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NAND闪存市场呈现复苏迹象,未来格局或生变
...于出现了复苏的迹象。从市场动态和需求变化来看,NAND闪存作为两大存储器产品之一,正在经历新一轮的变化。三星在去年进行了多次减产,不过随着市场回暖,已开始大幅度提高产能利用率,同时抬升价格,继续主导市场。...……更多
三星闪存涨价潮来袭!季度涨幅高达20%,一年后或将贵70%
据多位半导体产业人士透露,三星将对其NAND闪存芯片的价格进行大幅调整。从今年第四季度开始,三星计划将闪存芯片的报价提高10-20%。令人惊讶的是,明年第一季度和第二季度,价格还将分别再上涨20%。按照这一涨幅,预...……更多
三星、海力士重回闪存战场,这下硬盘还会更便宜吗?
...生产事故”而被网友们所熟知。甚至一度还传出或将限制闪存芯片出口的消息,不过后来因为影响实在太大,甚至会对全球的消费电子市场造成巨大冲击而作罢。后来的故事不少人估计都知道,国产闪存颗粒如今已经成为国内市...……更多
三星重磅发布280层QLC闪存
...三星再次站在了技术革新的前沿,宣布推出全新的280层QLC闪存,将M.2SSD的容量推向了新的高度——惊人的16TB!QLC,即四层单元闪存,是近年来闪存领域的一项重要技术突破。与传统的TLC(三层单元)闪存相比,QLC通过在每个存...……更多
SK海力士全球首创321层闪存技术,三星计划超越300层
...向全球宣布了一项创新成果:成功研发出321层堆叠的NAND闪存。这是全球首次突破300层堆叠的大关,对于闪存技术的发展具有重大意义。然而,尽管这一成果在技术上具有突破性,但SK海力士表示,要到2025年上半年才会开始量产...……更多
批准了!美国同意三星向其中国工厂提供设备【附NAND闪存芯片行业市场分析】
...份额达79%,其中得益于智能手机的需求,中国地区对NAND闪存的市场销售额占比全球最大,根据Yole的数据,2022年中国地区NAND闪存市场销售额占全球33%。三星在一份声明中表示,“通过与相关政府的密切协调,与我们在中国的半...……更多
三星宣布投产第九代V-NAND闪存
三星今天宣布正式开始量产第九代V-NAND闪存,首批开始量产的是容量为1Tb的TLC闪存,新一代闪存的量产会进一步增强三星在闪存市场的竞争力,巩固其领导地位。三星电子内存业务部闪存产品与技术负责人SungHoiHur表示:“我们...……更多
NAND闪存芯片价格持续上涨 全行业减产初见成效?
【CNMO新闻】11月30日,CNMO注意到,业内消息人士称,NAND闪存现货价格持续上涨,而DRAM定价趋势则不太稳定。随着旺季接近尾声,11月存储现货价格增长放缓。由于芯片厂商持续减产,上游NAND供应依然紧张,存储模组厂商无法在...……更多
...品价格上涨的市场需求,三星电子计划进一步减少其NAND闪存产品的生产。此举预计将在未来一年内导致行业影响不断扩大。三星电子已经从今年9月份开始,将NAND闪存产品产量削减至总产能的50%,主要集中在128层堆叠以下的产品...……更多
三星将在明年量产300层NAND闪存芯片
...人LeeJung-Bae发表文章,称三星已生产出基于其第九代V-NAND闪存产品的运行芯片,希望明年初可以实现量产。同时三星还正在开发行业内领先的11纳米级DRAM芯片。该负责人还表示,对于DRAM三星正在研发3D堆叠结构和新材料;对于NAND...……更多
消息称三星电子计划从下月起大幅提高 NAND 闪存价格
据韩媒BusinessKorea近日报道,三星计划自今年四季度起调涨其NANDFlash产品的合约价格,涨幅预计超过10%。此举预计最快将在本月新的合约中采用新价格。三星一直奉行减产战略,以降低供应量并提高产品价格来寻求反转,期望明...……更多
三星暂停NAND闪存报价出货 存储芯片Q4合约价报价优于预期 【三星暂停NAND闪存报价出货 存储芯片Q4合约价报价优于预期】《科创板日报》29日讯,存储芯片大厂减产保价策略奏效,Q4合约价报价优于市场预期,DDR5上涨15~20%,DD...……更多
三星nand闪存价格重新调整至少上涨20%
据供应链消息,三星电子计划与大客户进行谈判,将NAND闪存的价格重新调整至合理水平(至少上涨20%)。由于一年多的供过于求,闪存价格已经持平于成本。目前,临时交易价格仍在上涨,并且部分品类的价格已超过2022年1月...……更多
三星最快本月实现第9代v-nand闪存量产
...韩媒Hankyung报道,三星最快于本月晚些时候实现第9代V-NAND闪存的量产。三星高管Jung-BaeLee去年10月表示,其下一代NAND闪存将于“今年初”量产,拥有业界领先的堆叠层数。三星于2022年11月量产了236层第8代V-NAND,这意味着两代之间...……更多
三星UFS 5.0将于2027年发布 新UFS 4.0有望在S25上搭载
【CNMO科技消息】近日,作为全球在闪存芯片领域领导者的三星半导体,在官方平台发布了备受瞩目的新品路线图,预示着新的UFS 4.0和UFS 5.0的即将推出。该路线图揭示了有关该公司计划开始改进UFS接口速度以及UFS 5.0发布时间表...……更多
trendforce发布2023年第三季度nand闪存报告
TrendForce发布了2023年第三季度NAND闪存市场的报告,显示产业收入环比增长2.9%,营收约为92.29亿美元,另外位元出货量也有环比3%的增长。TrendForce表示,买方认为终端需求仍然较低,担忧市场旺季不旺,因此选择保持低库存、缓...……更多
倒逼国产全面涨价!存储大厂们拖延供货 加快闪存晶圆涨价
...29日消息,据国内媒体报道称,目前原厂对四季度Flash(闪存)供应主打“拖延战术”,说到底就是加速闪存晶圆全面调涨。报道中提到,模组厂曾在9月试图敲定数百万颗订单,但原厂迟迟不愿放货,就算愿意给货,数量及价格...……更多
存储告别“白菜价”时代,国产品牌终究没能撼动三星?
...注:最近一个多月,三星电子、SK海力士宣布对DRAM和NAND闪存芯片涨价10%-20%。事实上,后者的重要程度可能并不弱于前者。原因在于,过去一年多无论是DRAM还是NAND,无论是三星电子还是SK海力士,都经历了一轮史无前例的暴跌。...……更多
三星准备推出第9代v-nand闪存
...《Hankyung》报道,三星准备在下个月推出第9代V-NAND(3DNAND闪存),预计将提供290层结构,比该公司于2022年首次推出的236层第八代V-NAND有进一步的提高。据报道,三星是通过改进闪存层堆叠技术实现290层垂直堆叠密度的,这种技...……更多
三星计划量产第九代v-nand闪存,将采用新的堆叠架构
...16日消息,三星计划在本月晚些时候开始量产第九代V-NAND闪存,可用的堆叠层数达290层,相比现在的236层只增加不到23%。这一代新闪存将采用新的堆叠架构,底部是CMOS层加逻辑电路,上边是145层闪存阵列,再上边又是145层闪存...……更多
三星电子已将西安工厂的闪存开工率至 70%
...月11日消息,据韩媒TheElec报道,三星电子已将西安工厂的闪存开工率至70%。西安工厂是三星电子唯一处于韩国境外的存储半导体生产基地,月产能为20万片300mm晶圆,占三星整体NAND产量的40%。目前三星正将西安工厂的工艺升级至2...……更多
余震恰逢原厂缺货期,固态硬盘或迎新一轮涨价
...械硬盘(HDD)和固态硬盘(SSD)都出现了供应短缺。而且闪存产品的需求也超出了预期,因此本季度将继续调整闪存和硬盘产品的价格,其中一些变动将立即生效。希捷:机械硬盘大厂希捷科技近日也向客户发出涨价函,宣布将...……更多
三星计划明年初量产超过300层的第九代V-NAND闪存
10月19日消息,三星是全球最大的NAND闪存供应商,对其V-NAND(即三星称之为的3DNAND)的发展有着宏大的计划,本周三星分享了一些相关信息。该公司证实,其正在按计划生产拥有超过300层的第九代V-NAND闪存,并表示这将是业内层...……更多
三星990 EVO SSD偷跑:采用V-NAND TLC闪存
...固态硬盘采用PCIe4.0x4或5.0x2标准、M.22280外形,基于V-NANDTLC闪存,顺序读写速度可达5000/4200MB/s,随机读写速度可达700k/800kIOPS,并支持AES-256位加密。值得一提的是,尽管Pro型号配备了DDR4RAM缓存,但Evo型号似乎并未配备缓存……更多
三星预计2025-2026年量产第十代v-nand闪存
...层数跳至430层级。三星此前宣布到2030年开发出1000层V-NAND闪存,同时,下一代V-NAND路线图的轮廓也逐渐浮出水面。据报道,三星计划2024年量产的第九代V-NAND将在280层3DNAND 范围内。对于定于2025-2026年量产的第十代V-NAND,三星正在...……更多
国产存储芯片突破,LPDDR5内存发布,但落后三星还有4年
...比超过三分之一。存储芯片有很多种,比如DRAM内存、NAND闪存、Flash闪存等,但其中DRAM+NAND占了95%以上的份额,是数量、份额最高的两大类型。过去这几年,中国从国外进口的芯片中,存储芯片占比超过三分之一。 而在2017年之...……更多
...ce集邦咨询在今日的最新研报中称,AI浪潮对DRAM内存和NAND闪存市场带来明显影响,推动该机构调升本季度两类存储产品的合约价涨幅。具体而言,TrendForce原先预估2024年二季度DRAM内存合约价上涨3~8%,现估计为13~18%;而在NAND闪存...……更多
...。因此,使用该硬盘进行大文件传输变得更加方便快捷。闪存方面,T5EVO采用了176层3DV-NAND技术,并运行在QLC模式下。此外,该硬盘配备了三星自家的S4LR069Metis主控和8GB缓存。在安全性能方面,T5EVO搭载了热防护技术和硬件数据加...……更多
三星第九代v-nand开始量产,提高50%位密度
...杂的蚀刻技术提出了要求。第九代V-NAND配备了下一代NAND闪存接口“Toggle5.1”,可将数据输入/输出速度提高33%,最高可达每秒3.2千兆位(Gbps)。除了这个新接口,三星还计划通过扩大对PCIe5.0的支持来巩固其在高性能固态硬盘市...……更多
存储芯片利好密集催化!龙头8天6板,A股上市公司闪存产品产能、市场地位一览
...质量发展行动计划》,推动先进存储创新发展,实现存储闪存化升级。此外,美国已决定三星电子和SK海力士可以向其中国工厂供应芯片设备。存储芯片迎来新一轮利好消息密集催化。东海证券方霁10月10日研报中表示,1Tb/512Gb Fl...……更多
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2024乌镇峰会将于11月19日至22日在桐乡乌镇进行。11月4日上午,世界互联网大会乌镇峰会浙江承办工作协调机制信息化工作部组织召开新闻吹风会
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