 11:43:00刻机,巨头,芯片,三大,客户,制程
...，采用台积电4NP工艺制程，配备192HBM3E内存，共有2080亿个晶体管，推理大语言模型性能比H100提升30倍，成本和能耗降低96%。SK海力士今日发布新闻稿宣布其最新的超高性能AI内存产品HBM3E已开始量产，并将从本月下旬起向客户供货...……更多
2024-03-20 03:27:00力士,力士,可处理,产品,进一,芯片
...软更新推出。值得一提的是，这将是最后一个采用 FinFET 晶体管的节点。你可能想知道英特尔如何在六个月内量产两个节点。但其实按照报道，英特尔的4nm（intel 4)和 3nm(intel 3)工艺由两个独立的团队同时开发。这本质上是Tick Tock ...……更多
2023-01-20 06:00:00英特,英特尔,战局,英特,英特尔,三星
...了40%，这让行业内的厂商日子苦不堪言。作为内存一哥的三星，受到的冲击也是最大的，该公司预计在6日发布2022年Q4季度财报，利润预计会腰斩还多。来自21位金融分析师给出了预期，Q4季度三星的运营利润约为59万亿韩元，约...……更多
2023-01-05 23:51:00三星,年来,内存,日子,价格,内存
...Xperia 1 VI预计会继续使用上代产品主打的全新 Exmor T 双层晶体管像素堆栈式影像传感器，配合索尼多帧合成降噪处理，可以实现超清晰的暗光拍摄。该传感器第一层为光电二极管，第二层为像素晶体管，两相配合可以捕捉更多光...……更多
2024-04-22 10:49:00暗光,索尼,三星,新机,拍摄,索尼
1月28日消息，三星电子称其已经在美国硅谷开设了一个新的R&D研究实验室，专注于下一代3DDRAM芯片的开发。该实验室位于硅谷DeviceSolutionsAmerica（DSA）运营之下，负责监督三星在美国的半导体生产，并致力于开发新一代的DRAM...……更多
2024-01-28 20:23:00三星电子,三星,实验室,实验,研究,电子
...界和企业界公认的集成电路设计领域最高级别会议，届时三星将展示其GDDR7技术，主题是“具有PAM3优化TRX均衡和ZQ校准的16Gb37Gb/sGDDR7DRAM”。GDDR7将采用PAM3编码，介于PAM4和NRZ之间，相比NRZ实现了更高的周期数据传输速率，同时降...……更多
2024-01-29 11:47:00三星,技术,三星,功耗,技术,内存
...1.4nm）工艺，通过增加纳米片数量进一步改善工艺。每个晶体管增加纳米片数量，可以增强驱动电流，从而提高性能，更多的纳米片允许更多的电流流过晶体管，从而增强其开关能力和运行速度。此外，更多的纳米片可以更好地...……更多
2023-11-01 13:46:00三星,纳米,数量,工艺,纳米,工艺
...上，三星率先引入了全新的下一代GAA（Gate-All-Around）架构晶体管技术，与以往使用的FinFET晶体管技术有着较大的区别，也使得良品率问题进一步放大。据Notebookcheck报道，三星目前3nm工艺的良品率在“50%附近”徘徊，在良品率方...……更多
2024-03-10 18:24:00良品率,三星,工艺,问题,良品率,三星
...介绍，SF3节点可以在同一单元内实现不同的环绕栅（GAA）晶体管纳米片通道宽度，从而提供更高的设计灵活性。这也能够为芯片带来更低的功耗和更高的性能，并通过优化设计来增加晶体管密度。IT之家通过TrendForce数据获悉，台...……更多
2024-01-22 12:22:00三星电子,二代,三星,工艺,电子,三星
...城工厂开始生产3nm芯片，采用全新GAA（Gate-All-Around）架构晶体管技术。不过在量产以后，三星的3nmGAA工艺的良品率一直都不是那么理想。近日有网友透露，三星初期3nm工艺的良品率最初徘徊在10%至20%之间，经过多方努力后，最近...……更多
2024-03-24 17:44:00良品率,三星,工艺,良品率,三星,工艺
三星今天宣布正式开始量产第九代V-NAND闪存，首批开始量产的是容量为1Tb的TLC闪存，新一代闪存的量产会进一步增强三星在闪存市场的竞争力，巩固其领导地位。三星电子内存业务部闪存产品与技术负责人SungHoiHur表示：“我们...……更多
2024-04-24 18:48:00九代,三星,闪存,九代,三星,闪存
...性不言而喻。美国作为半导体的发源地，早在集成电路和晶体管的发明之初就掌握了大量的芯片技术专利，因此多年来一直在全球芯片产业链中占据主导地位。
然而，2019年美国对华为的制裁引发了人们对于芯片产业的关注。这...……更多
2024-02-06 15:46:00库克,三星,芯片,全球,公司,英伟
...该工艺将依赖于第二代或第三代Gate-all-around FETs（GAAFET）晶体管技术。此外，也不清楚台积电是否会在A14工艺上启用High-NA EUV光刻机，但这种新设备的引入可能会为芯片设计人员和制造商带来一些新的挑战。与三星的技术路线图...……更多
2023-12-15 10:02:00工艺,工艺,技术,三星,晶体管,制程
...，据华尔街见闻报道，供应链上下游龙头公司透露称，受三星等存储原厂减产以及国内闪存龙头存储颗粒产能不足的影响，内存和闪存元器件采购成本逐步上涨。报道称，相较此前低位，国内有存储器下游龙头闪存采购成本已上...……更多
2023-10-13 15:22:00白菜,内存,存储,时代,三星,存储
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