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三星计划明年推出第 10 代 NAND 芯片
类别：科技 发布时间：2024-05-12 01:32:00 来源：浅语科技
5月11日消息，三星高管于2023年6月预测，V-NAND在2030年将叠加到1000层以上，而最新消息称铪基薄膜铁电（HafniaFerroelectrics）将成为这项成就的关键。
三星高管GiwukKim将于今年6月发表技术演讲，课题为“在推动1000层低电压和QLC3DVNAND进程中，深入分析Hafnia铁电的关键推动因素，以及实验演示和建模”。
在摘要部分中写到，在金属带工程栅极中间层（BE-G.IL）、铁电（FE）开关、沟道中间层（Ch.IL）和硅（MIFIS）FeFET架构中，使用FE开关相互作用，来显著提高性能，表明hafniaFE成为扩展3DVNAND技术发展的关键推动力。
此前报道，三星计划明年推出第10代NAND芯片，采用三重堆叠技术，达到430层，进一步提高NAND的密度，并巩固和扩大其领先优势。
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快照生成时间：2024-05-12 09:45:07
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