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三星2nm芯片将采用全栅极技术

...用的第三代GAA特性。据报道，三星的2nm芯片将采用这种全栅极技术，因为该公司的代工部门计划在2025年开始大规模生产2nm芯片。三星尚未在其3nmGAA节点上获利，这主要归功于其产量低，导致与其他公司的合作不可行。根据最新...……更多

2024-05-02 02:11:00栅极,三星,芯片,技术,三星,纳米

台积电再受打击，苹果M2 Pro并未用上3纳米，先进工艺问题

...，这已是FinFET技术的极限，更先进的工艺就需要引入环绕栅极极技术才能有效提升性能，三星则优先在3纳米工艺上引入了环绕栅极技术，然而三星采用环绕栅极技术的3纳米同样面临质疑。台积电保守地采用FinFET技术，在于这项...……更多

2023-01-19 08:00:00纳米,苹果,先进,工艺,问题,纳米

抢光刻机、截客户，三大芯片巨头缠斗2nm丨知料

...科技。芯片里面的晶体管，可以拆解为三个模块：源极、栅极、漏极——电离子从源极出发、穿越栅极、进入漏极，构成一个完整回路。栅极，可以简单想象成晶体管与晶体管之间的一个门、一块隔板，起到了把控电离子流向的...……更多

2023-12-22 11:43:00刻机,巨头,芯片,三大,客户,制程

三星芯片制造滑铁卢，台积电将独家代工高通骁龙8 Gen4

...程技术是其最新的芯片制造技术，该技术使用更宽的环绕栅极架构，可以更好地控制电流，并带来更快的速度和更低的功耗。然而，据报道，三星在生产3纳米GAA晶圆时遇到了困难，良率并不理想。这意味着生产成本高昂，而且...……更多

2023-12-04 10:14:00高通,滑铁卢,三星,代工,芯片,制造

三星正在讨论为高通和lsi部门生产原型产品

...经和高通深化合作关系，高通会使用三星代工厂最新的全栅极（GAA）工艺技术，优化和开发下一代ARMCortex-XCPU。高通公司有可能正在评估2纳米SF2GAAFET工艺，以用于遥远的骁龙8Gen5芯片组，而三星LSI则可能正在开发2纳米\"Exynos2600\"...……更多

2024-02-24 11:28:00高通,三星,原型,部门,正在,生产

三星3纳米芯片生产良品率达80%

...栅(GAA)晶体管。这些晶体管使用垂直放置的纳米片，允许栅极覆盖电流流动的通道的所有四个侧面，从而减少泄漏并提高芯片的性能和能效。台积电继续使用采用水平放置鳍片的FinFET晶体管。与GAA不同，FinFET仅覆盖通道的三个侧...……更多

2023-01-22 16:35:00良品率,三星,纳米,芯片,生产,三星

台积电推2nm，芯片制程极限升级，2nm或不再是我们理解的2

...（栅长）就是芯片的纳米单位。纳米原本是指芯片晶体管栅极长度的大小。随着技术的成熟，晶体管尺寸的减小，性能随之提高、功耗降低以及发热量的降低。简言之，较小的晶体管比较大的晶体管更好，并且制造商之间的工艺...……更多

2023-12-22 09:54:00制程,芯片,极限,升级,制程,芯片

骁龙8 Gen5处理器：有望混用工艺，只因三星迈步2nm！

...面积。看数据显示的话，高通会使用三星代工厂最新的全栅极（GAA）工艺技术，优化和开发下一代ARMCortex-XCPU。而且高通公司有可能正在评估2纳米SF2GAAFET工艺，以用于遥远的骁龙8Gen5芯片组，而三星LSI则可能正在开发2纳米\"Exyno...……更多

2024-02-25 23:05:00三星,处理器,工艺,处理,工艺,三星

三星即将推出sf1.4工艺，纳米片数量增加

...仍未在全球范围内实施。虽然目前半导体行业已不再使用栅极长度和金属半节距来为技术节点进行系统命名，但毫无疑问目前的工艺技术也是数字越小越先进。随着半导体工艺微缩路线不断地向前发展，集成电路内电路与电路间...……更多

2023-11-01 13:46:00三星,纳米,数量,工艺,纳米,工艺

英特尔推广intel18a工艺节点

...竞争对手三星和台积电。三星计划首先在3nm工艺中采用全栅极（GAA），然后再转向2nm工艺。台积电和英特尔正在为其3纳米芯片选择FinFET结构。 ……更多

2024-02-28 06:23:00英特,英特尔,节点,推广,工艺,英特

三星在积极研发更先进的芯片制程

...m制程。据BusinessKorea报道，三星Foundry正致力于下一代环绕栅极晶体管(GAA)技术的研发，该技术将用于其2nm制程工艺，基于该技术的2nm半导体芯片计划于明年量产。此外，三星将在6月16日至20日于美国夏威夷举行的VLSI研讨会上展示...……更多

2024-05-01 10:05:00制程,三星,芯片,先进,三星,制程

英特尔重塑代工业务：按期推进4年5个节点计划、公布Intel

...晶体管密度。同时 18A 也是英特尔首个采用 RibbonFET 全周栅极（GAA）晶体管的节点，在缩小面积的情况下，提供更高的晶体管密度和更快的晶体管开关速度。英特尔 18A 现已准备就绪，客户现在就可以使用英特尔 EDA（设计软件）...……更多

2024-02-22 09:20:00代工,英特,英特尔,代工厂,路线图,节点

三星计划明年推出第 10 代 NAND 芯片

...及实验演示和建模”。在摘要部分中写到，在金属带工程栅极中间层（BE-G.IL）、铁电（FE）开关、沟道中间层（Ch.IL）和硅（MIFIS）FeFET架构中，使用FE开关相互作用，来显著提高性能，表明hafniaFE成为扩展3DVNAND技术发展的关键推...……更多

2024-05-12 01:32:00三星,芯片,铁电,三星,中间层,关键

3nm的芯片战争，才刚刚开始

...了在 3nm 成功应用 GAAFET 技术。GAAFET 的正式名称是全环绕栅极晶体管（Gate-All-Around FET），架构上最明显的变化在单位面积内的利用效率。晶体管架构变迁，图/三星众所周知，计算性能最底层其实就是晶体管的「一开一关」，代...……更多

2023-10-11 15:22:00芯片,战争,芯片,工艺,晶圆,三星

传三星4nm工艺良率提升至70% 带来AMD等新业务

...芯片给AMD留下深刻印象，这可能会让三星获得AMD基于其3nm栅极全环(GAA)节点的订单。三星在3nm工艺中使用了全栅晶体管，可以间接改善芯片性能。韩国产业经济贸易研究院研究员KimYang-paeng表示：“如果三星此次成功赢得AMD4nm芯片...……更多

2023-11-17 13:47:00新业,三星,新业务,工艺,三星,代工厂

三星展望HBM4内存：工艺学习Intel 22nm

...来在Intel20A、台积电2nm、三星3nm上，都将转向全环绕立体栅极晶体管。封装方面，三星计划从微凸点键合转向无凸点键合(bumplessbongding)，将铜层与铜层直接互连。事实上，这在逻辑芯片领域也是相当先进的技术，仍在研发之中。...……更多

2023-10-22 22:20:00三星,内存,工艺,学习,晶体管,三星

三星宣布即将量产首款 3nm Exynos 芯片

...星电子宣布其首款采用 3nm GAA 工艺（Gate-All-Around，环绕式栅极）的系统级芯片 (SoC) 已完成流片 (taping out)，该芯片有望在未来几个月内实现量产。三星的合作伙伴，电子设计自动化公司 Synopsis 透露，他们为该芯片的性能提升提供...……更多

2024-05-08 09:54:00三星,芯片,芯片,三星,设计,功耗

革命性突破？三星已量产3nm芯片，搭载新机也基本确认！

...了更高的性能、更低的功耗和更小的尺寸。同时由于环绕栅极的存在，晶体管在开关过程中产生的热量也得以有效分散，从而降低了功耗。而且GAA技术还通过优化晶体管的内部结构，提高了其性能，以及通过减小晶体管的尺寸...……更多

2024-05-09 10:29:00三星,革命性,新机,芯片,革命,突破

美芯技术停滞，美国再给116亿美元胡萝卜，台积电决定吃下了

...的，此前的520亿美元芯片补贴，美国曾许诺给予台积电和三星较大份额，但是最终台积电只拿到10%的份额，三星拿到13%的份额，台积电的份额竟然比三星还要少，业界就认为美国并未将台积电视为自己人。到了去年美国又给出芯...……更多

2024-04-13 10:04:00美国,胡萝卜,技术,美国,芯片,纳米

三星高管giwookkim将于6月发表技术演讲

...技术的进一步发展。Kim博士在摘要中提到，在金属带工程栅极中间层、铁电开关、沟道中间层和硅FeFET架构中使用了相互作用的FE开关，以显著提高性能。这表明了HafniaFE成为扩展3DVNAND技术发展的关键因素。值得一提的是，三星...……更多

2024-05-12 09:54:00三星,将于,技术,进一,铁电,技术

三星12纳米ddr5dram2023年量产

三星电子与AdvancedMicroDevices(AMD)合作开发了业界首款12纳米级DDR5动态随机存取存储器(DRAM)。这种新型DRAM将于2023年开始量产，预计将以其卓越的性能和更高的能效提升下一代计算、数据中心和人工智能(AI)应用的能力。三星12纳米DD...……更多

2023-01-22 16:53:00三星,纳米,三星,纳米,能效,三星电子

英特尔3nm，加入战局

...14nm苦苦挣扎几年之后，英特尔将在今年进一步拉近和和三星的差距，其IDM 2.0战略，也使得他们成为了3nm代工的一个重要玩家。三星台积电先后跨入和5nm一样，三星和都率先进入了3nm时代。在2022年六月份，韩国巨头三星宣布，公...……更多

2023-01-20 06:00:00英特,英特尔,战局,英特,英特尔,三星

台积电3nm良率据称仅有50%左右 iPhone15发热问题

三星电子和台积电可能都遇到了3纳米半导体的生产问题，不过这一问题目前尚未有报告。据韩国媒体ChosunBiz援引消息人士的话报道，这两家半导体巨头在3纳米半导体良品率问题上可能都难以超过60%，而这一水平还不足以吸引硬...……更多

2023-10-10 11:37:00有关,问题,纳米,三星,三星电子,工艺

投万亿韩元建立研发中心，韩国荷兰“半导体同盟”冲击有多大？

...锡悦访问了荷兰半导体设备制造商阿斯麦（ASML）总部，三星电子会长李在镕、SK集团会长崔泰源一同参观了相关设施。阿斯麦和三星将投资1万亿韩元（约合54.5亿元人民币）在韩成立半导体研发中心。韩国《每日经济》13日的报...……更多

2023-12-14 14:29:00荷兰,韩元,韩国,半导体,同盟,冲击

三星将在明年量产300层NAND闪存芯片

10月17日消息，今天，三星电子内存业务负责人LeeJung-Bae发表文章，称三星已生产出基于其第九代V-NAND闪存产品的运行芯片，希望明年初可以实现量产。同时三星还正在开发行业内领先的11纳米级DRAM芯片。该负责人还表示，对于DR...……更多

2023-10-17 20:23:00三星,闪存,芯片,三星,芯片,双堆

苹果再次舍弃3纳米，对ASML是沉重打击，ASML得靠中国救

...来源是第一代EUV光刻机，但是这一代EUV光刻机只有Intel、三星和台积电三家客户，而这三家客户当前都不太可能大规模采购了。Intel在爱尔兰的Intel 4工厂已完成设备进驻，本来计划在2022年底量产，但是Intel在2022年底传出让爱尔兰...……更多

2023-01-19 07:00:00中国,纳米,救命,再次,苹果,光刻

三星多款Galaxy A系列新机即将发布，芯片工艺新进展

按照爆料，三星将在接下来带来多款Galaxy A系列手机的发布。现在，随着时间的推进，最新的消息中再次提到了两款即将到来的Galaxy A系列产品。据悉，三星有望在3 月 11 日，也就是说下周带来 Galaxy A35 5G 和Galaxy A55 5G 两款手机...……更多

2024-03-06 09:29:00新进,三星,新机,芯片,工艺,三星

继台积电后，三星电子也推迟美国工厂量产计划至2025年

...，台积电亚利桑那州新工厂计划投产时间推迟到2025年。三星电子在得克萨斯州的芯片新工厂也推迟了大规模生产计划至2025年。·这两家芯片制造商在美国运营的工厂出现任何延误，都将让美国总统拜登提高美国本土芯片生产的...……更多

2023-12-27 09:44:00三星电子,三星,美国,工厂,电子,美国

现代汽车将采用 5 纳米工艺开发自家的车用半导体

...于去年6月成立了一个半导体开发实验室，并聘请了曾在三星电子的系统LSI部门从事车载芯片ExynosAuto开发工作的工程师KimJong-sun。现代汽车正计划为其半导体相关业务选择一家半导体设计公司，预计代工厂将是三星电子或台积电...……更多

2024-03-14 01:50:00半导体,纳米,工艺,开发,汽车,汽车

三星将推出先进的 3D AI 芯片封装技术 SAINT 与台

站长之家(ChinaZ.com) 消息:三星电子计划于明年推出一项先进的三维（3D）芯片封装技术，以与代工龙头台积电（TSMC）展开竞争。总部位于韩国水原市的这家芯片制造商将使用该技术——SAINT（Samsung Advanced Interconnection Technology，三...……更多

2023-11-15 15:20:00三星,封装,芯片,竞争,先进,技术

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