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...于出现了复苏的迹象。从市场动态和需求变化来看，NAND闪存作为两大存储器产品之一，正在经历新一轮的变化。三星在去年进行了多次减产，不过随着市场回暖，已开始大幅度提高产能利用率，同时抬升价格，继续主导市场。...……更多
2024-03-18 00:30:00闪存,迹象,格局,市场,闪存,三星
据多位半导体产业人士透露，三星将对其NAND闪存芯片的价格进行大幅调整。从今年第四季度开始，三星计划将闪存芯片的报价提高10-20％。令人惊讶的是，明年第一季度和第二季度，价格还将分别再上涨20％。按照这一涨幅，预...……更多
2023-11-03 21:16:00三星,闪存,涨幅,季度,高达,三星
...生产事故”而被网友们所熟知。甚至一度还传出或将限制闪存芯片出口的消息，不过后来因为影响实在太大，甚至会对全球的消费电子市场造成巨大冲击而作罢。后来的故事不少人估计都知道，国产闪存颗粒如今已经成为国内市...……更多
2023-10-18 10:06:00三星,力士,闪存,战场,硬盘,闪存
...三星再次站在了技术革新的前沿，宣布推出全新的280层QLC闪存，将M.2SSD的容量推向了新的高度——惊人的16TB！QLC，即四层单元闪存，是近年来闪存领域的一项重要技术突破。与传统的TLC（三层单元）闪存相比，QLC通过在每个存...……更多
2024-01-31 10:52:00三星,重磅,闪存,闪存,存储,三星
...向全球宣布了一项创新成果：成功研发出321层堆叠的NAND闪存。这是全球首次突破300层堆叠的大关，对于闪存技术的发展具有重大意义。然而，尽管这一成果在技术上具有突破性，但SK海力士表示，要到2025年上半年才会开始量产...……更多
2023-10-22 21:52:00三星,力士,闪存,全球,技术,闪存
...份额达79%，其中得益于智能手机的需求，中国地区对NAND闪存的市场销售额占比全球最大，根据Yole的数据，2022年中国地区NAND闪存市场销售额占全球33%。三星在一份声明中表示，“通过与相关政府的密切协调，与我们在中国的半...……更多
2023-10-10 17:47:00三星,美国,闪存,市场分析,芯片,工厂
三星今天宣布正式开始量产第九代V-NAND闪存，首批开始量产的是容量为1Tb的TLC闪存，新一代闪存的量产会进一步增强三星在闪存市场的竞争力，巩固其领导地位。三星电子内存业务部闪存产品与技术负责人SungHoiHur表示：“我们...……更多
2024-04-24 18:48:00九代,三星,闪存,九代,三星,闪存
【CNMO新闻】11月30日，CNMO注意到，业内消息人士称，NAND闪存现货价格持续上涨，而DRAM定价趋势则不太稳定。随着旺季接近尾声，11月存储现货价格增长放缓。由于芯片厂商持续减产，上游NAND供应依然紧张，存储模组厂商无法在...……更多
2023-12-01 11:52:00初见成效,闪存,成效,芯片,价格,行业
...品价格上涨的市场需求，三星电子计划进一步减少其NAND闪存产品的生产。此举预计将在未来一年内导致行业影响不断扩大。三星电子已经从今年9月份开始，将NAND闪存产品产量削减至总产能的50%，主要集中在128层堆叠以下的产品...……更多
2023-11-11 21:03:00三星,闪存,厂商,生产,产品,三星
...人LeeJung-Bae发表文章，称三星已生产出基于其第九代V-NAND闪存产品的运行芯片，希望明年初可以实现量产。同时三星还正在开发行业内领先的11纳米级DRAM芯片。该负责人还表示，对于DRAM三星正在研发3D堆叠结构和新材料；对于NAND...……更多
2023-10-17 20:23:00三星,闪存,芯片,三星,芯片,双堆
据韩媒BusinessKorea近日报道，三星计划自今年四季度起调涨其NANDFlash产品的合约价格，涨幅预计超过10%。此举预计最快将在本月新的合约中采用新价格。三星一直奉行减产战略，以降低供应量并提高产品价格来寻求反转，期望明...……更多
2023-10-11 09:22:00三星电子,三星,闪存,消息,价格,电子
三星暂停NAND闪存报价出货 存储芯片Q4合约价报价优于预期 【三星暂停NAND闪存报价出货 存储芯片Q4合约价报价优于预期】《科创板日报》29日讯，存储芯片大厂减产保价策略奏效，Q4合约价报价优于市场预期，DDR5上涨15～20％，DD...……更多
2023-11-29 12:36:00报价,三星,闪存,合约,芯片,存储
据供应链消息，三星电子计划与大客户进行谈判，将NAND闪存的价格重新调整至合理水平（至少上涨20%）。由于一年多的供过于求，闪存价格已经持平于成本。目前，临时交易价格仍在上涨，并且部分品类的价格已超过2022年1月...……更多
2024-03-17 03:33:00三星,闪存,调整,价格,存储,价格
...韩媒Hankyung报道，三星最快于本月晚些时候实现第9代V-NAND闪存的量产。三星高管Jung-BaeLee去年10月表示，其下一代NAND闪存将于“今年初”量产，拥有业界领先的堆叠层数。三星于2022年11月量产了236层第8代V-NAND，这意味着两代之间...……更多
2024-04-13 11:21:00三星,闪存,闪存,三星,堆栈,进一
【CNMO科技消息】近日，作为全球在闪存芯片领域领导者的三星半导体，在官方平台发布了备受瞩目的新品路线图，预示着新的UFS 4.0和UFS 5.0的即将推出。该路线图揭示了有关该公司计划开始改进UFS接口速度以及UFS 5.0发布时间表...……更多
2024-03-22 11:00:00三星,将于,三星,速度,闪存,市场
TrendForce发布了2023年第三季度NAND闪存市场的报告，显示产业收入环比增长2.9%，营收约为92.29亿美元，另外位元出货量也有环比3%的增长。TrendForce表示，买方认为终端需求仍然较低，担忧市场旺季不旺，因此选择保持低库存、缓...……更多
2023-12-07 04:02:00闪存,年第,报告,增长,三星,年第
...29日消息，据国内媒体报道称，目前原厂对四季度Flash（闪存）供应主打“拖延战术”，说到底就是加速闪存晶圆全面调涨。报道中提到，模组厂曾在9月试图敲定数百万颗订单，但原厂迟迟不愿放货，就算愿意给货，数量及价格...……更多
2023-11-29 21:33:00晶圆,大厂,闪存,供货,国产,存储
...注：最近一个多月，三星电子、SK海力士宣布对DRAM和NAND闪存芯片涨价10%-20%。事实上，后者的重要程度可能并不弱于前者。原因在于，过去一年多无论是DRAM还是NAND，无论是三星电子还是SK海力士，都经历了一轮史无前例的暴跌。...……更多
2023-10-12 16:55:00三星,白菜,存储,国产,品牌,时代
...《Hankyung》报道，三星准备在下个月推出第9代V-NAND（3DNAND闪存），预计将提供290层结构，比该公司于2022年首次推出的236层第八代V-NAND有进一步的提高。据报道，三星是通过改进闪存层堆叠技术实现290层垂直堆叠密度的，这种技...……更多
2024-04-16 10:06:00三星,闪存,准备,闪存,三星,晶圆
...16日消息，三星计划在本月晚些时候开始量产第九代V-NAND闪存，可用的堆叠层数达290层，相比现在的236层只增加不到23％。这一代新闪存将采用新的堆叠架构，底部是CMOS层加逻辑电路，上边是145层闪存阵列，再上边又是145层闪存...……更多
2024-04-16 10:16:00九代,三星,闪存,架构,闪存,三星
...星还没有官方调查，能猜测的也只有两个可能，一个是TLC闪存，990Pro使用的是三星176层TLC闪存（官方叫做3bitMLC），按说应该是很成熟的产品了，可靠性不应该出问题。还有一种可能就是主控，990Pro升级了三星自研的Pascal主控，...……更多
2023-01-26 14:05:00三星,闪存,寿命,事故,三星,闪存
...月11日消息，据韩媒TheElec报道，三星电子已将西安工厂的闪存开工率至70%。西安工厂是三星电子唯一处于韩国境外的存储半导体生产基地，月产能为20万片300mm晶圆，占三星整体NAND产量的40%。目前三星正将西安工厂的工艺升级至2...……更多
2024-03-12 01:50:00三星电子,开工率,三星,西安,闪存,工厂
...械硬盘（HDD）和固态硬盘（SSD）都出现了供应短缺。而且闪存产品的需求也超出了预期，因此本季度将继续调整闪存和硬盘产品的价格，其中一些变动将立即生效。希捷：机械硬盘大厂希捷科技近日也向客户发出涨价函，宣布将...……更多
2024-04-23 17:19:00一轮,余震,固态,原厂,缺货,迎新
10月19日消息，三星是全球最大的NAND闪存供应商，对其V-NAND（即三星称之为的3DNAND）的发展有着宏大的计划，本周三星分享了一些相关信息。该公司证实，其正在按计划生产拥有超过300层的第九代V-NAND闪存，并表示这将是业内层...……更多
2023-10-19 20:39:00九代,三星,闪存,三星,九代,拥有超过
...固态硬盘采用PCIe4.0x4或5.0x2标准、M.22280外形，基于V-NANDTLC闪存，顺序读写速度可达5000/4200MB/s，随机读写速度可达700k/800kIOPS，并支持AES-256位加密。值得一提的是，尽管Pro型号配备了DDR4RAM缓存，但Evo型号似乎并未配备缓存……更多
2024-01-08 19:04:00三星,闪存,三星,速度可达,德国,固态
...层数跳至430层级。三星此前宣布到2030年开发出1000层V-NAND闪存，同时，下一代V-NAND路线图的轮廓也逐渐浮出水面。据报道，三星计划2024年量产的第九代V-NAND将在280层3DNAND 范围内。对于定于2025-2026年量产的第十代V-NAND，三星正在...……更多
2023-01-09 20:05:00十代,三星,闪存,三星,十代,九代
...比超过三分之一。存储芯片有很多种，比如DRAM内存、NAND闪存、Flash闪存等，但其中DRAM+NAND占了95%以上的份额，是数量、份额最高的两大类型。过去这几年，中国从国外进口的芯片中，存储芯片占比超过三分之一。
而在2017年之...……更多
2023-11-29 11:32:00三星,落后,芯片,内存,国产,存储
...ce集邦咨询在今日的最新研报中称，AI浪潮对DRAM内存和NAND闪存市场带来明显影响，推动该机构调升本季度两类存储产品的合约价涨幅。具体而言，TrendForce原先预估2024年二季度DRAM内存合约价上涨3~8%，现估计为13~18%；而在NAND闪存...……更多
2024-05-08 01:33:00闪存,浪潮,内存,影响,市场,内存
...。因此，使用该硬盘进行大文件传输变得更加方便快捷。闪存方面，T5EVO采用了176层3DV-NAND技术，并运行在QLC模式下。此外，该硬盘配备了三星自家的S4LR069Metis主控和8GB缓存。在安全性能方面，T5EVO搭载了热防护技术和硬件数据加...……更多
2023-11-15 20:08:00三星,闪存,移动,硬盘,三星电子,三星
...杂的蚀刻技术提出了要求。第九代V-NAND配备了下一代NAND闪存接口“Toggle5.1”，可将数据输入/输出速度提高33%，最高可达每秒3.2千兆位（Gbps）。除了这个新接口，三星还计划通过扩大对PCIe5.0的支持来巩固其在高性能固态硬盘市...……更多
2024-04-23 11:09:00九代,三星,密度,三星,九代,单元
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